GSI的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'GSI' (10000)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量				Current - Supply (Nom)																																												操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	终端	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	数据总线宽度	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	最高频率	筛选水平	并行/串行	I/O类型	同步/异步	字长	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	访问模式
GS8321Z36E-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	165	165				15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3		1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	6.5 ns	70 °C	无	GS8321Z36E-250	250 MHz	1048576 words	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.68	BGA					无		3A991.B.2.B					FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL			SYNCHRONOUS	0.3 mA				1MX36	3-STATE	1.5 mm	36				0.06 A	37748736 bit			PARALLEL	COMMON			ZBT SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V				17 mm	15 mm
GS8150V36AB-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	119	119	网格排列	3		512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	1.6 ns	70 °C	无	GS8150V36AB-300	524288 words	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.23	BGA				BGA,				e0	无		3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			流水线结构	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL			SYNCHRONOUS					512KX36		1.99 mm	36					18874368 bit			PARALLEL				LATE-WRITE SRAM		1.95 V	1.7 V				22 mm	14 mm
GS8322Z18B-166	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	119	119	网格排列	3		2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	8 ns	70 °C	BGA	5.7	GSI TECHNOLOGY	Obsolete	GSI技术	RECTANGULAR	BGA	2.5 V	2097152 words	GS8322Z18B-166	无				14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119				e0	无		3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		COMMERCIAL			SYNCHRONOUS					2MX18		1.99 mm	18					37748736 bit			PARALLEL				ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V				22 mm	14 mm
GS81313LT18GK-675I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-260	YES	260	1.25 V	HBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.74				Details	675 MHz	Parallel		1.2 V	- 40 C	+ 100 C	SMD/SMT	DDR	有	10	SigmaDDR-IIIe	1.35 V	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	8000000	PLASTIC/EPOXY	GS81313LT18GK-675I	8388608 words		Tray	GS81313LT18GK				3A991.B.2.B	SigmaDDR-IIIe B2				IT ALSO OPERATES AT 1.15 TO 1.3 V SUPPLY VOLTAGE	8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	R-PBGA-B260				144 Mbit		SYNCHRONOUS					8 M x 18		2.3 mm	18					150994944 bit			PARALLEL				DDR SRAM		1.35 V	1.2 V				22 mm	14 mm
GS8673ED36BK-550I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-260	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-IIIe	DDR						有	550 MHz	+ 100 C		1.4 V	- 40 C	8	1.25 V	SMD/SMT		Tray	GS8673ED36BK					SigmaQuad-IIIe B4						Memory & Data Storage													72 Mbit			2.67 A				2 M x 36					SRAM																SRAM
GS8161Z36DGD-333IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165		表面贴装	2, 2.7 V	36 Bit	512 kWords	Synchronous	1.7, 2.3 V	1.8, 2.5 V	有	333 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	5 ns	85 °C	有	GS8161Z36DGD-333IV	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	BGA	Industrial grade		200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	SDR	-40 to 100 °C	Tray	GS8161Z36DGD				3A991.B.2.B	NBT				FLOW THROUGH AND PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165			INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	260 mA, 330 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined		512 k x 36		1.4 mm	36	19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit		Industrial	PARALLEL				ZBT SRAM		2 V	1.7 V			SRAM	15 mm	13 mm
GS816036DGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	SDR		2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 100 C	3.6 V	0.478345 oz	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	有	GS816036DGT-150I	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.73	QFP	Industrial grade		133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	TQFP	-40 to 100 °C	Tray	GS816036DGT				3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100			INDUSTRIAL	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	200 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined		512 k x 36		1.6 mm	36	20 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit		Industrial	PARALLEL				缓存SRAM		2.7 V	2.3 V			SRAM	20 mm	14 mm
GS74116AGX-10	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	BGA-48	YES	48	48	16 Bit	3.6 V	表面贴装	有	+ 70 C	3.6 V	0 C	135	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	Details	SDR	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	未说明	10 ns	70 °C	有	GS74116AGX-10	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.17	BGA	Commercial grade		FBGA	3.3000 V	3 V		Asynchronous	256 kWords	0 to 70 °C		GS74116AGX	e1	有		3A991.B.2.B	Asynchronous	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)	70 °C	0 °C		8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	3.3 V	BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	R-PBGA-B48	不合格	3.3 V	COMMERCIAL	4 Mbit	1	ASYNCHRONOUS	105 mA	10 ns			256 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16	18 Bit	SRAM	4 Mbit	0.01 A	4194304 bit		Commercial	PARALLEL	COMMON			标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V			SRAM	10 mm	6 mm	无
GS71116AGP-8	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	TSOP-44	YES	44	44	64000	PLASTIC/EPOXY	TSOP44,.46,32	未说明	8 ns	70 °C	有	GS71116AGP-8	65536 words	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.43	TSOP2		+ 70 C	3.6 V	0 C		270	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	Details	SDR	TSOP2, TSOP44,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3			GS71116AGP	e3	有		3A991.B.2.B	Asynchronous	纯哑光锡				8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant	R-PDSO-G44	不合格	3.3 V	COMMERCIAL	1 Mbit		ASYNCHRONOUS	125 mA	8 ns			64 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16		SRAM		0.002 A	1048576 bit			PARALLEL	COMMON			标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V			SRAM	18.41 mm	10.16 mm
GS8182Q18BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165		1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8182Q18BGD-200	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.48	BGA	Commercial grade		200 MHz	FBGA	DDR	0 to 70 °C	Tray	GS8182Q18BGD	e1	有		3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	500 mA	450 ps	Pipelined		1 M x 18		1.4 mm	18	19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit		Commercial	PARALLEL				DDR SRAM		1.9 V	1.7 V			SRAM	15 mm	13 mm
GS74116AGP-8I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	9 Weeks, 4 Days	TSOP-44	YES	44	44	256 kWords	16 Bit	3.6 V	表面贴装	Compliant	有	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	135	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SDR	TSOP2, TSOP44,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	TSOP44,.46,32	-40 °C	未说明	8 ns	85 °C	有	GS74116AGP-8I	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.73	TSOP2	Industrial grade		TSOP-II	3.3000 V	3 V		Asynchronous	-40 to 85 °C		GS74116AGP	e3	有		3A991.B.2.B	Asynchronous	纯哑光锡	85 °C	-40 °C		8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	3.3 V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant	R-PDSO-G44	不合格	3.3 V	INDUSTRIAL	512 kB	1	ASYNCHRONOUS	140 mA	8 ns			256 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16	18 Bit	SRAM	4 Mbit	0.02 A	4194304 bit		Industrial	PARALLEL	COMMON			标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V			SRAM	18.41 mm	10.16 mm	无	无SVHC
GS71116AGP-12	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	TSOP-44	YES	44	44	85 mA	TSOP2, TSOP44,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3	64000	PLASTIC/EPOXY	TSOP44,.46,32	未说明	12 ns	70 °C	有	GS71116AGP-12	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5	TSOP2	Compliant	SRAM	64000	有	+ 70 C	3.6 V	1 oz	0 C	270	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术			GS71116AGP	e3	有	SMD/SMT	3A991.B.2.B	Asynchronous	纯哑光锡	70 °C	0 °C		8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	3.3 V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant	R-PDSO-G44	不合格	3.3 V	COMMERCIAL	128 kB	1	ASYNCHRONOUS	85 mA	12 ns			64 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16	16 b	SRAM	1 Mb	0.002 A	1048576 bit			PARALLEL	COMMON	Asynchronous	16 b	标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V			SRAM	18.41 mm	10.16 mm	无	无SVHC
GS4288C36GL-24	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	uBGA-144	YES	144	144	GSI技术	GSI技术	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	有	GS4288C36GL-24	8388608 words	1.8 V	TBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.1	BGA	Commercial grade		400 MHz	UBGA	36 Bit		表面贴装	Compliant	有	533 MHz	+ 95 C	1.9 V	0 C	36	1.7 V	SMD/SMT	0 to 95 °C		GS4288C36GL				3A991.B.2.B	LLDRAM		95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28	Memory & Data Storage	CMOS	3.1, 3.5 V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				288 Mbit	1	SYNCHRONOUS	450 mA			36 Bit	8 M x 36		1.2 mm	36	22 Bit	DRAM	288 Mbit		301989888 bit	400 MHz	Commercial					DDR DRAM		1.9 V	1.7 V		多库页面突发	DRAM		11 mm	无
GS8182Q18BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165		1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	DDR	Details	SigmaQuad-II	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	18	0 C	1.9 V	+ 70 C	250 MHz	有	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8182Q18BGD-250	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.17	BGA	Commercial grade		250 MHz	FBGA	DDR	0 to 70 °C	Tray	GS8182Q18BGD	e1	有		3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	595 mA		Pipelined		1 M x 18		1.4 mm	18	19 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit		Commercial	PARALLEL				DDR SRAM		1.9 V	1.7 V			SRAM	15 mm	13 mm
GS8342D18BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165	QDR		1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8342D18BGD-250	250 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.74	BGA	Commercial grade		250 MHz	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS8342D18BGD				3A991.B.2.B	SigmaQuad-II				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	460 mA		Pipelined		2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.185 A	37748736 bit		Commercial	PARALLEL	SEPARATE			QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V			SRAM	15 mm	13 mm
GS4288C36GL-33	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	uBGA-144	YES	144	144	TBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.08	BGA		Compliant	有	533 MHz		+ 95 C	1.9 V	0 C	36	1.7 V	SMD/SMT	GSI技术	GSI技术	TBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE	8000000	PLASTIC/EPOXY	有	GS4288C36GL-33	8388608 words	1.8 V			GS4288C36GL				3A991.B.2.B	LLDRAM II		95 °C	0 °C	自动刷新	8542.32.00.28	Memory & Data Storage	CMOS	1.8 V	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	R-PBGA-B144				288 Mbit	1	SYNCHRONOUS	445 mA			36 b	8 M x 36		1.2 mm	36	22 b	DRAM	288 Mb		301989888 bit	300 MHz						DDR DRAM		1.9 V	1.7 V		多库页面突发	DRAM		11 mm	无
GS88036CGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade					153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	TQFP	SDR		2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	-40 to 85 °C	Tray	GS88036CGT					Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													9 Mbit	4		160 mA, 190 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined		256 k x 36				18 Bit	SRAM	9 Mbit				Industrial											SRAM
GS8342T36BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	Details	DDR	Commercial grade					250 MHz	FBGA	DDR		1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0.016141 oz	0 to 85 °C	Tray	GS8342T36BGD					SigmaDDR-II B2						Memory & Data Storage													36 Mbit	1		575 mA		Pipelined		1 M x 36				20 Bit	SRAM	36 Mbit				Commercial											SRAM
GS72108AGP-12I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	36	44	TSOP2			Compliant	TSOP2, TSOP44,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE		3	256000	PLASTIC/EPOXY	TSOP44,.46,32	-40 °C	未说明	12 ns	85 °C	有	GS72108AGP-12I	262144 words	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.76					有		3A991.B.2.B		Pure Matte Tin (Sn)	85 °C	-40 °C		8542.32.00.41		CMOS	3.3 V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant	R-PDSO-G44	不合格		INDUSTRIAL	256 kB	1	ASYNCHRONOUS	0.085 mA	12 ns			256KX8	3-STATE	1.2 mm	8	18 b		2 Mb	0.02 A	2097152 bit			PARALLEL	COMMON			标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V	YES			18.41 mm	10.16 mm	无	无SVHC
GS816036BGT-200	GSI Technology	数据表	18 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	100	100	8.45	QFP				Compliant	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE		3	512000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS816036BGT-200	200 MHz	524288 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	Obsolete	GSI TECHNOLOGY				e3	有		3A991.B.2.B		纯哑光锡	70 °C	0 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	R-PQFP-G100	不合格	2.5/3.3 V	COMMERCIAL		4	SYNCHRONOUS	0.255 mA				512KX36	3-STATE	1.6 mm	36	19 b		18 Mb	0.04 A	18874368 bit			PARALLEL	COMMON			缓存SRAM	2.3 V	2.7 V	2.3 V				20 mm	14 mm	无
GS81284Z36B-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-119	YES	119	119		2.3, 3 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	1.476639 oz	- 40 C	10	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	BGA,	网格排列	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS81284Z36B-250I	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.7	BGA	Industrial grade		FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	-40 to 85 °C	Tray	GS81284Z36B	e0	无		3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)	85 °C	-40 °C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	R-PBGA-B119	不合格		INDUSTRIAL	144 Mbit	4	SYNCHRONOUS	415 mA, 535 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined		4 M x 36		1.99 mm	36	22 b	SRAM	144 Mbit		150994944 bit		Industrial	PARALLEL				ZBT SRAM		2.7 V	2.3 V			SRAM	22 mm	14 mm	无
GS81302Q18GE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	165		1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	BGA	5.05	GSI TECHNOLOGY	不推荐	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	GS81302Q18GE-300	有	70 °C	0.45 ns	未说明	Commercial grade		300 MHz	FBGA	QDR	0 to 85 °C	Tray	GS81302Q18GE	e1	有		3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	1.25 A		Pipelined		8 M x 18		1.5 mm	18	22 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit		Commercial	PARALLEL				DDR SRAM		1.9 V	1.7 V			SRAM	17 mm	15 mm
GS8662Q18BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	165	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8662Q18BGD-300	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.17	BGA	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade		300 MHz	FBGA	1.8000 V		1.7 V	4 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	0 to 85 °C		GS8662Q18BGD	e1	有		3A991.B.2.B		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	72 Mbit	2	SYNCHRONOUS	0.85 mA				4MX18	3-STATE	1.4 mm	18	21 Bit		72 Mbit		75497472 bit		Commercial	PARALLEL	SEPARATE			QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V				15 mm	13 mm
GS81302DT20GE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	165		1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS81302DT20GE-400	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	7.61	BGA	Commercial grade		400 MHz	FBGA	QDR	0 to 85 °C	Tray	GS81302DT20GE	e1	有		3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	R-PBGA-B165	不合格		COMMERCIAL	144 Mbit	2	SYNCHRONOUS	1.175 A		Pipelined		8 M x 18		1.5 mm	18	21 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit		Commercial	PARALLEL				QDR SRAM		1.9 V	1.7 V			SRAM	17 mm	15 mm
GS74116AGP-12I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	44	44	PLASTIC/EPOXY	TSOP44,.46,32	-40 °C	未说明	12 ns	85 °C	有	GS74116AGP-12I	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	1.73	TSOP2	Industrial grade			TSOP-II	3.3000 V	3 V		Asynchronous	256 kWords	16 Bit	3.6 V	表面贴装	Compliant	TSOP2, TSOP44,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3	256000	-40 to 85 °C			e3	有		3A991.B.2.B		纯哑光锡	85 °C	-40 °C		8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	3.3 V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant	R-PDSO-G44	不合格	3.3 V	INDUSTRIAL		1	ASYNCHRONOUS	0.1 mA				256KX16	3-STATE	1.2 mm	16	18 Bit		4 Mbit	0.02 A	4194304 bit		Industrial	PARALLEL	COMMON			标准SRAM	3 V	3.6 V	3 V				18.41 mm	10.16 mm	无