GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																													操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	长度	宽度
GS816236DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS816236DD-200I	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	Industrial grade	153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	-40 to 100 °C	Tray	GS816236DD			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	230 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.4 mm	36	19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342D09BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D09BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		540 mA		Pipelined	4 M x 9				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS832236AB-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	119	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	4.5 ns	70 °C	无	GS832236AB-333	333 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.12	BGA	Commercial grade	222@Flow-Through/333@Pipelined MHz	0 to 85 °C	Tray	GS832236AB	e0	无	3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)	ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	260 mA, 345 mA	4.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.99 mm	36	20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS8342S09BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	165		300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	Commercial grade				0 to 85 °C																							2				Pipelined					21 Bit		36 Mbit			Commercial
GS8320E18AGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SDR				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	18 Bit	2, 2.7 V	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	0 to 85 °C	Tray	GS8320E18AGT				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												36 Mbit			185 mA, 220 mA	6.5@Flow-Through/3@P		2 M x 18					SRAM			36								SRAM
GS8342S09BD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO-II	N	DDR	Commercial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	0 to 85 °C	Tray	GS8342S09BD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		665 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342D06BGD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342D06BGD-400I	400 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Industrial grade	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D06BGD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	715 mA		Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.235 A	33554432 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342DT37BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II+	DDR	Industrial grade				表面贴装	36 Bit	1 MWords	Synchronous	1.8000 V	QDR	FBGA	333 MHz	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS8342DT37BD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		785 mA		Pipelined	1 M x 36					SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8342QT37BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	表面贴装	1.9 V	36 Bit	1 MWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	0 to 85 °C	Tray	GS8342QT37BGD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		885 mA		Pipelined	1 M x 36				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342DT10BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	-40 to 100 °C	Tray	GS8342DT10BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		615 mA		Pipelined	4 M x 9				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8161E32DGD-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	表面贴装	2, 2.7 V	32 Bit	512 kWords	Synchronous	1.7, 2.3 V	1.8, 2.5 V	SDR	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	0 to 70 °C	Tray	GS8161E32DGD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		225 mA, 245 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342DT06BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Industrial grade				350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342DT06BD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		675 mA		Pipelined	4 M x 8				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8342D18BGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342D18BGD-250I	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.34	BGA	Industrial grade	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D18BGD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	470 mA		Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.195 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342T07BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342T07BGD-300I	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Industrial grade	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T07BGD			3A991.B.2.B	SigmaDDR-II+ B2		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	1	SYNCHRONOUS	460 mA		Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8	21 Bit	SRAM	36 Mbit	0.195 A	33554432 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342DT37BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	-40 to 100 °C	Tray	GS8342DT37BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		785 mA		Pipelined	1 M x 36				18 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8342Q10BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	0 to 85 °C	Tray	GS8342Q10BGD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		665 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342S36BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO-II	Details	DDR	Commercial grade				400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	0 to 85 °C	Tray	GS8342S36BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		905 mA		Pipelined	1 M x 36				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8162Z18DB-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	Commercial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	21	0 to 85 °C	Tray	GS8162Z18DB				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		205 mA, 225 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342S09BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	N	DDR	Commercial grade				250 MHz	FBGA	DDR	表面贴装	1.9 V	9 Bit	4 MWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	0 to 85 °C	Tray	GS8342S09BD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		460 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342T07BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	Industrial grade				333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T07BD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		525 mA		Pipelined	4 M x 8				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8342T18BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	Details	DDR	Commercial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	0 to 85 °C	Tray	GS8342T18BGD				SigmaDDR-II B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		450 mA		Pipelined	2 M x 18				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8182Q18BD-133	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	133 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.5 ns	70 °C	无	GS8182Q18BD-133	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.19	BGA	Commercial grade	133 MHz	FBGA	QDR	0 to 70 °C	Tray	GS8182Q18BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	375 mA		Pipelined	1 M x 18		1.4 mm	18	19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8321E36AD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	18	- 40 C	3.6 V	+ 85 C	200 MHz	有	Industrial grade				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Parallel	SMD/SMT	2.3 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8321E36AD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												36 Mbit	4		225 mA, 260 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8342Q08BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Commercial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	0 to 85 °C	Tray	GS8342Q08BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		665 mA		Pipelined	4 M x 8				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8342T08BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR	Commercial grade				250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS8342T08BD				SigmaDDR-II B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		395 mA		Pipelined	4 M x 8				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM