品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

7164S20TPG
7164S20TPG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

PDIP

28

100mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2009

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

DUAL

260

1

2.54mm

未说明

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

8kB

1

20 ns

8KX8

3-STATE

13b

64 kb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.572mm

34.3mm

7.62mm

3.3mm

符合RoHS标准

无铅

70T3539MS166BCG
70T3539MS166BCG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

900mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

1mm

166MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

2.3MB

2

3.6 ns

3-STATE

38b

18 Mb

COMMON

Synchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V256SA15YG
71V256SA15YG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

28

85mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2006

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

哑光锡

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

32kB

1

15 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

0.002A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

17.9mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

70V3599S133BFI
70V3599S133BFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

480mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

1

0.8mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

2

25 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71024S15Y
IDT71024S15Y
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

32

155mA

RAM, SRAM - Asynchronous

1997

e0

no

3 (168 Hours)

32

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

225

1

not_compliant

20

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

15 ns

3-STATE

8

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

YES

3.683mm

20.96mm

Non-RoHS Compliant

70V631S12PRFGI
70V631S12PRFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

515mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

128

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

2

12 ns

3-STATE

36b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71024S15TY
IDT71024S15TY
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

1997

e0

no

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

20

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.155mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

15 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

YES

3.759mm

20.96mm

7.62mm

Non-RoHS Compliant

71V3556SA166BG
71V3556SA166BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

350mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

166MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V424S10YI
IDT71V424S10YI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

36

180mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2009

e0

3 (168 Hours)

36

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

not_compliant

30

不合格

INDUSTRIAL

Parallel

1

10 ns

3-STATE

8

19b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

3.683mm

23.495mm

Non-RoHS Compliant

71V124SA10PHGI8
71V124SA10PHGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TSOP

32

150mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

30

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

10 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3.6V

3.15V

20.95mm

10.16mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

71V124SA12PHGI
71V124SA12PHGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TSOP

32

140mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

30

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

12 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

20.95mm

10.16mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

70V631S12PRFI
70V631S12PRFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

515mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

225

1

0.5mm

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

2

12 ns

3-STATE

36b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V321L55J8
71V321L55J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

85mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

BATTERY BACKUP;AUTOMATIC POWER DOWN

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

55 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

3.6V

3V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7024S35GB
7024S35GB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

通孔

84

300mA

RAM, SRAM

Military grade

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

PERPENDICULAR

PIN/PEG

240

1

20

5V

MILITARY

Parallel

2

35 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

0.03A

38535Q/M;38534H;883B

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

27.94mm

27.94mm

3.68mm

符合RoHS标准

含铅

71342SA25J
71342SA25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

280mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

25 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

70T3319S133BFI
70T3319S133BFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

450mA

RAM, SRAM

2010

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

36b

4 Mb

COMMON

Synchronous

18b

2.6V

2.4V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V3557S75PF
IDT71V3557S75PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2009

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

20

R-PQFP-G100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

100MHz

0.275mA

128KX36

3-STATE

36

0.04A

4718592 bit

7.5 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

IDT71T75802S133PFI
IDT71T75802S133PFI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2015

e0

3 (168 Hours)

100

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

流水线结构

8542.32.00.41

2.5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.65mm

not_compliant

133MHz

20

R-PQFP-G100

不合格

2.5V

INDUSTRIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.215mA

1MX18

3-STATE

18

0.045A

18874368 bit

4.2 ns

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

1.6mm

20mm

14mm

Non-RoHS Compliant

71124S15YGI
71124S15YGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

155mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

15 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

3.683mm

20.9mm

10.2mm

2.2mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V416S10PHI
IDT71V416S10PHI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TSOP

YES

44

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e0

no

3 (168 Hours)

44

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85°C

-40°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

20

R-PDSO-G44

不合格

3.3V

INDUSTRIAL

Parallel

0.2mA

256KX16

3-STATE

16

0.02A

4194304 bit

10 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

1.2mm

18.41mm

10.16mm

符合RoHS标准

71V124SA12YG8
71V124SA12YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

130mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

128kB

1

12 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

3.683mm

20.9mm

10.2mm

2.2mm

符合RoHS标准

无铅

70T631S10BF
70T631S10BF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

405mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

COMMERCIAL

Parallel

512kB

2

10 ns

3-STATE

36b

4 Mb

0.01A

COMMON

Asynchronous

18b

2.6V

2.4V

1.5mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71421LA20JG8
71421LA20JG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

200mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

52

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

J BEND

260

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

20 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

无铅

71V3577S80BG8
71V3577S80BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

200mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

100MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

1

8 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

71V3578YS133PFG
71V3578YS133PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2015

e3

3 (168 Hours)

100

3A991

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

FLAT

260

1

0.65mm

133MHz

30

R-PQFP-F100

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.25mA

256KX18

3-STATE

18

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