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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.018469
10
¥0.960823
100
¥0.906433
500
¥0.855126
1000
¥0.806725
ON Semiconductor KSC2331YTA
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- 对比
KSC2331YTA
1807-KSC2331YTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
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Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
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¥
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KSC2331YTA详情
ON Semiconductor KSC2331YTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
引脚数
3
质量
371.1027mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
200mV
Number of Elements
1
hFEMin
40
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
1W
端子位置
BOTTOM
额定电流
700mA
频率
50MHz
基本部件号
KSC2331
元素配置
Single
功率耗散
1W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
700mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 50mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
转换频率
50MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
8V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
KSC2331YTA拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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