GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）
GS81302TT19GE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II	Industrial grade				300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302TT19GE				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												144 Mbit	1		700 mA		Pipelined	8 M x 18				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS881E36CGD-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	66	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS881E36CGD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												9 Mbit	4		140 mA, 180 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 36				18 Bit	SRAM	9 Mbit			Commercial							SRAM
GS832036AGT-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	Synchronous	2.3, 3 V	2.5, 3.3 V	SDR	TQFP	222.2@Flow-Through/333@Pipelined MHz	有	333 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	4.5 ns	85 °C	有	GS832036AGT-333	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.7	QFP	Commercial grade	表面贴装	2.7, 3.6 V	36 Bit	1 MWords	0 to 85 °C	Tray	GS832036AGT			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		ALSO OPERATES AT 3.3; SYNCHRONOUS BURST		Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格		OTHER	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	260 mA, 345 mA	4.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36		1.6 mm	36	20 Bit	SRAM	36 Mb		37748736 bit	Commercial	PARALLEL		缓存SRAM		2.7 V	2.3 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS8662D08BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	165	400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	Commercial grade					0 to 85 °C																							2				Pipelined					21 Bit		72 Mbit			Commercial
GS8342TT37BD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165		1.9 V	36 Bit	1.7 V	1.8000 V	FBGA	400 MHz	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel			0 to 85 °C	Tray	GS8342TT37BD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												36 Mbit			770 mA	0.45		1 M x 36				19 Bit	SRAM			36								SRAM
GS864436GE-133V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				117.6@Flow-Through/133@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	133 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	15	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS864436GE				同步突发				Memory & Data Storage												72 Mbit	4		230 mA, 270 mA	8.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 36				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM
GS816218DD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade				FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	-40 to 100 °C	Tray	GS816218DD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		260 mA, 305 mA	4.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18					SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM
GS8342D11BGD-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				500 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D11BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		865 mA		Pipelined	4 M x 9				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8322Z72C-225V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-209	209	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	Commercial grade				143@Flow-Through/225@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	72 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	225 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	14	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8322Z72C				NBT				Memory & Data Storage												36 Mbit	8		255 mA, 350 mA	7 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 72				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS8322Z36AD-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	2 Weeks, 6 Days	BGA-165	YES	165	165	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	14	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	7.5 ns	70 °C	无	GS8322Z36AD-150V	150 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.12	BGA	Commercial grade	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	0 to 85 °C	Tray	GS8322Z36AD			3A991.B.2.B	NBT		ALSO OPERATED WITH 2.5V SUPPLY; PIPELINE/FLOW THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.8/2.5 V	COMMERCIAL	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	200 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36	20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	ZBT SRAM	1.7 V	2 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS816273CC-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-209	209	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	Commercial grade				250 MHz	BGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	256 kWords	72 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	21	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS816273CC				Pipeline				Memory & Data Storage												18 Mbit	8		350 mA	5.5 ns	Pipelined	256 k x 72				18 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial							SRAM
GS840H36AB-180	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	YES	119	119	网格排列	3	128000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	8 ns	70 °C	无	GS840H36AB-180	180 MHz	131072 words	3.3 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA		BGA, BGA119,7X17,50				e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格	2.5/3.3,3.3 V	COMMERCIAL			SYNCHRONOUS	0.335 mA			128KX36	3-STATE	2.19 mm	36				0.02 A	4718592 bit		PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	3.14 V	3.6 V	3 V		22 mm	14 mm
GS81302D37GE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	165	400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	Industrial grade					-40 to 100 °C																							2				Pipelined					20 Bit		144 Mbit			Industrial
GS8342TT11BD-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	Industrial grade				450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	表面贴装	1.9 V	9 Bit	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8342TT11BD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												36 Mbit	1		680 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mb			Industrial							SRAM
GS864418E-166V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	Commercial grade				125@Flow-Through/166@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	166 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	15	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS864418E				同步突发				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		240 mA, 285 mA	8 ns	Flow-Through/Pipelined	4 M x 18				22 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM
GS832272GC-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-209	209	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				133.3@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	表面贴装	2, 2.7 V	72 Bit	有	200 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	14	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS832272GC				同步突发				Memory & Data Storage												36 Mbit	8		235 mA, 320 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 72				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302T10E-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165		400 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	9 Bit	1.9 V	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II			-40 to 100 °C	Tray	GS81302T10E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												144 Mbit			905 mA	0.45		16 M x 9					SRAM			144								SRAM
GS8662TT11BD-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	DDR	Industrial grade				500 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	-40 to 100 °C	Tray	GS8662TT11BD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												72 Mbit	1		770 mA		Pipelined	8 M x 9				22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS864236GB-250M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Military grade				250 MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 125 C	3.6 V	- 55 C	14	2.3 V	-55 to 125 °C	Tray	GS864236GB				SCD/DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												72 Mbit	1			6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 36				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Military							SRAM
GS8662QT10BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Industrial grade				表面贴装	1.9 V	9 Bit	8 MWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	QDR	FBGA	250 MHz	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8662QT10BD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		730 mA		Pipelined	8 M x 9				22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302D19GE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	YES	165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS81302D19GE-400I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.2	BGA	Industrial grade		400 MHz	QDR	-40 to 100 °C	Tray	GS81302D19GE	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B4	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	1.065 A		Pipelined	8 M x 18		1.5 mm	18	21 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	17 mm	15 mm
GS81302DT37E-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	Commercial grade				400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT37E				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												114 Mbit	2		1.17 A		Pipelined	4 M x 36				20 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS8662D06BGD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662D06BGD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		705 mA		Pipelined	8 M x 8				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662D10BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165		1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR			-40 to 100 °C	Tray	GS8662D10BGD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												72 Mbit			640 mA	0.45		8 M x 9					SRAM			72								SRAM
GS8662QT10BD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Industrial grade				200 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8662QT10BD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		610 mA		Pipelined	8 M x 9				22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM