GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量					Current - Supply (Nom)												厂商																																			操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	数据总线宽度	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	最高频率	筛选水平	并行/串行	I/O类型	同步/异步	字长	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）
GS71116AGU-12	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	BGA-48	YES	48	48		PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	未说明	12 ns	70 °C	有	GS71116AGU-12	65536 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.17	BGA				+ 70 C	3.6 V	0 C	240		3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	Details	SDR	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	64000			GS71116AGU	e1	有	3A991.B.2.B	Asynchronous	锡银铜				8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	COMMERCIAL	1 Mbit		ASYNCHRONOUS		85 mA	12 ns					64 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16			SRAM		0.002 A	1048576 bit			PARALLEL	COMMON			标准SRAM	2 V	3.6 V	3 V		SRAM		8 mm	6 mm
GS8160Z36BGT-150	GSI Technology	数据表	56 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	100	100		LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	512000		PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS8160Z36BGT-150	524288 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术		Obsolete	GSI TECHNOLOGY	8.48	QFP								e3	有	3A991.B.2.B		纯哑光锡			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL			SYNCHRONOUS								512KX36		1.6 mm	36						18874368 bit			PARALLEL				ZBT SRAM		2.75 V	2.25 V				20 mm	14 mm
GS832036AGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS832036AGT-200	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.75	QFP	Commercial grade				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V		0 to 85 °C	Tray	GS832036AGT			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				ALSO OPERATES AT 3.3; SYNCHRONOUS BURST		Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		OTHER	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS		205 mA, 240 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 36		1.6 mm	36		20 Bit	SRAM	36 Mbit		37748736 bit		Commercial	PARALLEL				缓存SRAM		2.7 V	2.3 V		SRAM		20 mm	14 mm
GS880Z32CGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100		2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS880Z32CGT-150	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	2.06	QFP	Commercial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	0 to 70 °C		GS880Z32CGT	e3	有	3A991.B.2.B	NBT	Matte Tin (Sn)	70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL	9 Mbit	1	SYNCHRONOUS		130 mA, 140 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		256 k x 32		1.6 mm	32		18 Bit	SRAM	8 Mbit		8388608 bit		Commercial	PARALLEL				ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V		SRAM		20 mm	14 mm	无
GS8182D18BD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	表面贴装	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V		SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8182D18BD-400I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.16	BGA	Industrial grade				400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	-40 to 85 °C			e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			流水线结构	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		730 mA				Pipelined		1 M x 18		1.4 mm	18		18 Bit		18 Mbit		18874368 bit		Industrial	PARALLEL				DDR SRAM		1.9 V	1.7 V				15 mm	13 mm
GS72116AU-10I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	48	10 ns	85 °C	无	GS72116AU-10I	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Industrial grade					FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous		128 kWords	16 Bit	3.6 V	表面贴装	TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明		-40 to 85 °C				无	3A991.B.2.B						8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格		INDUSTRIAL		1	ASYNCHRONOUS								128KX16		1.2 mm	16		17 Bit		2 Mbit		2097152 bit		Industrial	PARALLEL				标准SRAM		3.6 V	3 V				8 mm	6 mm
GS8160E36BGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	100	100		LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	512000		PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS8160E36BGT-150	524288 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术		Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.73	QFP								e3	有	3A991.B.2.B		纯哑光锡			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL			SYNCHRONOUS								512KX36		1.6 mm	36						18874368 bit			PARALLEL				缓存SRAM		2.7 V	2.3 V				20 mm	14 mm
GS81302R36GE-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	Details	DDR-II	Industrial grade							250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C		10	-40 to 100 °C	Tray	GS81302R36GE				SigmaDDR-II B4						Memory & Data Storage													144 Mbit	2			680 mA				Pipelined		4 M x 36					22 Bit	SRAM	144 Mbit				Industrial										SRAM
GS8662Q18BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	QDR	1.8000 V		Synchronous	4 MWords	18 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	0.644808 oz	- 40 C	15		1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8662Q18BGD-300I	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.62	BGA	Industrial grade				300 MHz	FBGA	-40 to 100 °C	Tray	GS8662Q18BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS		860 mA	450 ps			Pipelined		4 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18		21 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit		Industrial	PARALLEL	SEPARATE			QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V		SRAM		15 mm	13 mm
GS74116AX-12	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-48	48						FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous		256 kWords	16 Bit	3.6 V	表面贴装	Compliant	+ 70 C	3.6 V	0 C	135	3 V	SMD/SMT		Parallel	GSI技术	GSI技术	SDR	Commercial grade		0 to 70 °C		GS74116AX				Asynchronous		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage		3.3 V											4 Mbit	1			90 mA	12 ns					256 k x 16					18 Bit	SRAM	4 Mbit				Commercial										SRAM				无
GS74117AGX-12	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	BGA-119	YES	48	48	135	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Details	SDR	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	未说明	12 ns	70 °C	有	GS74117AGX-12	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.23	BGA	Commercial grade				FBGA	3.3000 V	Asynchronous	256 kWords		16 Bit	表面贴装	+ 70 C	3.6 V	0 C	0 to 70 °C		GS74117AGX	e1	有	3A991.B.2.B	Asynchronous	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)				8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	COMMERCIAL	4 Mbit	1	ASYNCHRONOUS		90 mA	12 ns					256 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16			SRAM	4 Mbit	0.01 A	4194304 bit		Commercial	PARALLEL	COMMON			标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V		SRAM		10 mm	6 mm
GS8662Q09BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	Compliant	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT		Parallel	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8662Q09BGD-250	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.32	BGA	Commercial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V		Synchronous	8 MWords	9 Bit	表面贴装	0 to 85 °C		GS8662Q09BGD	e1	有	3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS		720 mA				Pipelined		8 M x 9	3-STATE	1.4 mm	9		22 Bit		72 Mbit		75497472 bit		Commercial	PARALLEL	SEPARATE			QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V				15 mm	13 mm	无
GS74116AGP-10I	GSI Technology	数据表	20 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	TSOP-44	YES	44	44	115 mA	有	-	+ 85 C	3.6 V	0.077179 oz	- 40 C	135	3 V		SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SDR	TSOP2, TSOP44,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	TSOP44,.46,32	-40 °C	未说明	10 ns	85 °C	有	GS74116AGP-10I	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.37	TSOP2	Industrial grade			3.3000 V	3 V	Asynchronous	16 Bit	3.6 V	256000	Compliant	-40 to 85 °C	Tray	GS74116AGP	e3	有	3A991.B.2.B	Asynchronous	纯哑光锡	85 °C	-40 °C		8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	3.3 V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant	R-PDSO-G44	不合格	3.3 V	INDUSTRIAL	512 kB	1	ASYNCHRONOUS		115 mA	10					256 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16		18 b	SRAM	4 Mb	0.02 A	4		Industrial	PARALLEL	COMMON	Asynchronous	16 b	标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V		SRAM		18.41 mm	10.16 mm	无	无SVHC
GS81302T18E-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II	Commercial grade							375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	Compliant	375 MHz	+ 70 C	1.9 V		0 C	0 to 85 °C	Bulk	GS81302T18E				SigmaDDR-II B2		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											144 Mbit	2			845 mA				Pipelined		8 M x 18					23 Bit	SRAM	144 Mbit				Commercial										SRAM				无
GS8160Z36DGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	2.5, 3.3 V		2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 100 C	3.6 V	0.297150 oz		- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS8160Z36DGT-200I	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.77	QFP	Industrial grade				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	-40 to 100 °C	Tray	GS8160Z36DGT			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				PIPELINE ARCHITECTURE, FLOW-THROUGH, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS		230 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		512 k x 36		1.6 mm	18		19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit		Industrial	PARALLEL				ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V		SRAM		20 mm	14 mm
GS81302T37GE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	YES	165	165	SigmaDDR-II+	DDR-II	LBGA,		GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS81302T37GE-300	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.04	BGA					Compliant	有	300 MHz	+ 70 C		1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS81302T37GE	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaDDR-II+ B2	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	144 Mbit		SYNCHRONOUS		780 mA						4 M x 36		1.5 mm	36			SRAM			75497472 bit			PARALLEL				DDR SRAM		1.9 V	1.7 V		SRAM		17 mm	15 mm
GS4288C36GL-18I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	uBGA-144	YES	144	144-uBGA (18.5x11)	144	GSI Technology Inc.	GRID ARRAY, THIN PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	GS4288C36GL-18I	8388608 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.08	BGA			Compliant	有	533 MHz	+ 95 C		1.9 V	- 40 C	36	1.7 V	SMD/SMT	GSI技术	GSI技术	Tray	GS4288C36	活跃	Volatile	TBGA,	-40°C ~ 95°C (TC)		GS4288C36GL			3A991.B.2.B	LLDRAM II		95 °C	-40 °C	自动刷新	8542.32.00.28	Memory & Data Storage	LLDRAM2	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				288 Mbit	1	SYNCHRONOUS	533 MHz	475 mA		DRAM	Parallel		36 b	8 M x 36		1.2 mm	36	-	22 b	DRAM	288 Mb		301989888 bit	533 MHz						DDR DRAM		1.9 V	1.7 V	多库页面突发	DRAM	8M x 36		11 mm	无
GS8182D18BGD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	Synchronous	1 MWords	18 Bit	表面贴装	Compliant	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18		1.7 V	SMD/SMT	Parallel	DDR	SigmaQuad-II	GSI技术	GSI技术	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8182D18BGD-400I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.16	BGA	Industrial grade				400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V		-40 to 85 °C	Tray	GS8182D18BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		730 mA				Pipelined		1 M x 18		1.4 mm	18		18 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit		Industrial	PARALLEL				DDR SRAM		1.9 V	1.7 V		SRAM		15 mm	13 mm	无
GS8640Z36GT-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	表面贴装	200 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	1.7 V		SMD/SMT	Parallel	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS8640Z36GT-200V	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.35	QFP	Commercial grade				133.3@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V		1.7, 2.3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2, 2.7 V	0 to 70 °C			e3	有	3A991.B.2.B		Matte Tin (Sn)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS		230 mA, 310 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		2 M x 36		1.6 mm	36		21 Bit		72 Mbit		75497472 bit		Commercial	PARALLEL				ZBT SRAM		2 V	1.7 V				20 mm	14 mm
GS71116AU-12IT	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	48				FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous		64 kWords	16 Bit	3.6 V	表面贴装	Industrial grade						-40 to 85 °C																										1														16 Bit		1 Mbit				Industrial
GS71108AU-12I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	48	3	128000		PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	-40 °C	未说明	12 ns	85 °C	无	GS71108AU-12I	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Industrial grade					FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous		128 kWords	8 Bit	3.6 V	表面贴装	240	GSI技术	GSI技术	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	-40 to 85 °C		GS71108AGU	e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)				8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	INDUSTRIAL		1	ASYNCHRONOUS		0.07 mA						128KX8	3-STATE	1.2 mm	8		17 Bit	SRAM	1 Mbit	0.005 A	1048576 bit		Industrial	PARALLEL	COMMON			标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V		SRAM		8 mm	6 mm
GS81302QT10GE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Commercial grade							300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		10	0 to 85 °C	Tray	GS81302QT10GE				SigmaQuad-II+ B2						Memory & Data Storage													144 Mbit	2			1.25 A				Pipelined		16 M x 9					23 Bit	SRAM	144 Mbit				Commercial										SRAM
GS8642Z36B-250M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	表面贴装	BGA,	网格排列	2000000	PLASTIC/EPOXY	-55 °C		未说明	6.5 ns	125 °C	无	GS8642Z36B-250M	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.74	BGA	250 MHz	+ 125 C	3.6 V	- 55 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	Military grade				153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V		2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	-55 to 125 °C		GS8642Z36B			3A991.B.2.B					FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE, IT ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		MILITARY	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS		300 mA, 435 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		2MX36		1.99 mm	36		21 Bit		72 Mbit		75497472 bit		Military	PARALLEL				ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V				22 mm	14 mm
GS8128436B-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	119	GSI TECHNOLOGY	FBGA	2.5, 3.3 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit		表面贴装	Compliant	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	BGA,	网格排列	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	85 °C	无	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	4.82	BGA	Industrial grade				125@Flow-Through/167@Pipelined MHz	SDR	2.3, 3 V	2.7, 3.6 V		+ 85 C	Parallel	8 ns	GS8128436B-167I	GSI技术	-40 to 85 °C		GS8128436B	e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	85 °C	-40 °C	PIPELINE AND FLOW THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit	4	SYNCHRONOUS		375 mA, 430 mA	8 ns			Flow-Through/Pipelined		4 M x 36		1.99 mm	36		22 Bit		144 Mbit		150994944 bit		Industrial	PARALLEL				缓存SRAM		2.7 V	2.3 V				22 mm	14 mm	无
GS74117AX-8IT	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	48				TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	256000		PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	-40 °C	未说明	8 ns	85 °C	无	GS74117AX-8IT	262144 words	3.3 V	TFBGA		RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.23	BGA						无	3A991.B.2.B						8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	INDUSTRIAL			ASYNCHRONOUS		0.14 mA						256KX16	3-STATE	1.2 mm	16					0.02 A	4194304 bit			PARALLEL	COMMON			标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V				10 mm	6 mm