GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	长度
GS880F18CGT-7.5	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	Details	SDR					有	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst		Tray	GS880F18CGT				流过		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage													9 Mbit	2		120 mA	7.5 ns		512 k x 18				18 b	SRAM	9 Mb										SRAM			无
GS8182D36BGD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR					有	167 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8182D36BGD				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													18 Mbit			380 mA			512 k x 36					SRAM											SRAM
GS8160E18DGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8160E18DGT				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													18 Mbit			195 mA	6.5 ns		1 M x 18					SRAM											SRAM
GS882Z36CB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR					有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS882Z36CB				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													9 Mbit			155 mA, 195 mA	5.5 ns		256 k x 36					SRAM											SRAM
GS8162Z36DD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SDR	N	NBT SRAM	GSI技术	GSI技术					有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8162Z36DD				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													18 Mbit			230 mA, 250 mA	5.5 ns		512 k x 36					SRAM											SRAM
GS8182D09BGD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	2 MWords	9 Bit	表面贴装	有	167 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.5 ns	70 °C	有	GS8182D09BGD-167	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA	Commercial grade	167 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	0 to 70 °C	Tray	GS8182D09BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	315 mA		Pipelined	2 M x 9		1.4 mm	9		SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS842Z18CGB-166I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	BGA-119	YES	119	119	NBT SRAM	Details	SDR	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	-40 °C	未说明	7 ns	85 °C	有	GS842Z18CGB-166I	166 MHz	262144 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	有	166 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS842Z18CGB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	4 Mbit		SYNCHRONOUS	145 mA, 160 mA	7 ns		256 k x 18	3-STATE	1.99 mm	18		SRAM		0.045 A	4718592 bit		PARALLEL	COMMON	ZBT SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS882Z36CB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	Compliant	BGA,	网格排列	256000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS882Z36CB-200I	262144 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.14	BGA	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR		Tray	GS882Z36CB	e0	无	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)	85 °C	-40 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		INDUSTRIAL	9 Mbit	4	SYNCHRONOUS	160 mA, 190 mA	6.5 ns		256 k x 36		1.77 mm	36	18 b	SRAM	9 Mb		9437184 bit		PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm	无
GS816236DB-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	119	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	无	GS816236DB-200	524288 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR		Tray	GS816236DB			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		85 °C	0 °C	ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119			COMMERCIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	210 mA	6.5 ns		512 k x 36		1.99 mm	36	19 b	SRAM	18 Mb		18874368 bit		PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm	无
GS8672T38BE-633	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR-II					有	633 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8672T38BE				SigmaDDR-II+ B2		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	1		2.05 A			2 M x 36				20 b	SRAM	72 Mb		72								SRAM			无
GS88037CGT-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	2.2 ns	70 °C	有	GS88037CGT-300	300 MHz	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.61	QFP	Commercial grade	300 MHz	0 to 70 °C	Tray	GS88037CGT	e3	有	3A991.B.2.B	Pipeline	纯哑光锡			PIPELINED ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	9 Mbit	1	SYNCHRONOUS	225 mA		Pipelined	256 k x 36	3-STATE	1.6 mm	36	18 Bit	SRAM	9 Mbit	0.025 A	9437184 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS840Z18CGT-100I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR					有	100 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS840Z18CGT				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													4 Mbit			130 mA, 130 mA	12 ns		256 k x 18					SRAM											SRAM
GS8161E32DGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR					有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8161E32DGT				DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													18 Mbit			230 mA, 230 mA	6.5 ns		512 k x 32					SRAM											SRAM
GS841Z36CGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR					有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS841Z36CGT				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													4 Mbit			140 mA, 170 mA	6.5 ns		128 k x 36					SRAM											SRAM
GS8182D37BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR					有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		Tray	GS8182D37BD				SigmaQuad II+						Memory & Data Storage													18 Mbit			535 mA			512 k x 36					SRAM											SRAM
GS8672D20BGE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel					400 MHz			GS8672D20BGE																							72 Mbit			1.38 A			4 M x 18								72
GS8672Q18BE-300M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	有	300 MHz	+ 125 C	- 55 C	15	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II						Tray	GS8672Q18BE				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage													72 Mbit						4 M x 18					SRAM			72								SRAM
GS8672Q36BGE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II					Compliant	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8672Q36BGE				SigmaQuad-II		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	2		1.88 A			2 M x 36				20 b	SRAM	72 Mb		72								SRAM			无
GS8672T36BGE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				Compliant	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel										85 °C	-40 °C					1.8 V											72 Mbit	1		1.45 A			2 M x 36				21 b		72 Mb		72											无
GS882Z36CGB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	42	2.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS882Z36CGB				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													9 Mbit	4		150 mA, 160 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 36				18 Bit	SRAM	9 Mbit			Industrial							SRAM
GS842Z18CGB-100	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	BGA-119	YES	119	119	100 MHz	有	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	12 ns	70 °C	有	GS842Z18CGB-100	100 MHz	262144 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	SDR	Details	NBT SRAM	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	2.3 V	84	0 C	3.6 V	+ 70 C		Tray	GS842Z18CGB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	4 Mbit		SYNCHRONOUS	110 mA, 110 mA	12 ns		256 k x 18	3-STATE	1.99 mm	18		SRAM		0.025 A	4718592 bit		PARALLEL	COMMON	ZBT SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS881Z18CGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS881Z18CGT-200	524288 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.51	QFP	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details		Tray	GS881Z18CGT	e3	有	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Matte Tin (Sn)	70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL	9 Mbit	1	SYNCHRONOUS	130 mA, 155 mA	6.5 ns		512 k x 18		1.6 mm	18	18 b	SRAM	9 Mb		9437184 bit		PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	20 mm	14 mm	无
GS8182D08BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8182D08BD-250	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE		Tray	GS8182D08BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Lead (Sn/Pb)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS	420 mA			2 M x 8		1.4 mm	8		SRAM			16777216 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8672Q38BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	0.45 ns	85 °C	无	GS8672Q38BE-400I	400 MHz	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.92	BGA	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II		Tray	GS8672Q38BE			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5,1.8 V	INDUSTRIAL	72 Mbit		SYNCHRONOUS	1.88 A			2 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36		SRAM			72		PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS88236CB-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	BGA,	网格排列	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	无	GS88236CB-200	262144 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.13	BGA	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR		Tray	GS88236CB	e0	无	3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)			PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL	9 Mbit		SYNCHRONOUS	140 mA, 170 mA	6.5 ns		256 k x 36		1.77 mm	36		SRAM			9437184 bit		PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm