GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量					Current - Supply (Nom)												厂商																																			操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	同步/异步	字长	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	组织的记忆	长度	宽度
GS73024AB-8	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	119	119	网格排列	3	128000		PLASTIC/EPOXY	未说明	8 ns	70 °C	无	GS73024AB-8	131072 words	3.3 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术		Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.69	BGA					14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119				e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)				8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant		R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL			ASYNCHRONOUS							128KX24		1.99 mm	24						3145728 bit		PARALLEL				标准SRAM		3.6 V	3.135 V			22 mm	14 mm
GS8160Z36BGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	100	100				Compliant	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3		512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	有	GS8160Z36BGT-250	524288 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR		GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.69	QFP						e3	有	3A991.B.2.B		纯哑光锡	70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL		4	SYNCHRONOUS							512KX36		1.6 mm	36		19 b		18 Mb		18874368 bit		PARALLEL				ZBT SRAM		2.75 V	2.25 V			20 mm	14 mm	无
GS8161Z18BGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	100	100		ROHS COMPLIANT, TQFP-100	FLATPACK, LOW PROFILE	3	1000000		PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS8161Z18BGT-150	1048576 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术		Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.6	QFP									有	3A991.B.2.B		Pure Matte Tin (Sn)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL			SYNCHRONOUS							1MX18		1.6 mm	18						18874368 bit		PARALLEL				ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V			20 mm	14 mm
GS8320Z36GT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	YES	100	100	190 mA	Compliant	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	QFP	5.67	GSI TECHNOLOGY	Obsolete	GSI技术	RECTANGULAR	LQFP	2.5 V	1048576 words		GS8320Z36GT-200	有	70 °C	7.5 ns	未说明								e3	有	3A991.B.2.B		纯哑光锡	70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	133.3 MHz	R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL		4	SYNCHRONOUS			7.5 ns				1MX36		1.6 mm	36		20 b		36 Mb		37748736 bit		PARALLEL		Synchronous	36 b	ZBT SRAM		3.6 V	2.3 V			20 mm	14 mm	无
GS8182D36BD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.68	BGA				200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		1.7 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	无		GS8182D36BD-200	524288 words	1.8 V	LBGA				e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			流水线结构	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant		R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS		435 mA	500 ps				512 k x 36		1.4 mm	36						18874368 bit		PARALLEL				DDR SRAM		1.9 V	1.7 V			15 mm	13 mm
GS816032DGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100		2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	QFP	1.71	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	LQFP	2.5 V	GS816032DGT-150I	有	85 °C	7.5 ns	未说明	-40 °C	PLASTIC/EPOXY	512000	FLATPACK, LOW PROFILE	LQFP,	Industrial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	-40 to 100 °C	Tray	GS816032DGT			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100			INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS		200 mA, 210 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 32		1.6 mm	32		20 Bit	SRAM	18 Mbit		16777216 bit	Industrial	PARALLEL				缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM		20 mm	14 mm
GS8640Z36GT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	TQFP-100	YES	100	100-TQFP (20x14)	100	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V		2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	1.089189 oz	GSI Technology Inc.	- 40 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Tray	GS8640Z	活跃	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS8640Z36GT-250I	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.75	QFP	Industrial grade		153.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	-40 to 85 °C	Tray	GS8640Z36GT	e3	有	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	纯哑光锡			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, ZBT	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100	不合格		INDUSTRIAL	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS	250 MHz	275 mA, 380 mA	6.5 ns	SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined	2 M x 36		1.6 mm	36	-	21 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL				ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	2M x 36	20 mm	14 mm
GS71116AGP-10	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	TSOP-44	YES	44	44	3.6 V	0 C	3 V	SMD/SMT	Parallel		TSOP2, TSOP44,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3	64000	PLASTIC/EPOXY	TSOP44,.46,32	未说明	10 ns	70 °C	有	GS71116AGP-10	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.29	TSOP2	Commercial grade				TSOP-II	3.3000 V	3 V	Asynchronous		64 kWords	16 Bit	3.6 V	表面贴装	-	+ 70 C	0 to 70 °C		GS71116AGP	e3	有	3A991.B.2.B		纯哑光锡				8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant		R-PDSO-G44	不合格	3.3 V	COMMERCIAL	1 Mbit	1	ASYNCHRONOUS		100 mA	10 ns				64 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16		16 Bit		1 Mbit	0.002 A	1048576 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON			标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V			18.41 mm	10.16 mm
GS8161Z18DGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	Details	SDR		LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS8161Z18DGT-200	1048576 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.79	QFP				有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V		0.352916 oz	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM		Tray	GS8161Z18DGT			3A991.B.2.B	NBT				ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100			COMMERCIAL	18 Mbit		SYNCHRONOUS		195 mA	6.5 ns				1 M x 18		1.6 mm	18			SRAM			18874368 bit		PARALLEL				ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM		20 mm	14 mm
GS84018AGT-166	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	100	100						LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000		PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	8.5 ns	70 °C	有	GS84018AGT-166	166 MHz	262144 words	3.3 V	LQFP		RECTANGULAR	GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.64	QFP				e3	有	3A991.B.2.B		纯哑光锡			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3,3.3 V	COMMERCIAL			SYNCHRONOUS		0.31 mA					256KX18	3-STATE	1.6 mm	18					0.02 A	4718592 bit		PARALLEL	COMMON			缓存SRAM	3.14 V	3.6 V	3 V			20 mm	14 mm
GS8662QT19BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks, 1 Day	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	QDR	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Tray	GS8662Q	活跃	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8662QT19BGD-333I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.49	BGA	Industrial grade		333 MHz	FBGA	-40 to 100 °C	Tray	GS8662QT19BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.7V ~ 1.9V	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS	333 MHz	930 mA		SRAM	Parallel	Pipelined	4 M x 18		1.4 mm	18	-	21 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL				QDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	4M x 18	15 mm	13 mm
GS8662Q18BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3 Weeks	BGA-165	YES	165	165	QDR	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C		15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8662Q18BGD-250	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.17	BGA	Commercial grade				250 MHz	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS8662Q18BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS		720 mA	450 ps			Pipelined	4 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18		21 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE			QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM		15 mm	13 mm
GS8342D18AGE-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165				LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	2000000		PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342D18AGE-200I	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR		GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.69	BGA						e1	有	3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL			SYNCHRONOUS							2MX18		1.5 mm	18						37748736 bit		PARALLEL				DDR SRAM		1.95 V	1.7 V			17 mm	15 mm
GS832236GE-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8320Z18GT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8342Q18AGE-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165				BGA,	网格排列	3	2000000		PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342Q18AGE-250I	2097152 words	1.8 V	BGA	RECTANGULAR		GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.69	BGA						e1	有	3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL			SYNCHRONOUS							2MX18		1.5 mm	18						37748736 bit		PARALLEL				DDR SRAM		1.95 V	1.7 V			17 mm	15 mm
GS8342Q36AGE-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165		BGA,	网格排列	3	1000000		PLASTIC/EPOXY	未说明	0.5 ns	70 °C	有	GS8342Q36AGE-167	1048576 words	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术		Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.72	BGA								e1	有	3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL			SYNCHRONOUS							1MX36		1.5 mm	36						37748736 bit		PARALLEL				DDR SRAM		1.95 V	1.7 V			17 mm	15 mm
GS8342T36AE-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	YES	165	165	660 mA	Compliant	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8342T36AE-250I	1048576 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR		GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.3	BGA									无	3A991.B.2.B			85 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41		CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	250 MHz	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL		1	SYNCHRONOUS			450 ps				1MX36		1.5 mm	36		20 b		36 Mb		37748736 bit		PARALLEL		Synchronous	36 b	DDR SRAM		1.9 V	1.7 V			17 mm	15 mm	无
GS8640Z36GT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	9 Weeks	表面贴装	TQFP-100	YES	100	100-TQFP (20x14)	100	SDR	1.8, 2.5 V		1.7, 2.3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	GSI Technology Inc.	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Tray	GS8640Z	活跃	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	2000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS8640Z36GT-250IV	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.35	QFP	Industrial grade		153@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	-40 to 85 °C	Tray	GS8640Z36GT	e3	有	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Matte Tin (Sn)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Synchronous, ZBT	1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100	不合格		INDUSTRIAL	72 Mbit	4	SYNCHRONOUS	250 MHz	275 mA, 380 mA	6.5 ns	SRAM	Parallel	Flow-Through/Pipelined	2 M x 36		1.6 mm	36	-	21 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial	PARALLEL				ZBT SRAM		2 V	1.7 V	SRAM	2M x 36	20 mm	14 mm
GS8342Q18BGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	BGA-165	YES	165	165-FPBGA (15x13)	165	250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	GSI Technology Inc.	0.356000 oz	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Tray	GS8342Q	活跃	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342Q18BGD-250I	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.74	BGA	Industrial grade		-40 to 100 °C	Bulk	GS8342Q18BGD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II		100 °C	-40 °C	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous	1.8 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant		R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	250 MHz	675 mA	450 ps	SRAM	Parallel	Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	-	20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.215 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE			QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	2M x 18	15 mm	13 mm	无
GS881Z36CD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	100	100	LQFP,		FLATPACK, LOW PROFILE	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	无	GS881Z36CD-150	262144 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.28	QFP				有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V		0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR		Tray	GS881Z36CD	e0	无	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	not_compliant		R-PQFP-G100	不合格		COMMERCIAL	9 Mbit		SYNCHRONOUS		130 mA, 140 mA	7.5 ns				256 k x 36		1.6 mm	36			SRAM			9437184 bit		PARALLEL				ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM		20 mm	14 mm
GS8322Z18B-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	119	119		14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119	网格排列	3	2000000		PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	无	GS8322Z18B-200	2097152 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术		Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.64	BGA								e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant		R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL			SYNCHRONOUS							2MX18		1.99 mm	18						37748736 bit		PARALLEL				ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V			22 mm	14 mm
GS8161Z36BGT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8182Q08BD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Commercial grade							167 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	2 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	Compliant	有	167 MHz	+ 70 C	1.9 V		0 C	0 to 70 °C	Tray	GS8182Q08BD				SigmaQuad-II		70 °C	0 °C			Memory & Data Storage		1.8 V												18 Mbit	2			435 mA				Pipelined	2 M x 8					20 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial									SRAM				无
GS8342T36BGD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	BGA-165	165	165-FPBGA (13x15)	GSI Technology Inc.	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	Details	DDR	Tray	GS8342T	活跃	Industrial grade					400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T36BGD				SigmaDDR-II B2						Memory & Data Storage	SRAM - Quad Port, Synchronous, DDR II	1.7V ~ 1.9V												36 Mbit	1		400 MHz	780 mA		SRAM	Parallel	Pipelined	1 M x 36				-	20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial									SRAM	1M x 36