GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																												操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	数据总线宽度	组织结构	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	记忆密度	最高频率	筛选水平	并行/串行	内存IC类型	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	访问模式	产品类别	长度	宽度	辐射硬化
GS81302QT37E-318	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Commercial grade				318 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	318 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 85 °C	Tray	GS81302QT37E				SigmaQuad-II+ B2		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										144 Mbit	2		1.44 A		Pipelined		4 M x 36			21 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial						SRAM			无
GS81302T36GE-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	YES	165	165	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS81302T36GE-333I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	不推荐	GSI TECHNOLOGY	8.03	BGA	Industrial grade		333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	-40 to 100 °C			e1	有	3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	INDUSTRIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	860 mA		Pipelined		4 M x 36	1.5 mm	36	22 Bit		144 Mbit	150994944 bit		Industrial	PARALLEL	DDR SRAM	1.9 V	1.7 V			17 mm	15 mm
GS81302DT38E-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	QDR-II	N	SigmaQuad-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	10	0 C	1.9 V	+ 70 C	450 MHz	有	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS81302DT38E-450	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.06	BGA	Commercial grade	450 MHz	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT38E		无	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+		85 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	1.53 A		Pipelined		4 M x 36	1.5 mm	36	20 Bit	SRAM	144 Mbit	150994944 bit		Commercial	PARALLEL	QDR SRAM	1.9 V	1.7 V		SRAM	17 mm	15 mm	无
GS4288C36L-25	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	未说明	无	GS4288C36L-25	8388608 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.1	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				36 b	8MX36	1.2 mm	36	22 b		288 Mb	301989888 bit	400 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS81302D36GE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	BGA	5.33	GSI TECHNOLOGY	不推荐	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	GS81302D36GE-300	有	Commercial grade	300 MHz	0 to 85 °C	Tray	GS81302D36GE	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	915 mA		Pipelined		4 M x 36	1.5 mm	36	20 Bit	SRAM	144 Mbit	150994944 bit		Commercial	PARALLEL	DDR SRAM	1.9 V	1.7 V		SRAM	17 mm	15 mm	无
GS81302QT19GE-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165	200 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS81302QT19GE-200I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.06	BGA	Industrial grade	-40 to 100 °C	Tray	GS81302QT19GE	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	100 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	INDUSTRIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	885 mA		Pipelined		8 M x 18	1.5 mm	18	22 Bit	SRAM	144 Mbit	150994944 bit		Industrial	PARALLEL	QDR SRAM	1.9 V	1.7 V		SRAM	17 mm	15 mm	无
GS4288C18L-33	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	未说明	无	GS4288C18L-33	16777216 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.68	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	16000000	PLASTIC/EPOXY						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				18 b	16MX18	1.2 mm	18	23 b		288 Mb	301989888 bit	300 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS4288C18GL-25	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	YES	144	144	GS4288C18GL-25	16777216 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.58	BGA		Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	16000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	有						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				18 b	16MX18	1.2 mm	18	23 b		288 Mb	288	400 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS81302R08GE-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II	Commercial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 to 85 °C	Bulk	GS81302R08GE				SigmaDDR-II B4		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V										144 Mbit	2		800 mA		Pipelined		16 M x 8			22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial						SRAM			无
GS4288C36L-24	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	未说明	无	GS4288C36L-24	8388608 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.1	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				36 b	8MX36	1.2 mm	36	22 b		288 Mb	301989888 bit	400 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS4288C18L-18	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	未说明	无	GS4288C18L-18	16777216 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.68	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	16000000	PLASTIC/EPOXY						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				18 b	16MX18	1.2 mm	18	23 b		288 Mb	288	533 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS4288C18GL-18I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	未说明	有	GS4288C18GL-18I	16777216 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.62	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	16000000	PLASTIC/EPOXY						3A991.B.2.B			95 °C	-40 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				1	SYNCHRONOUS				18 b	16MX18	1.2 mm	18	23 b		288 Mb	301989888 bit	533 MHz			DDR DRAM	1.9 V	1.7 V	多库页面突发			11 mm	无
GS4288C18L-25	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	144			Compliant											95 °C	0 °C					1.8 V																18 b				23 b		288 Mb		400 MHz										无
GS81302T18GE-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	Details	DDR-II	Commercial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 85 °C	Tray	GS81302T18GE				SigmaDDR-II B2						Memory & Data Storage												144 Mbit	2		845 mA		Pipelined		8 M x 18			23 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial						SRAM
GS81302QT07GE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Industrial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	-40 to 100 °C	Tray	GS81302QT07GE				SigmaQuad-II+ B2						Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.26 A		Pipelined		16 M x 8			23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial						SRAM
GS81302T08E-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165		1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II	Industrial grade			-40 to 100 °C	Tray	GS81302T08E				SigmaDDR-II B2						Memory & Data Storage												144 Mbit			765 mA	0.45			16 M x 8				SRAM		144		Industrial						SRAM
GS81302R36E-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR-II	Commercial grade				375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 85 °C	Tray	GS81302R36E				SigmaDDR-II B4						Memory & Data Storage												144 Mbit	2		940 mA		Pipelined		4 M x 36			22 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial						SRAM
GS72116AGU-8I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	48	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	8 ns	85 °C	有	GS72116AGU-8I	131072 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA		TFBGA,				e1	有	3A991.B.2.B		锡银铜				8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	INDUSTRIAL			ASYNCHRONOUS					128KX16	1.2 mm	16				2097152 bit			PARALLEL	标准SRAM	3.6 V	3 V			8 mm	6 mm
GS81302QT19E-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				250 MHz	-40 to 100 °C		GS81302QT19E																						144 Mbit	2		1.07 A		Pipelined		8 M x 18			22 Bit		144 Mbit			Industrial
GS81302T36E-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	YES	165	165	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS81302T36E-250	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.33	BGA	Commercial grade		250 MHz	0 to 85 °C	Tray	GS81302T36E		无	3A991.B.2.B	SigmaDDR-II B2				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	COMMERCIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	670 mA		Pipelined		4 M x 36	1.5 mm	36	22 Bit	SRAM	144 Mbit	150994944 bit		Commercial	PARALLEL	DDR SRAM	1.9 V	1.7 V		SRAM	17 mm	15 mm
GS8128418GB-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	YES	119	119	133.3@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	10	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	BGA,	网格排列	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS8128418GB-200	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA	Commercial grade		0 to 70 °C	Tray	GS8128418GB	e1	有	3A991.B.2.B	SCD/DCD Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			PIPELINE AND FLOW THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	COMMERCIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	325 mA, 400 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined		8 M x 18	1.99 mm	18	23 Bit	SRAM	144 Mbit	150994944 bit		Commercial	PARALLEL	缓存SRAM	2.7 V	2.3 V		SRAM	22 mm	14 mm
GS8128418GB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	0 C	10	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Commercial grade				153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Compliant	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 to 70 °C	Tray	GS8128418GB				SCD/DCD Pipeline/Flow Through		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage												144 Mbit	2		355 mA, 455 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined		8 M x 18			23 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial						SRAM			无
GS8128418B-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	YES	119	119	Synchronous	2.3, 3 V	2.5, 3.3 V	SDR	FBGA	Compliant	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	BGA,	网格排列	8000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS8128418B-250I	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Industrial grade		153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	表面贴装	2.7, 3.6 V	18 Bit	8 MWords	-40 to 85 °C			e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	85 °C	-40 °C	PIPELINE AND FLOW THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	INDUSTRIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	390 mA, 490 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined		8 M x 18	1.99 mm	18	23 Bit		144 Mbit	150994944 bit		Industrial	PARALLEL	缓存SRAM	2.7 V	2.3 V			22 mm	14 mm	无
GS81302T18GE-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165		250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade			-40 to 100 °C		GS81302T18GE						100 °C	-40 °C					1.8 V										144 Mbit	2		605 mA		Pipelined		8 M x 18			23 Bit		144 Mbit			Industrial									无
GS81302DT20E-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Commercial grade				350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT20E				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.055 A		Pipelined		8 M x 18			21 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial						SRAM