ZXMN7A11KTC备选型号: IRLR9343TRPBF
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 漏源电压 (Vdss)
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6333.949996gSILICON4.2A Ta1V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99130mOhmMatte Tin (Sn)低阈值70V鸥翼2606.1A40R-PSSO-G21Single增强型MOSFET8.5WDRAIN1.9 nsN-ChannelSWITCHING130m Ω @ 4.4A, 10V298pF @ 40V7.4nC @ 10V2ns±20V5.8 ns6.1A20V4.2A70V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET P-CH 55V 20A DPAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON20A Tc1V @ 250μA-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)2004e3-活跃1 (Unlimited)2EAR9993MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier--鸥翼260-30R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET79WDRAIN9.5 nsP-ChannelAMPLIFIER105m Ω @ 3.4A, 10V660pF @ 50V47nC @ 10V24ns±20V9.5 ns-20A20V--55V2.3876mm6.7056mm6.22mm-无ROHS3 Compliant无铅HEXFET®55VTO-252AA60A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK | 对比 |
![]() | ZXMP6A17KTC | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V P-CHANNEL | 对比 |
![]() | ZXMP7A17KTC | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK | 对比 |




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