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首页 全部分类 ZXMP6A18KTC vs ZXMN6A09KTC

ZXMP6A18KTC备选型号: ZXMN6A09KTC

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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • 终止次数
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Diodes Incorporated
    ZXMP6A18KTC
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    6.8A Ta
    1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    55mOhm
    Matte Tin (Sn)
    LOW THRESHOLD; FAST SWITCHING
    -60V
    鸥翼
    260
    -10.4A
    40
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    10.1W
    DRAIN
    4.6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 3.5A, 10V
    1580pF @ 30V
    44nC @ 10V
    5.8ns
    60V
    ±20V
    23 ns
    10.4A
    20V
    -60V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN6A09KTC
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    7.7A Ta
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    no
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    40mOhm
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    60V
    鸥翼
    260
    11.2A
    40
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    10.1W
    DRAIN
    4.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 7.3A, 10V
    1426pF @ 30V
    29nC @ 10V
    4.6ns
    -
    ±20V
    14.5 ns
    11.8A
    20V
    60V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    TO-252AA
    7.9A
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