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首页 全部分类 ZXM64P02XTA vs IRF7555TRPBF

ZXM64P02XTA备选型号: IRF7555TRPBF

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  • 高度
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  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Diodes Incorporated
    ZXM64P02XTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET 20V P-Chnl HDMOS
    17 Weeks
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    139.989945mg
    SILICON
    700mV @ 250μA
    45.5 ns
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    90mOhm
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -3.5A
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.8W
    5.6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 2.4A, 4.5V
    900pF @ 15V
    6.9nC @ 4.5V
    12.3ns
    20V
    ±12V
    12.3 ns
    3.5A
    12V
    -20V
    3.1mm
    3.1mm
    950μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7555TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
    -
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    -
    -
    4.3A
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    55mOhm
    -
    -
    -20V
    -
    -
    -
    -4.3A
    -
    -
    Dual
    -
    1.25W
    10 ns
    2 P-Channel (Dual)
    -
    55mOhm @ 4.3A, 4.5V
    1066pF @ 10V
    15nC @ 5V
    46ns
    20V
    -
    64 ns
    -4.3A
    12V
    -20V
    3mm
    3mm
    860μm
    符合RoHS标准
    -
    -
    无铅
    Micro8™
    HEXFET®
    2005
    150°C
    -55°C
    1.25W
    IRF7555PBF
    1.25W
    1.2V @ 250μA
    1.066nF
    逻辑电平门
    55mOhm
    55 mΩ
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