Infineon Technologies IRF7509TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.7A 2A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1998

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

电阻

200mOhm

附加功能

超低电阻

最大功率耗散

1.25W

终端形式

鸥翼

额定电流

2.7A

基本部件号

IRF7509PBF

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 1.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

210pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 10V

上升时间

12ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

9.3 ns

连续放电电流(ID)

2.7A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1 V

高度

1.11mm

长度

3.048mm

宽度

3.048mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅