品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

电压

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71V67903S85PFG8
71V67903S85PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

190mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2004

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

87MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1

8.5 ns

3-STATE

19b

9 Mb

0.05A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7164S25YG8
7164S25YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

YES

28

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

8kB

1

25 ns

8KX8

13b

64 kb

5.5V

4.5V

3.556mm

17.9mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

7130LA20TFG
7130LA20TFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

200mA

RAM, SDR, SRAM

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

1kB

2

20 ns

20b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71024S12TYGI
71024S12TYGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

160mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

30

5V

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

12 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

3.759mm

21.95mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71016S15PHI
IDT71016S15PHI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TSOP

44

180mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2010

e0

no

3 (168 Hours)

44

EAR99

85°C

-40°C

5V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

20

不合格

5V

INDUSTRIAL

5V

Parallel

1

15 ns

3-STATE

16

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

符合RoHS标准

71V016SA15YGI8
71V016SA15YGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

44

130mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

15 ns

3-STATE

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

3.683mm

28.6mm

10.2mm

2.9mm

符合RoHS标准

无铅

71256SA20YG8
71256SA20YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

YES

28

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

1

20 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

COMMON

5.5V

4.5V

3.556mm

17.9mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

71342SA25J
71342SA25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

280mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

25 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70T3319S133BFI
70T3319S133BFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

450mA

RAM, SRAM

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

36b

4 Mb

COMMON

Synchronous

18b

2.6V

2.4V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71342LA55PF
71342LA55PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

200mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

55 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V261L25PFGI
70V261L25PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

185mA

SDR

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

40

INDUSTRIAL

Parallel

32kB

2

25 ns

16KX16

3-STATE

14b

256 kb

0.003A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71321LA25TFI
71321LA25TFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

220mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

INDUSTRIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.004A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71124S15YGI
71124S15YGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

155mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

15 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

3.683mm

20.9mm

10.2mm

2.2mm

符合RoHS标准

无铅

71V546S100PFGI8
71V546S100PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

260mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2007

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

100MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V67703S80BQG8
71V67703S80BQG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

YES

165

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

30

COMMERCIAL

Parallel

1

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.05A

8 ns

COMMON

3.465V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

7025L20PF
7025L20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

21 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

240mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

20 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V424S10YI
IDT71V424S10YI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

36

180mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2009

e0

3 (168 Hours)

36

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

not_compliant

30

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

1

10 ns

3-STATE

8

19b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

3.683mm

23.495mm

Non-RoHS Compliant

71V124SA12PHGI
71V124SA12PHGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TSOP

32

140mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

30

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

12 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

20.95mm

10.16mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

70V631S12PRFI
70V631S12PRFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

515mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

2

12 ns

3-STATE

36b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V321L55J8
71V321L55J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

85mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

BATTERY BACKUP;AUTOMATIC POWER DOWN

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

55 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

3.6V

3V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7024S35GB
7024S35GB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

通孔

84

300mA

RAM, SRAM

Military grade

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

20

5V

MILITARY

Parallel

2

35 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

0.03A

38535Q/M;38534H;883B

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

27.94mm

27.94mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V3557S75PF
IDT71V3557S75PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

100MHz

0.275mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

7.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

71V416S15YG8
71V416S15YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

44

170mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

哑光锡

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

170mA

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

15 ns

3-STATE

18b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

28.6mm

10.2mm

2.9mm

符合RoHS标准

无铅

70V3379S6BC8
70V3379S6BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

310mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

83.3MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

6 ns

3-STATE

30b

576 kb

0.015A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V124SA10PHGI8
71V124SA10PHGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TSOP

32

150mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

30

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

10 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3.6V

3.15V

20.95mm

10.16mm

1mm

符合RoHS标准

无铅