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首页 全部分类 ZXMP6A17DN8TA vs IRF7342TRPBF

ZXMP6A17DN8TA备选型号: IRF7342TRPBF

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 宽度
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  • RoHS状态
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
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  • 栅源电压
  • Diodes Incorporated
    ZXMP6A17DN8TA
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET P-CH 60V 3.42A Automotive 8-Pin SOIC T/R
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    2.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    125mOhm
    Matte Tin (Sn)
    -60V
    2.15W
    鸥翼
    260
    -3.1A
    40
    8
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    2.15W
    DRAIN
    2.6 ns
    1.81W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    125m Ω @ 2.3A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    637pF @ 30V
    17.7nC @ 10V
    3.4ns
    60V
    11.3 ns
    3.2A
    20V
    11.1A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    105mOhm
    -
    -55V
    2W
    鸥翼
    -
    -3.4A
    -
    -
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    -
    14 ns
    -
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    105m Ω @ 3.4A, 10V
    1V @ 250μA
    690pF @ 25V
    38nC @ 10V
    10ns
    55V
    22 ns
    -3.4A
    20V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    HEXFET®
    超低电阻
    IRF7342PBF
    6.3 mm
    -1V
    -55V
    114 mJ
    80 ns
    150°C
    -1 V
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