品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

Current - Supply (Nom)

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

技术

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

内存格式

内存接口

组织结构

输出特性

内存宽度

写入周期时间 - 字符、页面

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

7005S25PFI
7005S25PFI
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

64-LQFP

64-TQFP (14x14)

Volatile

-40°C ~ 85°C (TA)

Tray

--

Obsolete

SRAM - Dual Port, Asynchronous

4.5 V ~ 5.5 V

64Kb (8K x 8)

25ns

SRAM

Parallel

25ns

71421LA55JI8
71421LA55JI8
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

52-LCC (J-Lead)

52-PLCC (19.13x19.13)

Volatile

-40°C ~ 85°C (TA)

Tape & Reel (TR)

--

Obsolete

SRAM - Dual Port, Asynchronous

4.5 V ~ 5.5 V

16Kb (2K x 8)

55ns

SRAM

Parallel

55ns

7024S20PFI
7024S20PFI
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

100-LQFP

100-TQFP (14x14)

Volatile

-40°C ~ 85°C (TA)

Tray

--

Obsolete

SRAM - Dual Port, Asynchronous

4.5 V ~ 5.5 V

64Kb (4K x 16)

20ns

SRAM

Parallel

20ns

7130SA55PFI8
7130SA55PFI8
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

64-LQFP

64-TQFP (14x14)

Volatile

-40°C ~ 85°C (TA)

Tape & Reel (TR)

--

Obsolete

SRAM - Dual Port, Asynchronous

4.5 V ~ 5.5 V

8Kb (1K x 8)

55ns

SRAM

Parallel

55ns

70V9079L15PF8
70V9079L15PF8
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

100-LQFP

100-TQFP (14x14)

Volatile

0°C ~ 70°C (TA)

Tape & Reel (TR)

--

Obsolete

SRAM - Dual Port, Synchronous

3 V ~ 3.6 V

256Kb (32K x 8)

15ns

SRAM

Parallel

--

7026L55JI
7026L55JI
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

84-LCC (J-Lead)

84-PLCC (29.21x29.21)

Volatile

-40°C ~ 85°C (TA)

Tube

--

Obsolete

SRAM - Dual Port, Asynchronous

4.5 V ~ 5.5 V

256Kb (16K x 16)

55ns

SRAM

Parallel

55ns

7130LA100JI
7130LA100JI
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

52-LCC (J-Lead)

52-PLCC (19.13x19.13)

Volatile

-40°C ~ 85°C (TA)

Tube

--

Obsolete

SRAM - Dual Port, Asynchronous

4.5 V ~ 5.5 V

8Kb (1K x 8)

100ns

SRAM

Parallel

100ns

70V631S15PRFI
70V631S15PRFI
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

128-LQFP

128-TQFP (14x20)

Volatile

-40°C ~ 85°C (TA)

Tray

--

Obsolete

SRAM - Dual Port, Asynchronous

3.15 V ~ 3.45 V

4.5Mb (256K x 18)

15ns

SRAM

Parallel

15ns

IDT7164L45TDB
IDT7164L45TDB
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7006S55PFI
7006S55PFI
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

64-LQFP

64-TQFP (14x14)

Volatile

-40°C ~ 85°C (TA)

Tray

--

Obsolete

SRAM - Dual Port, Asynchronous

4.5 V ~ 5.5 V

128Kb (16K x 8)

55ns

SRAM

Parallel

55ns

7130LA55JI
7130LA55JI
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

52-LCC (J-Lead)

52-PLCC (19.13x19.13)

Volatile

-40°C ~ 85°C (TA)

Tube

--

Obsolete

SRAM - Dual Port, Asynchronous

4.5 V ~ 5.5 V

8Kb (1K x 8)

55ns

SRAM

Parallel

55ns

7028L15PFI
7028L15PFI
Integrated Device Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

100-LQFP

100-TQFP (14x14)

Volatile

-40°C ~ 85°C (TA)

Tray

--

Obsolete

SRAM - Dual Port, Asynchronous

4.5 V ~ 5.5 V

1Mb (64K x 16)

15ns

SRAM

Parallel

15ns

IDT70825S35G
IDT70825S35G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

84

RAM

2009

e0

84

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN

8542.32.00.41

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

未说明

1

2.54mm

not_compliant

未说明

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

ASYNCHRONOUS

0.34mA

8KX16

16

0.015A

131072 bit

35 ns

5.5V

4.5V

5.207mm

27.94mm

27.94mm

Non-RoHS Compliant

IDT70825S25G
IDT70825S25G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

84

360mA

RAM

2009

e0

84

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

未说明

1

not_compliant

未说明

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

2

25 ns

8KX16

16

26b

128 kb

0.015A

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

Non-RoHS Compliant

IDT70824S35G
IDT70824S35G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

84

RAM

2009

e0

84

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

未说明

1

2.54mm

not_compliant

未说明

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

ASYNCHRONOUS

0.34mA

4KX16

16

15A

65536 bit

35 ns

5.5V

4.5V

5.207mm

27.94mm

27.94mm

Non-RoHS Compliant

IDT70825L20G
IDT70825L20G
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

84

RAM

2009

e0

84

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER-DOWN

8542.32.00.41

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

未说明

1

2.54mm

not_compliant

未说明

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

ASYNCHRONOUS

0.33mA

8KX16

16

0.0015A

131072 bit

20 ns

5.5V

4.5V

5.207mm

27.94mm

27.94mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V016SA12YI8
IDT71V016SA12YI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2007

e0

no

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.16mA

64KX16

3-STATE

16

0.01A

1048576 bit

12 ns

COMMON

3.15V

3.6V

3.15V

3.683mm

28.575mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

7143LA35GB
7143LA35GB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

通孔

68

295mA

RAM, SRAM

Military grade

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

68

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

20

5V

MILITARY

Parallel

2

35 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.004A

MIL-PRF-38535

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

29.46mm

29.46mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

70V7319S166BF8
70V7319S166BF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

790mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

18b

4 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7016S15J8
7016S15J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

310mA

RAM, SDR, SRAM

2009

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

18kB

2

15 ns

28b

144 kb

Asynchronous

9b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71321LA20JG8
71321LA20JG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

10000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

200mA

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2008

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

52

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

J BEND

260

1

30

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

20 ns

3-STATE

11b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

无铅

7005L35FB
7005L35FB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

表面贴装

68

250mA

RAM, SRAM

2005

活跃

125°C

-55°C

5V

Parallel

2

35 ns

26b

64 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

24mm

24mm

2mm

符合RoHS标准

含铅

70V3399S166BFG8
70V3399S166BFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

YES

208

166MHz

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2013

e1

yes

3 (168 Hours)

208

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.8mm

166MHz

30

500mA

COMMERCIAL

Parallel

256kB

2

3.6 ns

3-STATE

18

34b

2.3 Mb

0.03A

COMMON

3.45V

3.15V

符合RoHS标准

70V3399S133BFGI
70V3399S133BFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

YES

208

RAM, SRAM

Bulk

2014

e1

yes

3 (168 Hours)

208

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.8mm

133MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

2

0.48mA

3-STATE

18

34b

2.3 Mb

0.04A

COMMON

3.15V

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

符合RoHS标准

70V3399S133BFGI8
70V3399S133BFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

208

RAM, SRAM

Tape & Reel

2014

e1

yes

3 (168 Hours)

208

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.8mm

133MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

2

0.48mA

3-STATE

18

34b

2.3 Mb

0.04A

COMMON

3.15V

3.45V

3.15V

符合RoHS标准