GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量																厂商																																			操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	数据总线宽度	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	最高频率	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）
GS84032CGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade						150 MHz	TQFP	3.3000 V	3.135 V	Synchronous	128 kWords	32 Bit	3.63 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0.686034 oz	0 C		72	2.3 V	SMD/SMT	0 to 85 °C	Tray	GS84032CGT				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													4 Mbit	4			130 mA, 140 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		128 k x 32					17 Bit	SRAM	4 Mbit				Commercial								SRAM
GS8672Q20BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	Compliant								有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8672Q20BE				SigmaQuad-II+ B2		100 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	2			1.38 A						4 M x 18					21 b	SRAM	72 Mb		72										SRAM				无
GS8672Q38BGE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel							Compliant		400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C		Bulk							100 °C	-40 °C					1.8 V											72 Mbit	2			1.88 A						2 M x 36					20 b		72 Mb		72														无
GS882Z18CB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	512 kWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	无	GS882Z18CB-150	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.74	BGA	Commercial grade			133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	0 to 70 °C	Tray	GS882Z18CB	e0	无	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)	70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL	9 Mbit	2	SYNCHRONOUS		120 mA, 130 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		512 k x 18		1.77 mm	18		18 Bit	SRAM	9 Mbit		9437184 bit		Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V		SRAM		22 mm	14 mm	无
GS8672Q37BGE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II								Compliant	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V		Tray	GS8672Q37BGE				SigmaQuad-II+		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage		1.8 V											72 Mbit	2			2.07 A						2 M x 36					20 b	SRAM	72 Mb		72										SRAM				无
GS8182S09BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8182S09BD-250	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA			Compliant	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	DDR	LBGA,			Tray	GS8182S09BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaSIO DDR-II	Tin/Lead (Sn/Pb)	70 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS		420 mA						2 M x 9		1.4 mm	9		20 b	SRAM	18 Mb		18874368 bit			PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V		SRAM		15 mm	13 mm	无
GS816236BD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165	Compliant	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	无	GS816236BD-150I	524288 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR		GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.66	BGA								e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	85 °C	-40 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL		4	SYNCHRONOUS								512KX36		1.4 mm	36		19 b		18 Mb		18874368 bit			PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V				15 mm	13 mm	无
GS8342S36BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO-II	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8342S36BGD-250	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.74	BGA	Commercial grade			250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342S36BGD			3A991.B.2.B	SigmaSIO DDR-II				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS		675 mA	450 ps			Pipelined		1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36		19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.185 A	37748736 bit		Commercial	PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V		SRAM		15 mm	13 mm
GS72116AGP-8	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	44	44	PLASTIC/EPOXY	未说明	8 ns	70 °C	有	GS72116AGP-8	131072 words	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	GSI技术		Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.69	TSOP2				0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3	128000					有	3A991.B.2.B		Pure Matte Tin (Sn)				8542.32.00.41		CMOS		DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant	R-PDSO-G44	不合格		COMMERCIAL			ASYNCHRONOUS								128KX16		1.2 mm	16						2097152 bit			PARALLEL		标准SRAM		3.6 V	3 V				18.41 mm	10.16 mm
GS4288C36GL-25I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	uBGA-144	YES	144	144	GSI技术		GSI技术	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	GS4288C36GL-25I	8388608 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.1	BGA	Industrial grade				400 MHz	UBGA	36 Bit	表面贴装	Compliant	有	533 MHz	+ 95 C	1.9 V	0.423288 oz	- 40 C	36	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 95 °C	Tray	GS4288C36GL			3A991.B.2.B	LLDRAM		95 °C	-40 °C	自动刷新	8542.32.00.28	Memory & Data Storage	CMOS	3.3 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				288 Mbit	1	SYNCHRONOUS		465 mA					36 Bit	8 M x 36		1.2 mm	36		22 Bit	DRAM	288 Mbit		301989888 bit	400 MHz	Industrial			DDR DRAM		1.9 V	1.7 V	多库页面突发	DRAM			11 mm	无
GS71116AGU-10I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	BGA-48	YES	48	48	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.16	BGA			+ 85 C	3.6 V	- 40 C	3 V	SMD/SMT	Parallel	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	64000	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	-40 °C	未说明	10 ns		85 °C	有	GS71116AGU-10I	65536 words				e1	有	3A991.B.2.B		锡银铜				8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	INDUSTRIAL	1 Mbit		ASYNCHRONOUS		105 mA	10 ns					64 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16					0.005 A	1048576 bit			PARALLEL	COMMON	标准SRAM	2 V	3.6 V	3 V				8 mm	6 mm
GS880Z36CGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS880Z36CGT-200I	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.27	QFP	Industrial grade			153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS880Z36CGT	e3	有	3A991.B.2.B	NBT	Matte Tin (Sn)	85 °C	-40 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		INDUSTRIAL	9 Mbit	1	SYNCHRONOUS		160 mA, 190 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		256 k x 36		1.6 mm	36		18 Bit	SRAM	9 Mbit		9437184 bit		Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V		SRAM		20 mm	14 mm	无
GS4288C18GL-25I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	uBGA-144	YES	144	144	BGA	5.62	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	TBGA	1.8 V	16777216 words	GS4288C18GL-25I				Compliant	有	533 MHz	+ 95 C	1.9 V	0.423288 oz	- 40 C	GSI技术	GSI技术	SMD/SMT	1.7 V	18	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	16000000		PLASTIC/EPOXY	未说明	有		Tray				3A991.B.2.B	LLDRAM II		95 °C	-40 °C	自动刷新	8542.32.00.28	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				288 Mbit	1	SYNCHRONOUS		465 mA					18 b	16 M x 18		1.2 mm	18		23 b	DRAM	288 Mb		301989888 bit	400 MHz				DDR DRAM		1.9 V	1.7 V	多库页面突发	DRAM			11 mm	无
GS71116AU-12I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	BGA-48	YES	48	48	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3		64000	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	-40 °C	未说明	12 ns	85 °C	无	GS71116AU-12I	65536 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.17	BGA	Industrial grade			3.3000 V	3 V	Asynchronous	16 Bit	3.6 V	Compliant	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	3 V	SMD/SMT	Parallel	TFBGA, BGA48,6X8,30	-40 to 85 °C		GS71116AU		无	3A991.B.2.B			85 °C	-40 °C		8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	3.3 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	INDUSTRIAL	1 Mbit	1	ASYNCHRONOUS		90 mA	12					64 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16		16 b		1 Mb	0.005 A	1		Industrial	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	2 V	3.6 V	3 V				8 mm	6 mm	无
GS74117AX-12	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	BGA-119	YES	48	48	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		GSI技术	SDR	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	未说明	12 ns	70 °C	无	GS74117AX-12	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.23	BGA	Commercial grade			FBGA	3.3000 V	Asynchronous	256 kWords	16 Bit	表面贴装	Compliant	+ 70 C	3.6 V	0 C	135	0 to 70 °C		GS74117AX		无	3A991.B.2.B	Asynchronous		70 °C	0 °C		8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	3.3 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	COMMERCIAL	4 Mbit	1	ASYNCHRONOUS		90 mA	12 ns					256 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16		18 Bit	SRAM	4 Mbit	0.01 A	4194304 bit		Commercial	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V		SRAM		10 mm	6 mm	无
GS8128436GB-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	119-BGA	119	119-FPBGA (22x14)	GSI Technology Inc.	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Tray	GS8128436	活跃	Volatile	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				FBGA	-40 to 85 °C		-											SRAM - Synchronous, Standard	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V											144Mbit	4		250 MHz	415 mA, 535 mA	6.5 ns	SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined		4 M x 36				-			144 Mbit				Industrial									4M x 36
GS78132AB-10	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	25 Weeks, 5 Days	BGA-119	YES	119	119	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	10 ns	70 °C	无	GS78132AB-10	3.3 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.85	BGA	Commercial grade			FBGA	3.3000 V	Asynchronous	256 kWords	32 Bit	表面贴装	+ 70 C	3.6 V	0 C	3 V	SMD/SMT	Parallel	BGA,	网格排列	3		0 to 70 °C			e0	无	3A991.B.2.B		锡铅			THIS PACKAGE IS ALSO AVAILABLE IN 2.19 MM SEATED HEIGHT.	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL	8 Mbit	4	ASYNCHRONOUS		210 mA	10 ns					256 k x 32		1.99 mm	32		18 Bit		8 Mbit		8388608 bit		Commercial	PARALLEL		标准SRAM		3.6 V	3 V				22 mm	14 mm
GS864032GT-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade						125@Flow-Through/167@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Compliant	有	167 MHz	+ 85 C	3.6 V		- 40 C	18	2.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS864032GT				Pipeline/Flow Through		85 °C	-40 °C			Memory & Data Storage													72 Mbit	4			240 mA, 290 mA	8 ns			Flow-Through/Pipelined		2 M x 32					21 Bit	SRAM	64 Mbit				Industrial								SRAM				无
GS74116AX-10I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	48	-40 °C	未说明	10 ns	85 °C	无	GS74116AX-10I	Industrial grade	BGA	1.7	GSI TECHNOLOGY	活跃	GSI技术	RECTANGULAR	TFBGA	3.3 V				FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	256 kWords	16 Bit	3.6 V	表面贴装	Compliant	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30		-40 to 85 °C				无	3A991.B.2.B			85 °C	-40 °C		8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	3.3 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	INDUSTRIAL		1	ASYNCHRONOUS		0.115 mA						256KX16	3-STATE	1.2 mm	16		18 Bit		4 Mbit	0.02 A	4194304 bit		Industrial	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V				10 mm	6 mm	无
GS8320Z36AGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS8320Z36AGT-200	200 MHz	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.71	QFP	Commercial grade			153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	0 to 85 °C	Tray	GS8320Z36AGT			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE		Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3 V	OTHER	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS		205 mA, 240 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 36	3-STATE	1.6 mm	36		20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.03 A	37748736 bit		Commercial	PARALLEL	COMMON	ZBT SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V		SRAM		20 mm	14 mm
GS8322Z36E-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165	Compliant	15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	无	GS8322Z36E-250	1048576 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR		GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.6	BGA									无	3A991.B.2.B			70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL		4	SYNCHRONOUS								1MX36		1.4 mm	36		20 b		36 Mb		37748736 bit			PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V				17 mm	15 mm	无
GS81284Z18GB-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	119	Synchronous	8 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		10	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	BGA,	网格排列	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS81284Z18GB-200V	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.73	BGA	Commercial grade			200 MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS81284Z18GB	e1	有	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			PIPELINE AND FLOW THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 2.7V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS		325 mA, 400 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		8 M x 18		1.99 mm	18			SRAM	144 Mbit		150994944 bit		Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		2 V	1.7 V		SRAM		22 mm	14 mm
GS74116AGX-10I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	BGA-48	YES	48	48	3.6 V	表面贴装	有	+ 85 C	3.6 V	0.005810 oz	- 40 C	135	3 V		SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	Details	SDR	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	-40 °C	未说明	10 ns	85 °C	有	GS74116AGX-10I	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.54	BGA	Industrial grade			FBGA	3.3000 V	3 V	Asynchronous	256 kWords	16 Bit	-40 to 85 °C		GS74116AGX	e1	有	3A991.B.2.B	Asynchronous	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)	85 °C	-40 °C		8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	3.3 V	BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	INDUSTRIAL	4 Mbit	1	ASYNCHRONOUS		115 mA	10 ns					256 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16		18 Bit	SRAM	4 Mbit	0.02 A	4194304 bit		Industrial	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V		SRAM		10 mm	6 mm	无
GS881Z36CGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	100	100		FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS881Z36CGD-200	262144 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	QFP			Compliant	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	LQFP,		Tray	GS881Z36CGD	e1	有	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL	9 Mbit	1	SYNCHRONOUS		140 mA, 170 mA	6.5 ns					256 k x 36		1.6 mm	36		18 b	SRAM	9 Mb		9437184 bit			PARALLEL		ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V		SRAM		20 mm	14 mm	无
GS882Z18CGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165						200 MHz	+ 70 C		3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel				GS882Z18CGD																							9 Mbit				130 mA, 155 mA	6.5 ns					512 k x 18