品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71342SA70J8
71342SA70J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

240mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

70 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

71342SA45J8
71342SA45J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

240mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

45 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

70V3389S4BC
70V3389S4BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

460mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

4.2 ns

64KX18

3-STATE

32b

1.1 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

17mm

17mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

70V3389S4PRF
70V3389S4PRF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

460mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

4.2 ns

64KX18

3-STATE

32b

1.1 Mb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

20mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

70V659S12DR
70V659S12DR
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PQFP

208

465mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

20

465mA

COMMERCIAL

Parallel

512kB

2

12 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

36b

3.45V

3.15V

4.1mm

28mm

28mm

3.5mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V25761YSA166BG
IDT71V25761YSA166BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

166MHz

未说明

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.32mA

128KX36

3-STATE

36

0.03A

4718592 bit

3.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V3577S80PF8
IDT71V3577S80PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TQFP

100

200mA

RAM, SRAM

卷带

2005

e0

3 (168 Hours)

100

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

100MHz

20

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

8 ns

3-STATE

36

17b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

Non-RoHS Compliant

7130LA20JG
7130LA20JG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

200mA

RAM, SDR, SRAM

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

1kB

2

20 ns

20b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

无铅

70T651S15DR
70T651S15DR
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PQFP

208

305mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

2.5V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

20

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

2

15 ns

3-STATE

36b

9 Mb

0.01A

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

4.1mm

28mm

28mm

3.5mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V416VS10PH
IDT71V416VS10PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2005

e3

yes

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

unknown

30

R-PDSO-G44

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.2mA

256KX16

3-STATE

16

0.02A

4194304 bit

10 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V25761SA200BQ
IDT71V25761SA200BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

165

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

165

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

not_compliant

200MHz

20

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.36mA

128KX36

3-STATE

36

0.03A

4718592 bit

3.1 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.2mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V3577S75PF
IDT71V3577S75PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TQFP

100

255mA

RAM, SRAM

2005

e0

3 (168 Hours)

100

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

117MHz

20

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

7.5 ns

3-STATE

36

17b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

Non-RoHS Compliant

71321LA25PF8
71321LA25PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

170mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

709289L12PF
709289L12PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

355mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

33.3MHz

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

12 ns

64KX16

3-STATE

16b

1 Mb

0.003A

COMMON

Synchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

71321LA25TF
71321LA25TF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

LQFP

64

170mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

10mm

10mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V67603S150PF8
IDT71V67603S150PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

150MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.305mA

256KX36

3-STATE

36

0.05A

9437184 bit

3.8 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

70V9159L7PF
70V9159L7PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

280mA

RAM, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

45.45MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

2

18 ns

8KX9

3-STATE

26b

72 kb

0.003A

COMMON

Synchronous

9b

3V

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

71024S25TYG
71024S25TYG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

32

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

Discontinued

3 (168 Hours)

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

260

Parallel

128kB

1

25 ns

17b

1 Mb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

21.95mm

7.6mm

2.67mm

无

符合RoHS标准

无铅

7007L55J
7007L55J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

230mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2008

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

55 ns

3-STATE

30b

256 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

无

符合RoHS标准

含铅

709279S15PF8
709279S15PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

325mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

28.5MHz

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

15 ns

3-STATE

15b

512 kb

0.015A

COMMON

Synchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V65802S133BG
IDT71V65802S133BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

YES

119

RAM, SRAM

2007

e0

3 (168 Hours)

119

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

BOTTOM

BALL

未说明

1

1.27mm

not_compliant

133MHz

未说明

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.3mA

512KX18

3-STATE

18

0.04A

9437184 bit

4.2 ns

COMMON

3.465V

3.135V

2.36mm

22mm

14mm

Non-RoHS Compliant

7164L25TDB
7164L25TDB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

CDIP

NO

28

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Military grade

Bulk

2011

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

28

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

240

1

2.54mm

5V

MILITARY

Parallel

8kB

1

25 ns

8KX8

3-STATE

13b

64 kb

0.0002A

MIL-STD-883 Class B

COMMON

2V

5.5V

4.5V

37.72mm

7.62mm

3.56mm

无

符合RoHS标准

含铅

70261L35PF8
70261L35PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

255mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

32kB

2

35 ns

28b

256 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

70V9279S6PRF8
70V9279S6PRF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

395mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

52.6MHz

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

6 ns

3-STATE

30b

512 kb

0.005A

COMMON

Synchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

无

符合RoHS标准

含铅

IDT71V2559S75PF8
IDT71V2559S75PF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

Tape & Reel (TR)

2007

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

100MHz

0.275mA

256KX18

3-STATE

18

0.04A

4718592 bit

7.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant