Integrated Device Technology (IDT) IDT70P3337S250RM
- 收藏
- 对比
IDT70P3337S250RM
1179-IDT70P3337S250RM
存储器
FCBGA
大陆
立即发货

IC SRAM 9MBIT 250MHZ 576FCBGA
1最小包装量--
IDT70P3337S250RM详情
Integrated Device Technology (IDT) IDT70P3337S250RM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
FCBGA
表面安装
YES
Memory Types
QDR, RAM, SRAM
已出版
2006
JESD-609代码
e1
终止次数
576
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
1mm
频率
250MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
576
JESD-30代码
S-PBGA-B576
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
界面
Parallel
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
512KX18
内存宽度
18
记忆密度
9437184 bit
访问时间(最大)
0.45 ns
长度
25mm
座位高度(最大)
2.55mm
宽度
25mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IDT70P3337S250RM拓展信息
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT
IDT







哦! 它是空的。