Integrated Device Technology (IDT) 71024S25TYG8
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71024S25TYG8
1179-71024S25TYG8
存储器
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SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 25ns 32-Pin SOJ T/R
1最小包装量--
71024S25TYG8详情
Integrated Device Technology (IDT) 71024S25TYG8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
32
Memory Types
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
引脚数量
32
工作电源电压
5V
界面
Parallel
最大电源电压
5.5V
最小电源电压
4.5V
内存大小
128kB
端口的数量
1
访问时间
25 ns
地址总线宽度
17b
密度
1 Mb
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
长度
21.95mm
宽度
7.6mm
器件厚度
2.67mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
71024S25TYG8拓展信息
IDT
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