GSI Technology GS8662QT19BGD-333I

工厂交货时间

7 Weeks, 1 Day

包装/外壳

BGA-165

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

165

供应商器件包装

165-FPBGA (15x13)

终端数量

165

Maximum Clock Rate

333 MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

QDR

Typical Operating Supply Voltage

1.8000 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.7 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

4 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

1.9 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

333 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

1.9 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

15

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SigmaQuad-II+

RoHS

Details

Memory Types

QDR-II

Package

Tray

Base Product Number

GS8662Q

厂商

GSI Technology Inc.

Product Status

活跃

Package Description

LBGA,

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

4000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS8662QT19BGD-333I

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

1.49

Part Package Code

BGA

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 100 °C

系列

GS8662QT19BGD

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SigmaQuad-II+ B2

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

SRAM - Quad Port, Synchronous

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

72 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

333 MHz

电源电流-最大值

930 mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

建筑学

Pipelined

组织结构

4 M x 18

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

地址总线宽度

21 Bit

产品类别

SRAM

密度

72 Mbit

记忆密度

75497472 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

QDR SRAM

电压 - 供电 （最大值）

1.9 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

产品类别

SRAM

组织的记忆

4M x 18

宽度

13 mm

长度

15 mm