GSI Technology GS8161Z32DD-200
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GS8161Z32DD-200
2984-GS8161Z32DD-200
存储器
BGA-165
大陆
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ZBT SRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, FPBGA-165
1最小包装量--
GS8161Z32DD-200详情
GSI Technology GS8161Z32DD-200重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
BGA-165
表面安装
YES
引脚数
165
终端数量
165
RoHS
Compliant
Maximum Clock Frequency
200 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Package Description
LBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
6.5 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
GS8161Z32DD-200
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
GSI技术
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.3
Part Package Code
BGA
包装
Bulk
系列
GS8161Z32DD
ECCN 代码
3A991.B.2.B
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
附加功能
FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
温度等级
COMMERCIAL
内存大小
18 Mbit
端口的数量
4
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
210 mA
访问时间
6.5 ns
组织结构
512 k x 32
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
32
地址总线宽度
19 b
密度
18 Mb
记忆密度
16777216 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
ZBT SRAM
电压 - 供电 (最大值)
2.7 V
电压 - 供电 (最小值)
2.3 V
宽度
13 mm
长度
15 mm
辐射硬化
无
GS8161Z32DD-200拓展信息
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