GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																													操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	数据总线宽度	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	最高频率	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	访问模式	产品类别	长度	宽度
GS81302DT06E-500	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165					FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	500 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT06E				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage								165								144 Mbit			1.26 A	0.45			16 M x 8					SRAM			144								SRAM
GS4288C09L-24I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	144		Compliant												95 °C	-40 °C														1.8 V											9 b					24 b		288 Mb			400 MHz										无
GS4288C18L-33	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	无	GS4288C18L-33	16777216 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.68	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	16000000	PLASTIC/EPOXY	未说明						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	144	R-PBGA-B144		1.8 V	1.9 V			1.7 V		1	SYNCHRONOUS				18 b	16MX18		1.2 mm	18	23 b		288 Mb		301989888 bit	300 MHz				DDR DRAM		多库页面突发			11 mm	无
GS4288C18L-25	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	144		Compliant												95 °C	0 °C														1.8 V											18 b					23 b		288 Mb			400 MHz										无
GS4288C09L-33I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	无	GS4288C09L-33I	33554432 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.7	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	32000000	PLASTIC/EPOXY	未说明						3A991.B.2.B			95 °C	-40 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	144	R-PBGA-B144		1.8 V	1.9 V			1.7 V		1	SYNCHRONOUS				9 b	32MX9		1.2 mm	9	24 b		288 Mb		301989888 bit	300 MHz				DDR DRAM		多库页面突发			11 mm	无
GS4288C18GL-25	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	YES	144	144	16777216 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.58	BGA		Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	16000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	GS4288C18GL-25						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	144	R-PBGA-B144		1.8 V	1.9 V			1.7 V		1	SYNCHRONOUS				18 b	16MX18		1.2 mm	18	23 b		288 Mb		288	400 MHz				DDR DRAM		多库页面突发			11 mm	无
GS4288C09L-33	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	144		Compliant												95 °C	0 °C														1.8 V											9 b					24 b		288 Mb			300 MHz										无
GS4288C09L-25	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	无	GS4288C09L-25	33554432 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.7	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	32000000	PLASTIC/EPOXY	未说明						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	144	R-PBGA-B144		1.8 V	1.9 V			1.7 V		1	SYNCHRONOUS				9 b	32MX9		1.2 mm	9	24 b		288 Mb		301989888 bit	400 MHz				DDR DRAM		多库页面突发			11 mm	无
GS4288C18L-18	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	无	GS4288C18L-18	16777216 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.68	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	16000000	PLASTIC/EPOXY	未说明						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	144	R-PBGA-B144		1.8 V	1.9 V			1.7 V		1	SYNCHRONOUS				18 b	16MX18		1.2 mm	18	23 b		288 Mb		288	533 MHz				DDR DRAM		多库页面突发			11 mm	无
GS4288C18GL-18I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	有	GS4288C18GL-18I	16777216 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.62	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	16000000	PLASTIC/EPOXY	未说明						3A991.B.2.B			95 °C	-40 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	144	R-PBGA-B144		1.8 V	1.9 V			1.7 V		1	SYNCHRONOUS				18 b	16MX18		1.2 mm	18	23 b		288 Mb		301989888 bit	533 MHz				DDR DRAM		多库页面突发			11 mm	无
GS4288C09GL-33I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	有	GS4288C09GL-33I	33554432 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.63	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	32000000	PLASTIC/EPOXY	未说明						3A991.B.2.B			95 °C	-40 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	144	R-PBGA-B144		1.8 V	1.9 V			1.7 V		1	SYNCHRONOUS				9 b	32MX9		1.2 mm	9	24 b		288 Mb		301989888 bit	300 MHz				DDR DRAM		多库页面突发			11 mm	无
GS81302DT38GE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS81302DT38GE-400I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.06	BGA	Industrial grade		-40 to 100 °C	Bulk	GS81302DT38GE	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	100 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.8 V	1.9 V		INDUSTRIAL	1.7 V	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	1.41 A		Pipelined		4 M x 36		1.5 mm	36	20 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit		Industrial	PARALLEL		QDR SRAM			SRAM	17 mm	15 mm	无
GS8128418B-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-119	YES	119	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Compliant	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	10	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	BGA,	网格排列	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	无	GS8128418B-250	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Commercial grade		153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	0 to 70 °C	Tray	GS8128418B	e0	无	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)	70 °C	0 °C	PIPELINE AND FLOW THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格		2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	355 mA, 455 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined		8 M x 18		1.99 mm	18	23 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit		Commercial	PARALLEL		缓存SRAM			SRAM	22 mm	14 mm	无
GS4288C36L-25	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	无	GS4288C36L-25	8388608 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.1	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	144	R-PBGA-B144		1.8 V	1.9 V			1.7 V		1	SYNCHRONOUS				36 b	8MX36		1.2 mm	36	22 b		288 Mb		301989888 bit	400 MHz				DDR DRAM		多库页面突发			11 mm	无
GS4288C36L-24	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	无	GS4288C36L-24	8388608 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.1	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	144	R-PBGA-B144		1.8 V	1.9 V			1.7 V		1	SYNCHRONOUS				36 b	8MX36		1.2 mm	36	22 b		288 Mb		301989888 bit	400 MHz				DDR DRAM		多库页面突发			11 mm	无
GS81302R08GE-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II	Commercial grade					350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	表面贴装	1.9 V	8 Bit	16 MWords	Compliant	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 to 85 °C	Bulk	GS81302R08GE				SigmaDDR-II B4		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage								165			1.8 V					144 Mbit	2		800 mA		Pipelined		16 M x 8				22 Bit	SRAM	144 Mbit				Commercial						SRAM			无
GS4288C36L-33	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	BGA	Commercial grade			300 MHz	UBGA	36 Bit	表面贴装	Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	无	GS4288C36L-33	8388608 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.1	0 to 95 °C					3A991.B.2.B	LLDRAM		95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	144	R-PBGA-B144		3.3 V	1.9 V			1.7 V		1	SYNCHRONOUS				36 Bit	8MX36		1.2 mm	36	22 Bit		288 Mbit		301989888 bit	300 MHz	Commercial			DDR DRAM		多库页面突发			11 mm	无
GS4288C09GL-18	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	144		Compliant												95 °C	0 °C														1.8 V											9 b					24 b		288 Mb			533 MHz										无
GS4288C09GL-24	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	144	144	有	GS4288C09GL-24	33554432 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.63	BGA			Compliant	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	32000000	PLASTIC/EPOXY	未说明						3A991.B.2.B			95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	144	R-PBGA-B144		1.8 V	1.9 V			1.7 V		1	SYNCHRONOUS				9 b	32MX9		1.2 mm	9	24 b		288 Mb		301989888 bit	400 MHz				DDR DRAM		多库页面突发			11 mm	无
GS81302DT38E-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS81302DT38E-450	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.06	BGA	Commercial grade		450 MHz	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT38E		无	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+		85 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.8 V	1.9 V		COMMERCIAL	1.7 V	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	1.53 A		Pipelined		4 M x 36		1.5 mm	36	20 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit		Commercial	PARALLEL		QDR SRAM			SRAM	17 mm	15 mm	无
GS81302D36GE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS81302D36GE-300	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.33	BGA	Commercial grade		300 MHz	0 to 85 °C	Tray	GS81302D36GE	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85 °C	0 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.8 V	1.9 V		COMMERCIAL	1.7 V	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	915 mA		Pipelined		4 M x 36		1.5 mm	36	20 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit		Commercial	PARALLEL		DDR SRAM			SRAM	17 mm	15 mm	无
GS8128418GB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	0 C	10	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Commercial grade					153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	Compliant	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 to 70 °C	Tray	GS8128418GB				SCD/DCD Pipeline/Flow Through		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage								119								144 Mbit	2		355 mA, 455 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined		8 M x 18				23 Bit	SRAM	144 Mbit				Commercial						SRAM			无
GS81302DT20E-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Commercial grade					350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT20E				SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage								165								144 Mbit	2		1.055 A		Pipelined		8 M x 18				21 Bit	SRAM	144 Mbit				Commercial						SRAM
GS71116AGP-7IT	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	44	有	GS71116AGP-7IT	65536 words	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.33	TSOP2	Industrial grade			3.3000 V	3 V	Asynchronous	16 Bit	3.6 V	TSOP2, TSOP44,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3	64000	PLASTIC/EPOXY	TSOP44,.46,32	-40 °C	未说明	7 ns	85 °C	-40 to 85 °C			e3	有	3A991.B.2.B		纯哑光锡				8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant	44	R-PDSO-G44	不合格		3.6 V	3.3 V	INDUSTRIAL	3 V			ASYNCHRONOUS	0.15 mA	7			64KX16	3-STATE	1.2 mm	16				0.005 A	1		Industrial	PARALLEL	COMMON	标准SRAM	3 V			18.41 mm	10.16 mm
GS81302DT11GE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Commercial grade					400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT11GE				SigmaQuad-II+		85 °C	0 °C			Memory & Data Storage								165			1.8 V					144 Mbit	2		1.055 A		Pipelined		16 M x 9				22 Bit	SRAM	144 Mbit				Commercial						SRAM			无