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首页 全部分类 ZXMN2A02N8TA vs FDS6576

ZXMN2A02N8TA备选型号: FDS6576

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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 配置
  • 通道数量
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 系列
  • 终端
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Diodes Incorporated
    ZXMN2A02N8TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET 20V N Chnl UMOS
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    73.992255mg
    SILICON
    700mV @ 250μA
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20mOhm
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    10.2A
    40
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.5W
    7.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 11A, 4.5V
    1900pF @ 10V
    18.9nC @ 4.5V
    10ns
    ±12V
    10 ns
    10.2A
    12V
    20V
    50A
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6576
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC N T/R
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    130mg
    SILICON
    1.5V @ 250μA
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e4
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    14MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -
    -11A
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    18 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 11A, 4.5V
    4044pF @ 10V
    60nC @ 4.5V
    17ns
    ±12V
    79 ns
    11A
    12V
    -20V
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    Tin
    PowerTrench®
    SMD/SMT
    Single
    20V
    -830mV
    -20V
    -830 mV
    1.5mm
    5mm
    4mm
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