GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																													操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	长度
GS8342D11BD-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	Commercial grade				450 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	0 to 85 °C	Tray	GS8342D11BD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		785 mA		Pipelined	4 M x 9				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8162Z36DB-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	Industrial grade				222.2@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	21	2.3 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8162Z36DB				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		280 mA, 335 mA	4.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM
GS8162Z36DB-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	Commercial grade				250@Flow-Through/400@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	0 to 85 °C	Tray	GS8162Z36DB				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	4		280 mA, 365 mA	4 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS8322Z18AD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	SDR	N	NBT SRAM	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	2.3 V	14	0 C	3.6 V	+ 70 C	200 MHz	有	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	6.5 ns	70 °C	无	GS8322Z18AD-200	200 MHz	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.13	BGA	Commercial grade	153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	0 to 85 °C	Tray	GS8322Z18AD	e0	无	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)	ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	185 mA, 220 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	21 Bit	SRAM	36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	ZBT SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342Q19BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Industrial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q19BD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		675 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8320E36AGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	2, 2.7 V	表面贴装	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS8320E36AGT-200I	200 MHz	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.39	QFP	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	-40 to 100 °C		GS8320E36AGT			3A991.B.2.B			ALSO OPERATED WITH 2.5V SUPPLY; PIPELINE/FLOW THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	0.235 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1MX36	3-STATE	1.6 mm	36			36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	2 V	1.7 V		20 mm	14 mm
GS8672D20BE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II					有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8672D20BE				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												72 Mbit			1.49 A			4 M x 18					SRAM			72								SRAM
GS8161E32DD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165					有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR		Tray	GS8161E32DD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit			200 mA, 210 mA	7.5 ns		512 k x 32					SRAM											SRAM
GS88118CGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT		Tray	GS88118CGT				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												9 Mbit			145 mA, 180 mA	5.5 ns		512 k x 18					SRAM											SRAM
GS8672T20BGE-633I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	633 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel																											72 Mbit			1.52 A			4 M x 18								72
GS8161E18DGD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT		Tray	GS8161E18DGD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit			190 mA, 200 mA	7.5 ns		1 M x 18					SRAM											SRAM
GS880E32CGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT		Tray	GS880E32CGT				DCD				Memory & Data Storage												9 Mbit			160 mA, 190 mA	6.5 ns		256 k x 32					SRAM											SRAM
GS8161E36DGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR					有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT		Tray	GS8161E36DGT				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit			210 mA	6.5 ns		512 k x 36					SRAM											SRAM
GS8182S18BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR					有	200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8182S18BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												18 Mbit			365 mA			1 M x 18					SRAM											SRAM
GS8182Q08BGD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR					有	167 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8182Q08BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												18 Mbit			445 mA			2 M x 8					SRAM											SRAM
GS8672D37BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	- 40 C	1.9 V	+ 85 C					有	400 MHz	QDR-II	SigmaQuad-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	15		Tray	GS8672D37BE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												72 Mbit			1.88 A			2 M x 36					SRAM			72								SRAM
GS8161E32DGT-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR					有	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8161E32DGT				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit			175 mA, 190 mA	7.5 ns		512 k x 32					SRAM											SRAM
GS8672D18BE-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	QDR-II					有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8672D18BE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												72 Mbit			980 mA			4 M x 18					SRAM			72								SRAM
GS8672D38BE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II					有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		Tray	GS8672D38BE				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												72 Mbit			2.07 A			2 M x 36					SRAM			72								SRAM
GS88037CGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel							GS88037CGT																				9 Mbit			190 mA			256 k x 36
GS8161Z18DD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR					有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT		Tray	GS8161Z18DD				NBT				Memory & Data Storage												18 Mbit			210 mA, 230 mA	5.5 ns		1 M x 18					SRAM											SRAM
GS8672D36BE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	QDR-II					有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8672D36BE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												72 Mbit			1.6 A			2 M x 36					SRAM			72								SRAM
GS8161E18DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	SyncBurst	SDR					有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		Tray	GS8161E18DD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit			215 mA	6.5 ns		1 M x 18					SRAM											SRAM
GS882Z18CB-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	GSI技术	NBT SRAM	SDR					有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		Tray	GS882Z18CB				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												9 Mbit			165 mA, 200 mA	5.5 ns		512 k x 18					SRAM											SRAM
GS8672T38BE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II					有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术		Tray	GS8672T38BE				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												72 Mbit			1.72 A			2 M x 36					SRAM			72								SRAM