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首页 全部分类 ZXMN3A04DN8TA vs IRF7416TRPBF

ZXMN3A04DN8TA备选型号: IRF7416TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • 终端
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 行间距
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • Diodes Incorporated
    ZXMN3A04DN8TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    6.5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20mOhm
    Matte Tin (Sn)
    30V
    2.15W
    鸥翼
    260
    6.8A
    40
    8
    2
    2.15W
    5.2 ns
    1.81W
    2 N-Channel (Dual)
    20m Ω @ 12.6A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    1890pF @ 15V
    36.8nC @ 10V
    6.1ns
    20.2 ns
    8.5A
    12V
    30V
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7416TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20mOhm
    -
    -30V
    -
    鸥翼
    -
    -10A
    -
    -
    1
    2.5W
    18 ns
    -
    P-Channel
    20m Ω @ 5.6A, 10V
    -
    1700pF @ 25V
    92nC @ 10V
    49ns
    60 ns
    -10A
    20V
    -30V
    -
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    1V @ 250μA
    HEXFET®
    SMD/SMT
    超低电阻
    DUAL
    6.3 mm
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    30V
    ±20V
    -2.04V
    45A
    -30V
    370 mJ
    85 ns
    150°C
    -20 V
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IRL6342TRPBF IRL6342TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC 对比