GSI Technology GS81313LT18GK-675I
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GS81313LT18GK-675I
2984-GS81313LT18GK-675I
存储器
BGA-260
大陆
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SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
1最小包装量--
GS81313LT18GK-675I详情
GSI Technology GS81313LT18GK-675I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
BGA-260
表面安装
YES
终端数量
260
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
675 MHz
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
1.2 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
DDR
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10
Tradename
SigmaDDR-IIIe
Supply Voltage-Max
1.35 V
Package Description
HBGA,
Package Style
GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
GS81313LT18GK-675I
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.25 V
Package Code
HBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.74
包装
Tray
系列
GS81313LT18GK
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
SigmaDDR-IIIe B2
附加功能
IT ALSO OPERATES AT 1.15 TO 1.3 V SUPPLY VOLTAGE
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B260
内存大小
144 Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
8 M x 18
座位高度-最大
2.3 mm
内存宽度
18
记忆密度
150994944 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
DDR SRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.35 V
电压 - 供电 (最小值)
1.2 V
宽度
14 mm
长度
22 mm
GS81313LT18GK-675I拓展信息
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