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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.13525
10
¥16.165334
100
¥15.250313
500
¥14.387089
1000
¥13.57272
Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8TA
- 收藏
- 对比
ZXMN3A04DN8TA
671-ZXMN3A04DN8TA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXMN3A04DN8TA详情
Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
19 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.5A
Turn Off Delay Time
38.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
20mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
2.15W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
6.8A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
通道数量
2
功率耗散
2.15W
接通延迟时间
5.2 ns
功率 - 最大
1.81W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 12.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA (Min)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1890pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
36.8nC @ 10V
上升时间
6.1ns
下降时间(典型值)
20.2 ns
连续放电电流(ID)
8.5A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
30V
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXMN3A04DN8TA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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