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ZXMP2120G4TA备选型号: STN1NF20
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- 型号:
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 基本部件号
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-22310 WeeksTO-261-4, TO-261AA表面贴装表面贴装47.994566mgSILICON2W Ta3.5V @ 1mA2006Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3noObsolete1 (Unlimited)4EAR9925OhmMatte Tin (Sn)-200VDUAL鸥翼260-200mA401Single增强型MOSFET2WDRAIN7 nsP-ChannelSWITCHING25 Ω @ 150mA, 10V100pF @ 25V15ns200V±20V15 ns200mA20V0.2A-200V7 pF3.7mm6.7mm1.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-22312 WeeksTO-261-4, TO-261AA表面贴装表面贴装4-SILICON1A Tc4V @ 250μA-Cut Tape (CT)-55°C~150°C TJ--ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)1 (Unlimited)4EAR99---DUAL鸥翼----Single增强型MOSFET2WDRAIN-N-ChannelSWITCHING1.5 Ω @ 500mA, 10V90pF @ 25V5.6ns-±20V12.4 ns1A20V1A200V-----无ROHS3 Compliant无铅STripFET™ IISTN1N5.7nC @ 10V4A70 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STN1NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 | 对比 |
| ZVP2120GTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET P-Chnl 200V | 对比 |
| ZVN2120GTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
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