GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																												操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	建筑学	数据总线宽度	组织结构	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	记忆密度	最高频率	筛选水平	并行/串行	内存IC类型	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	访问模式	产品类别	长度	宽度	辐射硬化
GS71108AU-10I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1						240	GSI技术	GSI技术			GS71108AGU										Memory & Data Storage																							SRAM										SRAM
GS4288C09GL-33I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	未说明	有	GS4288C09GL-33I	33554432 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.63	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	32000000	PLASTIC/EPOXY						3A991.B.2.B			95 °C	-40 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				9 b	32MX9	1.2 mm	9	24 b		288 Mb	301989888 bit	300 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS4288C09L-24I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	144			Compliant											95 °C	-40 °C					1.8 V																9 b				24 b		288 Mb		400 MHz										无
GS81302DT38GE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS81302DT38GE-400I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.06	BGA	Industrial grade	-40 to 100 °C	Bulk	GS81302DT38GE	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	100 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	INDUSTRIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	1.41 A	Pipelined		4 M x 36	1.5 mm	36	20 Bit	SRAM	144 Mbit	150994944 bit		Industrial	PARALLEL	QDR SRAM	1.9 V	1.7 V		SRAM	17 mm	15 mm	无
GS4288C09GL-18	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	144			Compliant											95 °C	0 °C					1.8 V																9 b				24 b		288 Mb		533 MHz										无
GS4288C18GL-25	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	YES	144	144	GS4288C18GL-25	16777216 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.58	BGA		Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	16000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	有						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				18 b	16MX18	1.2 mm	18	23 b		288 Mb	288	400 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS4288C18GL-18I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	未说明	有	GS4288C18GL-18I	16777216 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.62	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	16000000	PLASTIC/EPOXY						3A991.B.2.B			95 °C	-40 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				18 b	16MX18	1.2 mm	18	23 b		288 Mb	301989888 bit	533 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS4288C09L-33I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	未说明	无	GS4288C09L-33I	33554432 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.7	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	32000000	PLASTIC/EPOXY						3A991.B.2.B			95 °C	-40 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				9 b	32MX9	1.2 mm	9	24 b		288 Mb	301989888 bit	300 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS4288C09L-25	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	未说明	无	GS4288C09L-25	33554432 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.7	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	32000000	PLASTIC/EPOXY						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				9 b	32MX9	1.2 mm	9	24 b		288 Mb	301989888 bit	400 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS4288C09L-33	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	144			Compliant											95 °C	0 °C					1.8 V																9 b				24 b		288 Mb		300 MHz										无
GS4288C09GL-24	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	未说明	有	GS4288C09GL-24	33554432 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.63	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	32000000	PLASTIC/EPOXY						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				9 b	32MX9	1.2 mm	9	24 b		288 Mb	301989888 bit	400 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS4288C18L-25	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	144			Compliant											95 °C	0 °C					1.8 V																18 b				23 b		288 Mb		400 MHz										无
GS4288C18L-33	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	未说明	无	GS4288C18L-33	16777216 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.68	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	16000000	PLASTIC/EPOXY						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				18 b	16MX18	1.2 mm	18	23 b		288 Mb	301989888 bit	300 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS4288C18L-18	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	未说明	无	GS4288C18L-18	16777216 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.68	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	16000000	PLASTIC/EPOXY						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				18 b	16MX18	1.2 mm	18	23 b		288 Mb	288	533 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS81302QT19GE-318I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Industrial grade				318 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	318 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	-40 to 100 °C	Tray	GS81302QT19GE				SigmaQuad-II+ B2						Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.275 A		Pipelined		8 M x 18			22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial						SRAM
GS8128436B-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade				133.3@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	10	-40 to 85 °C	Tray	GS8128436B				SCD/DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage												144 Mbit	4		385 mA, 475 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined		4 M x 36			22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial						SRAM
GS81302DT06E-500	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165				FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	500 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT06E				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage												144 Mbit			1.26 A	0.45			16 M x 8				SRAM		144								SRAM
GS81302DT20GE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Industrial grade				450 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	-40 to 100 °C	Tray	GS81302DT20GE				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.27 A		Pipelined		8 M x 18			21 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial						SRAM
GS81302T36GE-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	Details	DDR-II	Industrial grade				250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T36GE				SigmaDDR-II B2						Memory & Data Storage												144 Mbit	2		680 mA		Pipelined		4 M x 36			22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial						SRAM
GS81302T36E-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	YES	165	165	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS81302T36E-250	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.33	BGA	Commercial grade		250 MHz	0 to 85 °C	Tray	GS81302T36E		无	3A991.B.2.B	SigmaDDR-II B2				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	670 mA		Pipelined	4 M x 36	1.5 mm	36	22 Bit	SRAM	144 Mbit	150994944 bit		Commercial	PARALLEL	DDR SRAM	1.9 V	1.7 V		SRAM	17 mm	15 mm
GS81302T18GE-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	Details	DDR-II	Commercial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 85 °C	Tray	GS81302T18GE				SigmaDDR-II B2						Memory & Data Storage												144 Mbit	2		845 mA		Pipelined		8 M x 18			23 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial						SRAM
GS81302R08E-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR-II	Commercial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 85 °C	Tray	GS81302R08E				SigmaDDR-II B4						Memory & Data Storage												144 Mbit	2		845 mA		Pipelined		16 M x 8			22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial						SRAM
GS81302QT07GE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Industrial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	-40 to 100 °C	Tray	GS81302QT07GE				SigmaQuad-II+ B2						Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.26 A		Pipelined		16 M x 8			23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial						SRAM
GS81302QT19E-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				250 MHz	-40 to 100 °C		GS81302QT19E																						144 Mbit	2		1.07 A		Pipelined		8 M x 18			22 Bit		144 Mbit			Industrial
GS81302R36E-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR-II	Commercial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 85 °C	Tray	GS81302R36E				SigmaDDR-II B4						Memory & Data Storage												144 Mbit	2		940 mA		Pipelined		4 M x 36			22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial						SRAM