品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

质量

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

IDT71P71604S200BQ
IDT71P71604S200BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

DDR, RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

8542.32.00.41

1.8V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

200MHz

20

不合格

1.5/1.81.8V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.7mA

512KX36

3-STATE

36

0.3A

18874368 bit

0.45 ns

COMMON

1.7V

1.9V

1.7V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

70V3599S166BF8
70V3599S166BF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

500mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

1

0.8mm

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

512kB

2

20 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V27S55PF8
70V27S55PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

100

RAM, SDR, SRAM

2012

活跃

70°C

0°C

3.3V

Parallel

64kB

2

55 ns

30b

512 kb

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V3577SA80BGGI
IDT71V3577SA80BGGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2005

e1

119

3A991.B.2.A

锡银铜

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

1

1.27mm

unknown

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

128KX36

36

4718592 bit

8 ns

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

符合RoHS标准

71024S25TYG8
71024S25TYG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

32

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

Discontinued

3 (168 Hours)

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

260

Parallel

128kB

1

25 ns

17b

1 Mb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

21.95mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V65602S133BQ
IDT71V65602S133BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

165

RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

133MHz

20

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.3mA

256KX36

3-STATE

36

0.04A

9437184 bit

4.2 ns

COMMON

3V

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

7025S30J8
7025S30J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

16kB

2

30 ns

13b

128 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71T75802S100PF
IDT71T75802S100PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2015

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

100MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.175mA

1MX18

3-STATE

18

0.04A

18874368 bit

5 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

符合RoHS标准

IDT71V3577SA80BG8
IDT71V3577SA80BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2005

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

1

1.27mm

not_compliant

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

100MHz

0.2mA

128KX36

3-STATE

36

0.03A

4718592 bit

8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70V7599S133BC8
70V7599S133BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

645mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.7mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V05L55PF
70V05L55PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

64

RAM, SDR, SRAM

2006

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

0.155mA

55 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

COMMON

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V67603S150BGG
71V67603S150BGG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

BGA

119

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

3.3V

150MHz

305mA

Parallel

1.1MB

1

3.8 ns

18b

9 Mb

3.465V

3.135V

2.15mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

IDT70825L35PF
IDT70825L35PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

80

RAM

2009

e0

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN

8542.32.00.41

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

S-PQFP-G80

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

ASYNCHRONOUS

0.29mA

8KX16

16

0.0015A

131072 bit

35 ns

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70V25L55PF8
70V25L55PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

155mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

55 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7007S15PF8
7007S15PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

80

325mA

RAM, SDR, SRAM

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

15 ns

3-STATE

30b

256 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V65903S85PFG8
71V65903S85PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

657.000198mg

225mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

91MHz

30

225mA

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

8.5 ns

19b

9 Mb

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

1.4mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V08L35PF8
70V08L35PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

160mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

SEMAPHORE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

35 ns

64KX8

3-STATE

32b

512 kb

0.003A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7006S35GB
7006S35GB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

68

RAM, SRAM

Military grade

Bulk

2010

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

5V

MILITARY

Parallel

2

0.3mA

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.03A

MIL-PRF-38535

35 ns

COMMON

29.46mm

29.46mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

7143LA55J
7143LA55J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

250mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

55 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V27L15PFG8
70V27L15PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

100

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2012

活跃

70°C

0°C

3.3V

Parallel

64kB

2

15 ns

30b

512 kb

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT6116LA35SOGI
IDT6116LA35SOGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

24

95mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2008

e3

1 (Unlimited)

24

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

鸥翼

260

1

unknown

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

1

35 ns

2KX8

3-STATE

8

11b

16 kb

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

2.65mm

符合RoHS标准

7132SA100P
7132SA100P
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

PDIP

48

155mA

SDR

Bulk

2010

Discontinued

70°C

0°C

5V

Parallel

2kB

2

100 ns

22b

16 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

61.7mm

15.24mm

3.8mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71P72604S167BQGI
IDT71P72604S167BQGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

165

900mA

QDR, RAM, SRAM

2006

85°C

-40°C

1.8V

167MHz

Parallel

2

500 ps

18b

18 Mb

Synchronous

36b

1.9V

1.7V

符合RoHS标准

70V3379S5BFI8
70V3379S5BFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

415mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

100MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

5 ns

3-STATE

30b

576 kb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V3579YS65PFG
IDT71V3579YS65PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2006

e3

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

unknown

30

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

133MHz

0.3mA

256KX18

3-STATE

18

0.03A

4718592 bit

6.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

符合RoHS标准