品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

筛选水平

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

7143SA25G
7143SA25G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

68

300mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

25 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

29.46mm

29.46mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

7143LA90J8
7143LA90J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

250mA

RAM, SDR, SRAM

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

4kB

2

90 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7006L17J
7006L17J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

260mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

17 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7025S35GB
7025S35GB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

通孔

84

300mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2012

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

16kB

2

35 ns

26b

128 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

27.94mm

27.94mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

7143SA20J8
7143SA20J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

310mA

RAM, SDR, SRAM

2013

no

活跃

EAR99

70°C

0°C

5V

Parallel

4kB

2

20 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7143SA35J
7143SA35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

295mA

RAM, SDR, SRAM

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

4kB

2

35 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V3399S133BC
70V3399S133BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

YES

256

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

256kB

2

0.4mA

4.2 ns

3-STATE

34b

2.3 Mb

0.03A

COMMON

3.45V

3.15V

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7005L55J8
7005L55J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

210mA

RAM, SDR, SRAM

2012

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

8kB

2

55 ns

26b

64 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70V9279S9PRFI
70V9279S9PRFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

128

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

INDUSTRIAL

Parallel

64kB

2

66MHz

9 ns

3-STATE

30b

512 kb

0.005A

COMMON

3V

3.6V

3V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V016SA15BFGI8
71V016SA15BFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

48

130mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2009

活跃

85°C

-40°C

3.3V

Parallel

128kB

1

15 ns

16b

1 Mb

Asynchronous

16b

3.6V

3V

7mm

7mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V06L35J8
70V06L35J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

155mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

35 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

COMMON

Asynchronous

8b

2V

3.6V

3V

4.57mm

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7133LA35G
7133LA35G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

68

250mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

35 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

29.46mm

29.46mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

7164L85TDB
7164L85TDB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

CDIP

28

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Bulk

2007

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

8kB

1

85 ns

13b

64 kb

5.5V

4.5V

37.72mm

7.62mm

3.56mm

符合RoHS标准

含铅

5962-8855202XA
5962-8855202XA
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

CDIP

28

115mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2001

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

32kB

1

70 ns

15b

256 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

37.2mm

15.24mm

1.65mm

符合RoHS标准

含铅

7164S85TDB
7164S85TDB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

CDIP

28

100mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Bulk

2007

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

1

85 ns

13b

64 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

37.72mm

7.62mm

3.56mm

符合RoHS标准

含铅

7133SA25J8
7133SA25J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

300mA

RAM, SDR, SRAM

2005

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

4kB

2

25 ns

22b

32 kb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7005L20FB
7005L20FB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

68

320mA

RAM, SDR, SRAM

2012

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

8kB

2

20 ns

26b

64 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

2mm

符合RoHS标准

含铅

70V3579S4BFG
70V3579S4BFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

460mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2008

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.8mm

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

7.5 ns

3-STATE

30b

1.1 Mb

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7005S20J8
7005S20J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

290mA

RAM, SDR, SRAM

2012

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

20 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

0.155A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7133SA55GB
7133SA55GB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

NO

68

RAM, SDR, SRAM

Military grade

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

20

5V

MILITARY

Parallel

4kB

2

0.315mA

55 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.015A

MIL-PRF-38535

COMMON

2V

5.5V

4.5V

29.46mm

29.46mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

70P255L65BYGI
70P255L65BYGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

TFBGA

YES

100

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2011

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

1.8V

BOTTOM

BALL

260

1

0.5mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

16kB

2

0.07mA

65 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

0.000008A

COMMON

3V

1.8V

6mm

6mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

7006L35J
7006L35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

210mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

35 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7005S55GB
7005S55GB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

68

RAM, SRAM

Bulk

2012

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

2

26b

64 kb

29.46mm

29.46mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

70V07S55J8
70V07S55J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

140mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

2

55 ns

3-STATE

15b

256 kb

0.006A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7133SA70G
7133SA70G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

68

280mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

70 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

29.46mm

29.46mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅