IDT71V3556S166BGI8
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Integrated Device Technology (IDT) IDT71V3556S166BGI8

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型号

IDT71V3556S166BGI8

utmel 编号

1179-IDT71V3556S166BGI8

商品类别

存储器

封装

BGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SRAM 4.5MBIT 166MHZ 119BGA

起订量

1最小包装量--

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IDT71V3556S166BGI8
IDT71V3556S166BGI8 Integrated Device Technology (IDT) IC SRAM 4.5MBIT 166MHZ 119BGA

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IDT71V3556S166BGI8详情

Integrated Device Technology (IDT) IDT71V3556S166BGI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    BGA

  • 表面安装

    YES

  • Memory Types

    RAM, SRAM

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e0

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    119

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn63Pb37)

  • 最高工作温度

    85°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    1.27mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 频率

    166MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    119

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.465V

  • 电源

    3.3V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3.135V

  • 界面

    Parallel

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.36mA

  • 组织结构

    128KX36

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    36

  • 待机电流-最大值

    0.045A

  • 记忆密度

    4718592 bit

  • 访问时间(最大)

    3.5 ns

  • I/O类型

    COMMON

  • 待机电压-最小值

    3.14V

  • 长度

    22mm

  • 座位高度(最大)

    2.36mm

  • 宽度

    14mm

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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IDT71V3556S166BGI8拓展信息

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