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首页 全部分类 ZXMD63N03XTA vs IRF7503TRPBF

ZXMD63N03XTA备选型号: IRF7503TRPBF

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
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  • 系列
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • Diodes Incorporated
    ZXMD63N03XTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET Dual 30V N Chl HDMOS
    17 Weeks
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    139.989945mg
    SILICON
    9.6 ns
    2006
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    135mOhm
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    30V
    1.04W
    鸥翼
    260
    2.4A
    40
    8
    增强型MOSFET
    1.25W
    2.5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    135m Ω @ 1.7A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    290pF @ 25V
    8nC @ 10V
    4.1ns
    4.1 ns
    2.3A
    20V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    3.1mm
    3.1mm
    950μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7503TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
    12 Weeks
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    SILICON
    2
    1997
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    135mOhm
    -
    超低电阻
    30V
    1.25W
    鸥翼
    -
    2.4A
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.25W
    4.7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    135m Ω @ 1.7A, 10V
    1V @ 250μA
    210pF @ 25V
    12nC @ 10V
    10ns
    5.3 ns
    2.4A
    20V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    3mm
    3mm
    860μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    Tin
    HEXFET®
    IRF7503PBF
    Dual
    1V
    14A
    1 V
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