品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71T75802S166BGG
71T75802S166BGG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

BGA

YES

119

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

166MHz

30

245mA

COMMERCIAL

Parallel

2.3MB

1

3.5 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.04A

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

2.15mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V424S10Y
IDT71V424S10Y
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

36

RAM, SRAM - Asynchronous

2009

e0

no

3 (168 Hours)

36

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

30

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.18mA

512KX8

3-STATE

8

0.02A

4194304 bit

10 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

3.683mm

23.495mm

10.16mm

符合RoHS标准

IDT6116LA35TP
IDT6116LA35TP
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIP

NO

24

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

24

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

225

1

2.54mm

not_compliant

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.095mA

2KX8

3-STATE

8

0.00002A

16384 bit

35 ns

COMMON

2V

5.5V

4.5V

YES

4.191mm

31.75mm

7.62mm

Non-RoHS Compliant

71V3556SA100BQGI
71V3556SA100BQGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

表面贴装

165

255mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2006

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

100MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V416S12PH
IDT71V416S12PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TSOP

44

180mA

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e0

no

3 (168 Hours)

44

70°C

0°C

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

20

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

12 ns

3-STATE

16

18b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

YES

符合RoHS标准

6116LA20TPG
6116LA20TPG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

PDIP

24

95mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Bulk

2013

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

24

EAR99

哑光锡

70°C

0°C

5V

DUAL

260

1

2.54mm

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

1

20 ns

2KX8

3-STATE

11b

16 kb

0.00003A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

31.75mm

7.62mm

3.3mm

符合RoHS标准

无铅

71V3557S75BGG
71V3557S75BGG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

275mA

RAM, SRAM

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECHTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

100MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1

7.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V432S10PF
IDT71V432S10PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2014

e0

no

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

BURST COUNTER; SELF TIMED WRITE; ADDRESS REGISTER; BYTE WRITE CONTROL

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

SYNCHRONOUS

32KX32

3-STATE

32

1048576 bit

10 ns

3.63V

3.135V

YES

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

71V67603S133BGGI8
71V67603S133BGGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

BGA

YES

119

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

30

280mA

INDUSTRIAL

Parallel

1.1MB

1

4.2 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.07A

COMMON

3.465V

3.135V

2.15mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

709279L12PFGI
709279L12PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

100

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

活跃

85°C

-40°C

5V

Parallel

64kB

2

12 ns

30b

512 kb

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V67603S150BQ
71V67603S150BQ
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

165

305mA

150MHz

RAM, SDR, SRAM

2007

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

150MHz

20

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

3.8 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.05A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

71T75902S75BGG8
71T75902S75BGG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

275mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2005

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

100MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1

7.5 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

70V657S10BCG
70V657S10BCG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

500mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

1mm

30

COMMERCIAL

Parallel

128kB

2

10 ns

3-STATE

30b

1.1 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

36b

3.45V

3.15V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V7519S133BFI8
70V7519S133BFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

675mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

18b

9 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7024L15PFG
7024L15PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

260mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

5V

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

15 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V65703S80BQI8
71V65703S80BQI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

YES

165

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

165

锡铅

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

INDUSTRIAL

Parallel

1

256KX36

18b

9 Mb

8 ns

3.465V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

71V416L12YG
71V416L12YG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

44

170mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

未说明

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

12 ns

3-STATE

18b

4 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

28.6mm

10.2mm

2.9mm

符合RoHS标准

无铅

71V65903S80PFG
71V65903S80PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

250mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

95MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

8 ns

19b

9 Mb

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7130SA25J
7130SA25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

220mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

25 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

IDT7164S20TP
IDT7164S20TP
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

PDIP

28

100mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2009

e0

28

EAR99

70°C

0°C

5V

DUAL

225

1

2.54mm

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

20 ns

8KX8

3-STATE

8

13b

64 kb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

YES

4.572mm

符合RoHS标准

70V09L20PFI
70V09L20PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

220mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

2

20 ns

3-STATE

34b

1 Mb

0.003A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

Non-RoHS Compliant

含铅

70V658S12BFI8
70V658S12BFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

515mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

2

12 ns

64KX36

3-STATE

32b

2.3 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

36b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V416S15BEI8
71V416S15BEI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TFBGA

48

170mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2014

e0

no

活跃

4 (72 Hours)

48

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.75mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

15 ns

3-STATE

18b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

9mm

9mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

70V659S12DRI
70V659S12DRI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PQFP

208

515mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

20

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

2

12 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

36b

3.45V

3.15V

4.1mm

28mm

28mm

3.5mm

符合RoHS标准

含铅

71V016SA15YG8
71V016SA15YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

44

130mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

128kB

1

15 ns

3-STATE

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

3.683mm

28.6mm

10.2mm

2.9mm

符合RoHS标准

无铅