GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别
GS8342DT19BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Industrial grade				350 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS8342DT19BD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												36 Mbit	2		675 mA		Pipelined	2 M x 18				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662D08BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SigmaQuad-II	N	DDR	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	8 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS8662D08BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		580 mA		Pipelined	8 M x 8				21 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM
GS81302S36GE-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR-II	Industrial grade				333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS81302S36GE				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.01 A		Pipelined	4 M x 36				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS8182T08BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	YES	165	165	无	GS8182T08BD-250	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.18	BGA		LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C				e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL			SYNCHRONOUS				2MX8		1.4 mm	8					16777216 bit		PARALLEL		DDR SRAM		1.9 V	1.7 V		15 mm	13 mm
GS8182R08BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	165	400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	Commercial grade					0 to 70 °C																							1				Pipelined					19 Bit		18 Mbit			Commercial
GS8662D18BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				333 MHz	FBGA	QDR	-40 to 100 °C		GS8662D18BD																				72 Mbit	2		640 mA		Pipelined	4 M x 18				20 Bit		72 Mbit			Industrial
GS8321E32AD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	4.5 ns	85 °C	无	GS8321E32AD-333	333 MHz	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.31	BGA	Commercial grade	222@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS8321E32AD	e0	无	3A991.B.2.B	DCD Pipeline/Flow Through	锡铅	IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE		Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	2.5/3.3 V	OTHER	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	260 mA, 345 mA	4.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 32	3-STATE	1.4 mm	32	20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.03 A	33554432 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8662D19BD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8662D19BD				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		630 mA		Pipelined	4 M x 18				20 Bit	SRAM	72 Mbit			Commercial							SRAM
GS88036CGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	-40 to 85 °C	Tray	GS88036CGT				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												9 Mbit	4		175 mA, 215 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 36					SRAM	9 Mbit			Industrial							SRAM
GS816118DGT-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				250@Flow-Through/400@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS816118DGT				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		275 mA, 355 mA	4 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302S36GE-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR-II	Commercial grade				250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS81302S36GE				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		790 mA		Pipelined	4 M x 36				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS8662D11BD-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				400 MHz	FBGA	QDR	-40 to 100 °C																						72 Mbit	2		745 mA		Pipelined	8 M x 9				21 Bit		72 Mbit			Industrial
GS81302S36GE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR-II	Commercial grade				333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS81302S36GE				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1 A		Pipelined	4 M x 36				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS8662D18BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Industrial grade				300 MHz	FBGA	QDR	-40 to 100 °C		GS8662D18BD																				72 Mbit	2		590 mA		Pipelined	4 M x 18				20 Bit		72 Mbit			Industrial
GS880E18CGT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	- 40 C	2.7 V	+ 85 C	250 MHz	有	Industrial grade				TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	SDR	Details	SyncBurst	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	66	-40 to 85 °C	Tray	GS880E18CGT				DCD				Memory & Data Storage												9 Mbit	2		145 mA, 185 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 18					SRAM	9 Mbit			Industrial							SRAM
GS816218DB-333IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	119	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	Industrial grade				200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	21	SDR	SyncBurst	-40 to 100 °C	Tray	GS816218DB				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage												18 Mbit	2		240 mA, 300 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial							SRAM
GS8162Z72CC-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-209	YES	209	209	表面贴装	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	256000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	无	GS8162Z72CC-150IV	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.17	BGA	Industrial grade	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	BGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	256 kWords	72 Bit	2, 2.7 V	-40 to 85 °C				无	3A991.B.2.B			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B209	不合格		INDUSTRIAL	18 Mbit	8	SYNCHRONOUS	220 mA, 240 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 72		1.7 mm	72	18 Bit		18 Mbit		18874368 bit	Industrial	PARALLEL		ZBT SRAM		2 V	1.7 V		22 mm	14 mm
GS8644Z18GE-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Industrial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	15	2.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8644Z18GE				NBT				Memory & Data Storage												72 Mbit	2		250 mA, 310 mA	8.5 ns	Flow-Through/Pipelined	4 M x 18				22 Bit	SRAM	72 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302DT07GE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	10	- 40 C	1.9 V	+ 85 C	450 MHz	有	Industrial grade				450 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	QDR-II	Details	SigmaQuad-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS81302DT07GE				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		1.185 A		Pipelined	16 M x 8				22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302T11E-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II	Industrial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T11E				SigmaDDR-II+				Memory & Data Storage												144 Mbit	1		810 mA		Pipelined	16 M x 9				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302TT37E-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	10	- 40 C	Industrial grade				400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	表面贴装	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	DDR-II	N	SigmaDDR-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	-40 to 100 °C	Tray	GS81302TT37E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												144 Mbit	1		1.005 A		Pipelined	4 M x 36				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS8662DT07BD-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	1.7 V	Synchronous	8 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	15	- 40 C	1.9 V	+ 85 C	450 MHz	有	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8662DT07BD-450I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.79	BGA	Industrial grade	450 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8662DT07BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B4		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			INDUSTRIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS	830 mA		Pipelined	8 M x 8		1.4 mm	8	21 Bit	SRAM	72 Mbit		67108864 bit	Industrial	PARALLEL		QDR SRAM		1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS81302T18E-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	- 40 C	1.9 V	+ 85 C	350 MHz	有	Industrial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	DDR-II	SigmaDDR-II	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	10	-40 to 100 °C	Tray	GS81302T18E				SigmaDDR-II B2				Memory & Data Storage												144 Mbit	2		810 mA		Pipelined	8 M x 18				23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial							SRAM
GS81302TT37E-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	10	0 C	1.9 V	+ 70 C	350 MHz	有	Commercial grade				表面贴装	1.9 V	36 Bit	4 MWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	DDR	FBGA	350 MHz	DDR-II	N	SigmaDDR-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	0 to 85 °C	Tray	GS81302TT37E				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage												144 Mbit	1		895 mA		Pipelined	4 M x 36				21 Bit	SRAM	144 Mbit			Commercial							SRAM
GS840H36AGT-180	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	YES	100	100	FLATPACK, LOW PROFILE	3	128000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	8 ns	70 °C	有	GS840H36AGT-180	180 MHz	131072 words	3.3 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.34	QFP		LQFP, QFP100,.63X.87				e3	有	3A991.B.2.B		纯哑光锡	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3,3.3 V	COMMERCIAL			SYNCHRONOUS	0.335 mA			128KX36	3-STATE	1.6 mm	36				0.02 A	4718592 bit		PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	3.14 V	3.6 V	3 V		20 mm	14 mm