品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71V2556S100PFG8
71V2556S100PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

250mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

FLAT

260

1

0.65mm

100MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7025S17J
7025S17J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

310mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

17 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V3558S200BG
IDT71V3558S200BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

200MHz

未说明

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.4mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

3.2 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

7027L55PF
7027L55PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

230mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

64kB

2

55 ns

30b

512 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7009L15PF
7009L15PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

340mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

15 ns

3-STATE

34b

1 Mb

0.003A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V65603S133BQGI8
71V65603S133BQGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

YES

165

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2007

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

1.1MB

1

0.32mA

7.5 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.06A

COMMON

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V3556S133BQI
IDT71V3556S133BQI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

133MHz

20

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.31mA

128KX36

3-STATE

36

0.045A

4718592 bit

4.2 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V124SA20PH8
IDT71V124SA20PH8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2007

e0

no

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

1.27mm

not_compliant

30

R-PDSO-G32

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.095mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

20 ns

COMMON

3V

3.6V

3.15V

1.2mm

20.95mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V124SA20TYGI8
IDT71V124SA20TYGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2007

e3

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

1.27mm

unknown

30

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.115mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

20 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

3.7592mm

20.955mm

7.62mm

符合RoHS标准

IDT70825L20PF
IDT70825L20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TQFP

80

330mA

RAM

2009

e0

3 (168 Hours)

80

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

2

20 ns

8KX16

16

26b

128 kb

0.0015A

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V2576S150PFI
IDT71V2576S150PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

150MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.53.3V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.305mA

128KX36

3-STATE

36

0.035A

4718592 bit

3.8 ns

COMMON

3.13V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

71V67703S75BG8
71V67703S75BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

265mA

117MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

117MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

7.5 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.05A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V124SA20PHI8
IDT71V124SA20PHI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2007

e0

no

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

1.27mm

not_compliant

30

R-PDSO-G32

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.115mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

20 ns

COMMON

3V

3.6V

3.15V

1.2mm

20.95mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

7133SA90G
7133SA90G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

68

280mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

90 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

29.46mm

29.46mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

70V7319S133BC
70V7319S133BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

645mA

RAM, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

18b

4 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.7mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V424S10PH8
IDT71V424S10PH8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

R-PDSO-G44

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.18mA

512KX8

3-STATE

8

0.02A

4194304 bit

10 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

7015L12PF8
7015L12PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

80

275mA

RAM, SDR, SRAM

2010

no

活跃

EAR99

70°C

0°C

5V

Parallel

9kB

2

12 ns

26b

72 kb

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

6116SA55TDB
6116SA55TDB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

CDIP

NO

24

SDR

Military grade

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

24

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

240

1

2.54mm

5V

MILITARY

Parallel

2kB

1

55 ns

2KX8

3-STATE

11b

16 kb

MIL-STD-883 Class B

COMMON

5.5V

4.5V

5.08mm

32.51mm

7.62mm

3.56mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V124SA15YI
IDT71V124SA15YI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

32

120mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2007

e0

3 (168 Hours)

32

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

not_compliant

30

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

1

15 ns

3-STATE

8

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

3.683mm

20.955mm

Non-RoHS Compliant

71V3577S65PFGI
71V3577S65PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

LQFP

100

RAM, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

哑光锡

85°C

-40°C

3.3V

260

Parallel

1

17b

4 Mb

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V416VL15PH
IDT71V416VL15PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2005

e3

yes

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

哑光锡

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

30

R-PDSO-G44

不合格

COMMERCIAL

Parallel

256KX16

16

4194304 bit

15 ns

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT71016S12YGI8
IDT71016S12YGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2008

e3

yes

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

J BEND

260

1

1.27mm

unknown

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

0.21mA

64KX16

3-STATE

16

0.01A

1048576 bit

12 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

3.683mm

28.575mm

10.16mm

符合RoHS标准

IDT71V124SA20TYG
IDT71V124SA20TYG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e3

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

1.27mm

unknown

30

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.095mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

20 ns

COMMON

3V

3.6V

3.15V

3.7592mm

20.955mm

7.62mm

符合RoHS标准

71V2556SA100BG
71V2556SA100BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

250mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2011

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

100MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

71V67603S166BQ8
71V67603S166BQ8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

165

340mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

3.3V

166MHz

340mA

Parallel

1.1MB

1

3.5 ns

18b

9 Mb

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅