ZXTN2010A备选型号: ZX5T851ASTZ
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- JESD-609代码
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- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 转换频率
- 最大击穿电压
- TRANS NPN 60V 4.5A TO92-330 Weeks通孔通孔E-Line-3360V-55°C~150°C TJBulk2006e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)60V1W4.5AZXTN2010ASingle130MHzNPN60V4.5A100 @ 2A 1V50nA ICBO210mV @ 200mA, 5A150V7V4.5A4.01mm4.77mm2.41mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------------
- TRANSISTOR NPN 60V MED TO92-330 Weeks通孔通孔E-Line-3360V-55°C~150°C TJTape & Box (TB)2006e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)60V1W4.5AZX5T851ASingle130MHzNPN60V4.5A100 @ 2A 1V20nA ICBO210mV @ 200mA, 5A150V7V-4.01mm4.77mm2.41mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SILICONno3WIRE260130MHz4031WSWITCHINGNPN130MHz60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZTX851STZ | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | E-Line-3, Formed Leads | Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine | 对比 |
![]() | KSC2331YTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | 对比 |
![]() | ZX5T851A | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3 | TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3 | 对比 |




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