70P255L65BYGI
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Integrated Device Technology (IDT) 70P255L65BYGI

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型号

70P255L65BYGI

utmel 编号

1179-70P255L65BYGI

商品类别

存储器

封装

TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Low Power Dual-Port RAM IC

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1最小包装量--

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70P255L65BYGI Integrated Device Technology (IDT) SRAM Low Power Dual-Port RAM IC

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70P255L65BYGI详情

Integrated Device Technology (IDT) 70P255L65BYGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 包装/外壳

    TFBGA

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    100

  • Memory Types

    RAM, SDR, SRAM

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    100

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 最高工作温度

    85°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.8V

  • 端子间距

    0.5mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    100

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 界面

    Parallel

  • 最大电源电压

    3V

  • 最小电源电压

    1.8V

  • 内存大小

    16kB

  • 端口的数量

    2

  • 电源电流-最大值

    0.07mA

  • 访问时间

    65 ns

  • 组织结构

    8KX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 地址总线宽度

    26b

  • 密度

    128 kb

  • 待机电流-最大值

    0.000008A

  • I/O类型

    COMMON

  • 长度

    6mm

  • 宽度

    6mm

  • 器件厚度

    1mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和Integrated Device Technology (IDT) & 70P255L65BYGI相似的参数规格。

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