IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	质量	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	最大电流源	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	高度	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
7005L17PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP		64			RAM, SDR, SRAM			2012			活跃					70°C	0°C			5V														Parallel	8kB	2				17 ns				26b	64 kb								5.5V	4.5V				14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V256SA12YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		28		90mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2012	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1									COMMERCIAL	Parallel	32kB	1				12 ns	32KX8	3-STATE		15b	256 kb	0.002A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT70V7319S166DD	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		TQFP	YES	144			RAM, SRAM			2008	e0			4 (72 Hours)	144	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm	not_compliant	166MHz	20	S-PQFP-G144		不合格	2.5/3.33.3V	COMMERCIAL	Parallel		2	SYNCHRONOUS		0.79mA		256KX18	3-STATE	18			0.03A	4718592 bit	12 ns	COMMON			3.15V	3.45V	3.15V			1.6mm	20mm	20mm			Non-RoHS Compliant
70T651S15BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256		305mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm			20					COMMERCIAL	Parallel		2				15 ns		3-STATE		18b	9 Mb	0.01A			COMMON	Asynchronous	36b		2.6V	2.4V			1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9269S7PRF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	128		335mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	225		0.5mm		45.45MHz						COMMERCIAL	Parallel	32kB	2				7 ns	16KX16	3-STATE		14b	256 kb	0.005A			COMMON	Synchronous	16b	3V	3.6V	3V				20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7035S20PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100		290mA	RAM, SDR, SRAM			2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				5V	COMMERCIAL	Parallel	18kB	2				20 ns	8KX18	3-STATE		13b	144 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	18b		5.5V	4.5V			1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V256SA10YG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	28			RAM, SRAM - Asynchronous			2012	e3	yes			28	EAR99	哑光锡	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	260	1	1.27mm			30			不合格		COMMERCIAL	Parallel		1					32KX8	3-STATE	8				262144 bit	10 ns					3.6V	3V	YES		3.556mm	17.9324mm	7.5184mm			符合RoHS标准
7130SA20PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64		250mA	RAM, SDR, SRAM			2005	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm			20				5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2				20 ns	1KX8	3-STATE		10b	8 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V67602S166PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100			RAM, SRAM			2009	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	166MHz	20	R-PQFP-G100		不合格	2.53.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.34mA		256KX36	3-STATE	36			0.05A	9437184 bit	3.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
70V9289L9PRFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		128		240mA	83MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm		40MHz						INDUSTRIAL	Parallel	128kB	2				9 ns	64KX16	3-STATE		32b	1 Mb				COMMON	Synchronous	16b	3V	3.6V	3V			1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V424S15Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	36			RAM, SRAM - Asynchronous			2009	e0			3 (168 Hours)	36	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30			不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel		1			0.16mA		512KX8	3-STATE	8			0.02A	4194304 bit	15 ns	COMMON			3V	3.6V	3V	YES		3.683mm	23.495mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
70V34L15PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100		185mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20					COMMERCIAL	Parallel	9kB	2				15 ns	4KX18	3-STATE		24b	72 kb				COMMON	Asynchronous	18b	3V	3.6V	3V			1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V38L20PFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100		220mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20					INDUSTRIAL	Parallel	128kB	2				20 ns	64KX18	3-STATE		32b	1.1 Mb	0.003A			COMMON	Asynchronous	18b	3V	3.6V	3V			1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V65802S133BQ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	165			RAM, SRAM			2007	e0			3 (168 Hours)	165	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	not_compliant	133MHz	20			不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.3mA		512KX18	3-STATE	18			0.04A	9437184 bit	4.2 ns	COMMON				3.465V	3.135V			1.2mm	15mm	13mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V416L12YI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	44			RAM, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel (TR)	2007	e0	no		3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30			不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel					0.17mA		256KX16	3-STATE	16			0.01A	4194304 bit	12 ns	COMMON			3V	3.6V	3V			3.683mm	28.575mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
70V658S12BFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208		515mA	RAM, SRAM			2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.8mm			30					INDUSTRIAL	Parallel		2				12 ns	64KX36	3-STATE		16b	2.3 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V				15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71V25761SA183BQ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	165			RAM, SRAM			2009	e0			3 (168 Hours)	165	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	not_compliant	183MHz	20			不合格	2.53.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.34mA		128KX36	3-STATE	36			0.03A	4718592 bit	3.3 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			1.2mm	15mm	13mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V65802S150PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100			RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	150MHz	20	R-PQFP-G100		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.325mA		512KX18	3-STATE	18			0.04A	9437184 bit	3.8 ns	COMMON				3.465V	3.135V			1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V3558S133PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100			RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	100	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.65mm	not_compliant	133MHz	20	R-PQFP-G100		不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.3mA		256KX18	3-STATE	18			0.04A	4718592 bit	4.2 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			1.6mm	20mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V3557SA85BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		BGA	YES	119			RAM, SRAM			2009	e0			3 (168 Hours)	119	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27mm	not_compliant		未说明			不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	90MHz	0.225mA		128KX36	3-STATE	36			0.04A	4718592 bit	8.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			2.36mm	22mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71V25761SA166BG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		BGA	YES	119			RAM, SRAM			2009	e0			3 (168 Hours)	119	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27mm	not_compliant	166MHz	未说明			不合格	2.53.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.32mA		128KX36	3-STATE	36			0.03A	4718592 bit	3.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			2.36mm	22mm	14mm			Non-RoHS Compliant
70V09L15PF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	657.000198mg	235mA	RAM, SDR, SRAM			2009			活跃					70°C	0°C			3.3V										235mA				Parallel	128kB	2				15 ns				17b	1 Mb					Asynchronous	8b		3.6V	3V		1.4mm		14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7130LA55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52		110mA	RAM, SDR, SRAM			1997			活跃					70°C	0°C			5V														Parallel	1kB	2				55 ns				20b	8 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V				19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V3556S166BGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		BGA	YES	119			RAM, SRAM		Tape & Reel (TR)	2007	e0			3 (168 Hours)	119	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27mm	not_compliant	166MHz	未说明			不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS		0.36mA		128KX36	3-STATE	36			0.045A	4718592 bit	3.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V			2.36mm	22mm	14mm			Non-RoHS Compliant
IDT71124S12Y8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装			32		160mA	RAM, SRAM - Asynchronous		卷带	2009	e0			3 (168 Hours)	32			70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	225	1		not_compliant		30			不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1				12 ns		3-STATE	8	17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	YES		3.683mm	20.955mm				Non-RoHS Compliant