IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	质量	Current - Supply (Nom)		包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	最大电流源	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	高度	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
IDT71V3558XS133PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			LQFP	YES				RAM, SRAM	Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	100		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	225		0.635mm	not_compliant	133MHz	未说明	R-PQFP-G100		不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.31mA		256KX18	3-STATE	18			0.045A	4718592 bit	4.2 ns	COMMON			3.14V										Non-RoHS Compliant
IDT71V416L10YI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装			44			RAM, SRAM - Asynchronous	Rail/Tube	2007								85°C	-40°C			3.3V														Parallel		1				10 ns				18b	4 Mb					Asynchronous	16b		3.6V	3V								Non-RoHS Compliant
IDT71V256SA10PZ8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			TSSOP	YES	28			RAM, SRAM - Asynchronous	Tape & Reel (TR)	2009	e0			3 (168 Hours)	28	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	鸥翼	240	1	0.55mm	not_compliant		20	R-PDSO-G28		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.1mA		32KX8	3-STATE	8			0.002A	262144 bit	10 ns	COMMON			3V	3.6V	3V	YES		1.2mm	11.8mm	8mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V416S10BEI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TFBGA		48		200mA	RAM, SRAM - Asynchronous		2007	e0			4 (72 Hours)	48		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.75mm	not_compliant		30			不合格		INDUSTRIAL	Parallel		1				10 ns		3-STATE	16	18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V				9mm				Non-RoHS Compliant
IDT71V65903S85PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			LQFP	YES	100			RAM, SRAM	Tape & Reel (TR)	2009	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant		20	R-PQFP-G100		不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	90MHz	0.06mA		512KX18	3-STATE	18			0.06A	9437184 bit	8.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V3556S100BQ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				YES	165			RAM, SRAM		2007	e0	no		3 (168 Hours)	165	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	not_compliant	100MHz	20			不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.25mA		128KX36	3-STATE	36			0.04A	4718592 bit	5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			1.2mm	15mm	13mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V25761S183PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			LQFP	YES	100			RAM, SRAM		2009	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	183MHz	20	R-PQFP-G100		不合格	2.53.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.34mA		128KX36	3-STATE	36			0.03A	4718592 bit	3.3 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V2576S133PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			LQFP	YES	100			RAM, SRAM		2009	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	133MHz	20	R-PQFP-G100		不合格	2.53.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.25mA		128KX36	3-STATE	36			0.03A	4718592 bit	4.2 ns	COMMON			3.13V	3.465V	3.135V			1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
7142LA25J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC		52		170mA	RAM, SDR, SRAM		2004			活跃					70°C	0°C			5V														Parallel	2kB	2				25 ns				22b	16 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V				19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V016SA10PH8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TSOP		44		160mA	RAM, SRAM - Asynchronous	卷带	2007	e0			3 (168 Hours)	44			70°C	0°C			3.3V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm	not_compliant		20			不合格		COMMERCIAL	Parallel		1				10 ns		3-STATE	16	16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b		3.6V	3.15V	YES							Non-RoHS Compliant
7132SA55CB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	DIP		48		190mA	RAM, SRAM	Bulk	2007			活跃					125°C	-55°C			5V														Parallel		2				55 ns				22b	16 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V				61.72mm	15.24mm	3.3mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V7519S133DR	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PQFP		208		645mA	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm		133MHz	20					INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	2				25 ns		3-STATE		36b	9 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V			4.1mm	28mm	28mm	3.5mm	无	符合RoHS标准	含铅
7140SA20J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC		52	2.96261g	250mA	RAM, SDR, SRAM		2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	J BEND	225	1						110mA		5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2				20 ns	1KX8	3-STATE		20b	8 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		3.63mm		19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V3577S75PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			LQFP	YES	100			RAM, SRAM	Tape & Reel (TR)	2005	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant		20	R-PQFP-G100		不合格		INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS				128KX36		36				4718592 bit	7.5 ns					3.465V	3.135V			1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
70V3599S166BFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks			YES	208			RAM, SDR, SRAM		2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL		1	0.8mm		166MHz						COMMERCIAL	Parallel	512kB	2			0.5mA	20 ns		3-STATE		34b	4.5 Mb	0.03A			COMMON				3.45V	3.15V				15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7019L15PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		100		340mA	RAM, SDR, SRAM		2009			活跃					70°C	0°C			5V														Parallel	128kB	2				15 ns				17b	1.1 Mb					Asynchronous	9b		5.5V	4.5V				14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7142LA35J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC		52		120mA	RAM, SDR, SRAM		2010			活跃					70°C	0°C			5V														Parallel	2kB	2				35 ns				22b	16 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V				19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7132LA35J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC		52		120mA	RAM, SDR, SRAM		2004	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1								5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2				35 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V67602S133PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			LQFP	YES	100			RAM, SRAM		2009	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	133MHz	20	R-PQFP-G100		不合格	2.53.3V	INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.28mA		256KX36	3-STATE	36			0.07A	9437184 bit	4.2 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V3577S80PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TQFP		100		210mA	RAM, SRAM		2005	e0			3 (168 Hours)	100			85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	100MHz	20			不合格		INDUSTRIAL	Parallel		1				8 ns		3-STATE	36	17b	4.5 Mb	0.035A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V				20mm				Non-RoHS Compliant
IDT71V67703S85PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TQFP		100		210mA	RAM, SRAM		2009	e0			3 (168 Hours)	100			85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	87MHz	20			不合格		INDUSTRIAL	Parallel		1				8.5 ns	256KX36	3-STATE	36	18b	9 Mb	0.07A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V				20mm				Non-RoHS Compliant
7130LA20TF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	LQFP		64		200mA	RAM, SDR, SRAM		2005			活跃					70°C	0°C			5V														Parallel	1kB	2				20 ns				10b	8 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V				10mm	10mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
709379L9PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		100		400mA	RAM, SDR, SRAM		2009			活跃					70°C	0°C			5V							40MHz							Parallel	72kB	2				9 ns				30b	576 kb					Synchronous	18b		5.5V	4.5V				14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V37L20PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks		TQFP		100			RAM, SDR, SRAM		2009			活跃					70°C	0°C			3.3V														Parallel	72kB	2				20 ns				15b	576 kb								3.6V	3V				14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V3577SA75BGG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			BGA	YES	119			RAM, SRAM		2005	e1				119	3A991.B.2.A	锡银铜	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL		1	1.27mm	unknown					不合格		COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS				128KX36		36				4718592 bit	7.5 ns					3.465V	3.135V			2.36mm	22mm	14mm			符合RoHS标准