IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)				包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	记忆密度	筛选水平	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态
IDT71V416L15Y8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous			Tape & Reel (TR)	2007	e0	no		3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel				0.16mA		256KX16	3-STATE	16			0.01A	4194304 bit	15 ns	COMMON			3V	3.6V	3V		3.683mm	28.575mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
IDT71016S12PHGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TSOP	44	210mA	RAM, SRAM - Asynchronous			Rail/Tube	2008	e3	yes		3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm	unknown		30		不合格	5V	INDUSTRIAL	Parallel		1			12 ns		3-STATE	16	16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V							符合RoHS标准
70V658S12BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	256	465mA	RAM, SRAM			Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm							COMMERCIAL	Parallel		2			12 ns	64KX36	3-STATE		32b	2.3 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7007L25PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	80	265mA		RAM, SDR, SRAM		2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	80	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm			20			5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	2			25 ns		3-STATE		30b	256 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V65603S100BQG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks		YES	165		100MHz	RAM, SDR, SRAM			2007	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			100MHz	30				COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	1		0.25mA	10 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.04A			COMMON				3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V016SA10Y8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous			Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.B	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1		0.16mA		64KX16	3-STATE	16			0.01A	1048576 bit	10 ns	COMMON			3.15V	3.6V	3.15V	YES	3.683mm	28.575mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
7026S25J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	305mA		RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	2			25 ns	16KX16	3-STATE		14b	256 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9199L7PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	250mA		RAM, SDR, SRAM	Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100		Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm		45.45MHz	20				COMMERCIAL	Parallel	128kB	2			18 ns		3-STATE		34b	1.1 Mb				COMMON	Synchronous	9b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7130SA20PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	250mA		RAM, SDR, SRAM		2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm			20			5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2			20 ns	1KX8	3-STATE		20b	8 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71T75602S100BGG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA	119	175mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM			2012	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	流水线结构		2.5V	BOTTOM	BALL	260	1			100MHz	30				COMMERCIAL	Parallel	2.3MB	1			5 ns		3-STATE		19b	18 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b	2.38V	2.625V	2.375V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
71256S100DB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	通孔	CDIP	28	135mA	RAM, SRAM - Asynchronous	Military grade		Bulk	2011	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	28		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C			5V	DUAL		240	1	2.54mm						5V	MILITARY	Parallel		1			100 ns	32KX8	3-STATE		15b	256 kb	0.02A	MIL-STD-883 Class B		COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		5.08mm	37.2mm	15.24mm	1.65mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71T75602S150PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TQFP	100	215mA	RAM, SRAM				2012	e0			3 (168 Hours)	100			70°C	0°C	流水线结构		2.5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	150MHz	20		不合格		COMMERCIAL	Parallel		1			3.8 ns		3-STATE	36	19b	18 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b	2.38V	2.625V	2.375V			20mm				Non-RoHS Compliant
7024S15J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	310mA		RAM, SDR, SRAM		2000	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	2			15 ns	4KX16	3-STATE		24b	64 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V3556S100BGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA	YES	119		RAM, SRAM				2007	e0			3 (168 Hours)	119	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27mm	not_compliant	100MHz	未说明		不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	0.255mA		128KX36	3-STATE	36			0.045A	4718592 bit	5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		2.36mm	22mm	14mm			Non-RoHS Compliant
71V35761SA166BQGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	11 Weeks	表面贴装	FBGA	165	330mA		RAM, SRAM		2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C	流水线结构		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			166MHz	30		不合格		INDUSTRIAL	Parallel		1			3.5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.035A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm		符合RoHS标准	无铅
70V9269S6PRF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	128	395mA		RAM, SDR, SRAM	Bulk	2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	225		0.5mm		52.6MHz					COMMERCIAL	Parallel	32kB	2			6 ns	16KX16	3-STATE		14b	256 kb	0.005A			COMMON	Synchronous	16b	3V	3.6V	3V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71256L25TDB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	CDIP		28	130mA	RAM, SRAM - Asynchronous	Military grade		Bulk	2011	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	28		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C			5V	DUAL		240	1	2.54mm						5V	MILITARY	Parallel		1			25 ns	32KX8	3-STATE		15b	256 kb	0.0005A	MIL-STD-883 Class B		COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		5.08mm	37.72mm	7.62mm	3.56mm	无	符合RoHS标准	含铅
7025L20J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	240mA		RAM, SDR, SRAM		2008	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP		5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2			20 ns	8KX16	3-STATE		26b	128 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V		4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V2556S133PFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP	100	300mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM			2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	流水线结构		3.3V	QUAD	FLAT	260	1	0.65mm		133MHz	30				COMMERCIAL	Parallel	512kB	1			4.2 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V67703S75BQG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	165	265mA	RAM, SRAM			Tape & Reel	2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			117MHz	30				COMMERCIAL	Parallel		1			7.5 ns	256KX36			18b	9 Mb					Synchronous	36b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71P71604S250BQ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES	165		DDR, RAM, SRAM				2007	e0			3 (168 Hours)	165	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C		8542.32.00.41	1.8V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	not_compliant	250MHz	20		不合格	1.5/1.81.8V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	0.8mA		512KX36	3-STATE	36			0.325A	18874368 bit	0.45 ns	COMMON			1.7V	1.9V	1.7V		1.2mm	15mm	13mm			Non-RoHS Compliant
IDT6116LA20SO8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	SOIC	YES	24		RAM, SRAM - Asynchronous			Tape & Reel (TR)	2008	e0			1 (Unlimited)	24	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C		8542.32.00.41	5V	DUAL	鸥翼	225	1	1.27mm	not_compliant		30	R-PDSO-G24	不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1		0.12mA		2KX8	3-STATE	8			0.00002A	16384 bit	20 ns	COMMON			2V	5.5V	4.5V	YES	2.65mm	15.4mm	7.5mm			Non-RoHS Compliant
71V424S10PHGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44	180mA		RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm			30				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1			10 ns		3-STATE		19b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
7143SA55GB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	通孔	68	315mA	RAM, SRAM			Bulk	2013			活跃					125°C	-55°C			5V													Parallel		2			55 ns				22b	32 kb					Asynchronous	16b		5.5V	4.5V			29.46mm	29.46mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V27S25PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	245mA		RAM, SDR, SRAM		2012			活跃					70°C	0°C			3.3V													Parallel	64kB	2			25 ns				30b	512 kb					Asynchronous	16b		3.6V	3V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅