IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	筛选水平	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
IDT71V3557S80BQI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	165		RAM, SRAM			2009	e0			3 (168 Hours)	165	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	8542.32.00.41	3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm	not_compliant		20		不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	95MHz	0.26mA		128KX36	3-STATE	36			0.045A	4718592 bit	8 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V	1.2mm	15mm	13mm			Non-RoHS Compliant
IDT70825L25G	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		TO-10	NO	84		RAM			2009	e0				84	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN	8542.32.00.41	5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG	未说明	1	2.54mm	not_compliant		未说明		不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel			ASYNCHRONOUS		0.31mA		8KX16		16			0.0015A	131072 bit	25 ns					5.5V	4.5V	5.207mm	27.94mm	27.94mm			Non-RoHS Compliant
IDT70P3337S233RMI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		FCBGA	YES	576		QDR, RAM, SRAM			2006	e1				576	3A991.B.2.A	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	1.8V	BOTTOM	BALL	260	1	1mm		233MHz	40	S-PBGA-B576	不合格		INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS				512KX18		18				9437184 bit	0.45 ns					1.9V	1.7V	2.55mm	25mm	25mm			Non-RoHS Compliant
IDT70825L35G	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			NO	84		RAM			2009	e0				84	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN	8542.32.00.41	5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG	未说明	1	2.54mm	not_compliant		未说明		不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel			ASYNCHRONOUS		0.29mA		8KX16		16			0.0015A	131072 bit	35 ns					5.5V	4.5V	5.207mm	27.94mm	27.94mm			Non-RoHS Compliant
IDT70825S20G	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			NO	84		RAM			2009	e0				84	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN	8542.32.00.41	5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG	未说明	1	2.54mm	not_compliant		未说明		不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel			ASYNCHRONOUS		0.38mA		8KX16		16			0.015A	131072 bit	20 ns					5.5V	4.5V	5.207mm	27.94mm	27.94mm			Non-RoHS Compliant
IDT70P3307S233RMI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		FCBGA	YES	576		QDR, RAM, SRAM			2006	e1				576	3A991.B.2.A	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	1.8V	BOTTOM	BALL	260	1	1mm		233MHz	40	S-PBGA-B576	不合格		INDUSTRIAL	Parallel			SYNCHRONOUS				1MX18		18				18874368 bit	0.45 ns					1.9V	1.7V	2.55mm	25mm	25mm			Non-RoHS Compliant
IDT70P3337S250RM	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		FCBGA	YES	576		QDR, RAM, SRAM			2006	e1				576	3A991.B.2.A	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C		8542.32.00.41	1.8V	BOTTOM	BALL	260	1	1mm		250MHz	40	S-PBGA-B576	不合格		COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS				512KX18		18				9437184 bit	0.45 ns					1.9V	1.7V	2.55mm	25mm	25mm			Non-RoHS Compliant
7142LA55L48B	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	LCC		48	140mA	RAM, SDR, SRAM			2007			活跃					125°C	-55°C			5V													Parallel	2kB	2				55 ns				22b	16 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		14.2mm	14.22mm	1.78mm	无	符合RoHS标准	含铅
7142LA100L48B	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	LCC		48	140mA	RAM, SRAM		Bulk	2007			活跃					125°C	-55°C			5V													Parallel		2				100 ns				11b	16 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		14.2mm	14.22mm	1.78mm	无	符合RoHS标准	含铅
7007S55JI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	310mA	RAM, SDR, SRAM		Tape & Reel	2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C			5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	INDUSTRIAL	Parallel	32kB	2				55 ns		3-STATE		30b	256 kb	0.03A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	4.57mm	24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7026L25GB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	通孔			84	305mA	RAM, SRAM	Military grade	Bulk	2009	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C			5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG	240	1				20			5V	MILITARY	Parallel		2				25 ns	16KX16	3-STATE		28b	256 kb	0.01A	MIL-PRF-38535		COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V		27.94mm	27.94mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
7052S35G	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔		108	300mA	RAM, SRAM			2009			活跃					70°C	0°C			5V													Parallel		4				35 ns				11b	16 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		30.48mm	30.48mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
7052L35G	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔		108	250mA	RAM, SRAM			2005	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	108	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	70°C	0°C	AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP		5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG	240	1							5V	COMMERCIAL	Parallel		4				35 ns	2KX8	3-STATE		11b	16 kb	0.0006A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V	5.207mm	30.48mm	30.48mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
7130SA55CB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		DIP		48		RAM, SDR, SRAM		Bulk	2013			活跃					125°C	-55°C			5V													Parallel	1kB	2				55 ns				20b	8 kb								5.5V	4.5V		61.72mm	15.24mm	3.3mm	无	符合RoHS标准	含铅
7006S25J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	265mA	RAM, SDR, SRAM			2009			活跃					70°C	0°C			5V													Parallel	16kB	2				25 ns				28b	128 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7007L25G	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔		68	265mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2010			活跃					70°C	0°C			5V													Parallel	32kB	2				25 ns				30b	256 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		29.46mm	29.46mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V9279L7PRFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	TQFP	YES	128		RAM, SDR, SRAM			2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	128		Matte Tin (Sn)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm							COMMERCIAL	Parallel	64kB	2				7 ns				30b	512 kb								3.6V	3V	1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7006L70GB	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔			68	250mA	RAM, SRAM	Military grade	Bulk	2010	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68		Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-55°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	PERPENDICULAR	PIN/PEG	240	1							5V	MILITARY	Parallel		2				70 ns	16KX8	3-STATE		28b	128 kb	0.004A	MIL-PRF-38535		COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		29.46mm	29.46mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
7052L35PQF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	PQFP		132	250mA	RAM, SRAM			2009			Discontinued					70°C	0°C			5V													Parallel		4				35 ns				11b	16 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		24.13mm	24.13mm	3.55mm	无	Non-RoHS Compliant	含铅
7005L15J8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	260mA	RAM, SDR, SRAM		Tape & Reel	2005			活跃					70°C	0°C			5V													Parallel	8kB	2				15 ns				26b	64 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V05L25J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	PLCC	YES	68		RAM, SDR, SRAM			2006	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		3.3V	QUAD	J BEND	225	1								COMMERCIAL	Parallel	8kB	2			0.165mA	25 ns	8KX8	3-STATE		26b	64 kb				COMMON			3V	3.6V	3V		24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
7007S25G	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔		68	305mA	RAM, SDR, SRAM			2008			活跃					70°C	0°C			5V													Parallel	32kB	2				25 ns				30b	256 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		29.46mm	29.46mm	3.68mm	无	符合RoHS标准	含铅
7134LA55L48B	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	LCC		48	220mA	RAM, SRAM			1999			活跃					125°C	-55°C			5V													Parallel		2				55 ns				12b	32 kb					Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		14.2mm	14.22mm	1.78mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V07L25JI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	140mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	J BEND	225	1								INDUSTRIAL	Parallel	32kB	2				25 ns		3-STATE		30b	256 kb	0.003A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V05S25J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	190mA	RAM, SDR, SRAM			2006	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		3.3V	QUAD	J BEND	225	1								COMMERCIAL	Parallel	8kB	2				25 ns	8KX8	3-STATE		26b	64 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅