IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	质量	Current - Supply (Nom)				包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	最大电流源	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	筛选水平	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	高度	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态
70V3379S5PRFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	128	415mA	RAM, SRAM				2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE	3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm	100MHz				INDUSTRIAL	Parallel		2		5 ns		3-STATE	30b	576 kb	0.03A			COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V			1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7025S70GB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks		NO	84			RAM, SRAM	Military grade		Bulk	2012	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP	5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG		1						MILITARY	Parallel		2			8KX16	3-STATE	26b	128 kb	0.015A	MIL-PRF-38535	70 ns	COMMON						YES			27.94mm	27.94mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
7140LA100P	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	PDIP	48		110mA	RAM, SDR, SRAM			Bulk	2013	e0	no	Discontinued	1 (Unlimited)	48	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	DUAL		245	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2		100 ns	1KX8	3-STATE	20b	8 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			5.08mm	61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V24L55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	155mA	RAM, SDR, SRAM				2004	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	3.3V	QUAD	J BEND	225	1						COMMERCIAL	Parallel	8kB	2		55 ns	4KX16	3-STATE	24b	64 kb				COMMON	Asynchronous	16b	2V	3.6V	3V				29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7006L35G	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔	68		210mA	RAM, SDR, SRAM				2009	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG	240	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2		35 ns	16KX8	3-STATE	28b	128 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V				29.46mm	29.46mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V09L20PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	100		RAM, SRAM				2009	e3	yes		3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn)	85°C	-40°C		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm		30			INDUSTRIAL	Parallel	128kB	2		20 ns		3-STATE	34b	1 Mb	0.003A			COMMON			3V	3.6V	3V			1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7007L55PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	80	270mA	RAM, SDR, SRAM				2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	80	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm		20		5V	INDUSTRIAL	Parallel	32kB	2		55 ns		3-STATE	30b	256 kb	0.01A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V639S12BFGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	208		515mA	RAM, SRAM			Tape & Reel	2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.8mm		30			INDUSTRIAL	Parallel		2		12 ns		3-STATE	34b	2.3 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	18b		3.45V	3.15V				15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V3399S133PRF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	表面贴装	TQFP	128		400mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.635mm	133MHz				COMMERCIAL	Parallel	256kB	2		4.2 ns		3-STATE	34b	2.3 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V				20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V25S55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	180mA	RAM, SRAM				2004	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	3.3V	QUAD	J BEND	225	1						COMMERCIAL	Parallel		2		55 ns	8KX16	3-STATE	26b	128 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V				29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7130LA25JI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	220mA	RAM, SDR, SRAM				2005			活跃					85°C	-40°C		5V											Parallel	1kB	2		25 ns			20b	8 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V				19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V016SA10BFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	48		160mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous				2011	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	48		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.75mm		30			COMMERCIAL	Parallel	128kB	1		10 ns		3-STATE	16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b		3.6V	3.15V				7mm	7mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70T3519S166BCGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256		510mA	166MHz	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009			活跃					85°C	-40°C		2.5V						166MHz					Parallel	1.1MB	2		3.6 ns			36b	9 Mb					Synchronous	36b		2.6V	2.4V				17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V7339S166BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256		790mA	RAM, SDR, SRAM				2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	166MHz				COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	2		20 ns		3-STATE	38b	9 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V			1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70261L25PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	265mA	RAM, SDR, SRAM				2009			活跃					70°C	0°C		5V											Parallel	32kB	2		25 ns			28b	256 kb					Asynchronous	16b		5.5V	4.5V				14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7140LA20J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	2.96261g	200mA		RAM, SDR, SRAM		2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	QUAD	J BEND	225	1				110mA	5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2		20 ns	1KX8	3-STATE	20b	8 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		3.63mm		19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7132LA100P	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	PDIP	48		110mA	RAM, SDR, SRAM			Bulk	2015	e0	no	Discontinued	1 (Unlimited)	48	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP	5V	DUAL		245	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2		100 ns		3-STATE	22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			5.08mm	61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V631S12BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256		465mA	RAM, SRAM			Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm					COMMERCIAL	Parallel		2		12 ns		3-STATE	18b	4.5 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	18b		3.45V	3.15V			1.7mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7005L25PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	64			RAM, SDR, SRAM				2012	e0	no	活跃	3 (168 Hours)		EAR99	锡铅	85°C	-40°C		5V			240								Parallel	8kB	2		25 ns			26b	64 kb								5.5V	4.5V				14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7025L55J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	210mA	RAM, SDR, SRAM				2008	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP	5V	QUAD	J BEND	225	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2		55 ns	8KX16	3-STATE	13b	128 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V			4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7130LA35PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	120mA	RAM, SDR, SRAM				2013			活跃					70°C	0°C		5V											Parallel	1kB	2		35 ns			20b	8 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V				14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V639S12PRFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	128		RAM, SDR, SRAM			Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm					INDUSTRIAL	Parallel	256kB	2	0.515mA	12 ns		3-STATE	34b	2.3 Mb	0.015A			COMMON				3.45V	3.15V			1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V26L25J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	140mA	RAM, SDR, SRAM				2005			活跃					70°C	0°C		3.3V											Parallel	32kB	2		25 ns			28b	256 kb					Asynchronous	16b		3.6V	3V				29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9099L9PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	230mA	RAM, SDR, SRAM				2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100		Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm	40MHz	20			COMMERCIAL	Parallel	128kB	2		9 ns		3-STATE	34b	1 Mb				COMMON	Synchronous	8b	3V	3.6V	3V			1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7130SA55J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	155mA	RAM, SDR, SRAM				2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		5V	QUAD	J BEND	225	1					5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2		55 ns	1KX8	3-STATE	20b	8 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅