品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

质量

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

7133LA25JGI
7133LA25JGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

68

300mA

RAM, SDR, SRAM

2006

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

68

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

QUAD

J BEND

260

1

30

5V

INDUSTRIAL

Parallel

4kB

2

25 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.004A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

24mm

24mm

3.63mm

符合RoHS标准

无铅

71V124SA10YG
71V124SA10YG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

145mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

145mA

COMMERCIAL

Parallel

128kB

1

10 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3.6V

3.15V

3.683mm

20.9mm

10.2mm

2.2mm

符合RoHS标准

无铅

71V2556S133PFGI
71V2556S133PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

310mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

QUAD

FLAT

260

1

0.65mm

133MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

4.2 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71256SA15TP
IDT71256SA15TP
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIP

NO

28

RAM, SRAM - Asynchronous

2010

e0

28

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

225

1

2.54mm

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.15mA

32KX8

3-STATE

8

0.015A

262144 bit

15 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

YES

4.572mm

34.671mm

7.62mm

符合RoHS标准

71V2556S166PFGI8
71V2556S166PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

360mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2011

活跃

85°C

-40°C

3.3V

166MHz

Parallel

1

3.5 ns

17b

4.5 Mb

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7130LA25TFGI
7130LA25TFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

LQFP

YES

64

RAM, SRAM

2013

e3

yes

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

2

ASYNCHRONOUS

0.22mA

1KX8

3-STATE

0.004A

8192 bit

25 ns

COMMON

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V639S10BF
70V639S10BF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

500mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

20

COMMERCIAL

Parallel

256kB

2

10 ns

3-STATE

34b

2.3 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V261L25PFG
70V261L25PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

657.000198mg

140mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

140mA

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

25 ns

16KX16

3-STATE

28b

256 kb

0.003A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.4mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V3559S85PFG
71V3559S85PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

225mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECHTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

91MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

8.5 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71016S12YG8
71016S12YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

44

210mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

切割胶带

2004

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

128kB

1

12 ns

16b

1 Mb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

28.6mm

10.2mm

2.9mm

符合RoHS标准

无铅

71024S20TYGI
71024S20TYGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

140mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

20 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

3.759mm

21.95mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

71V65603S133BGG8
71V65603S133BGG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

BGA

YES

119

RAM, SRAM

Tape & Reel

2007

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1

0.3mA

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.04A

4.2 ns

COMMON

3.465V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V016SA12PH
IDT71V016SA12PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TSOP

44

150mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2007

e0

no

3 (168 Hours)

44

70°C

0°C

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

not_compliant

20

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

12 ns

3-STATE

16

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3.6V

3V

YES

Non-RoHS Compliant

71V3556SA133BGI
71V3556SA133BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

310mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

133MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

4.2 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

70V3399S166BFG
70V3399S166BFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

YES

208

166MHz

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e1

yes

3 (168 Hours)

208

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.8mm

166MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

256kB

2

0.5mA

3.6 ns

3-STATE

18

34b

2.3 Mb

0.03A

COMMON

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

符合RoHS标准

71256SA20YG8
71256SA20YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

YES

28

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

1

20 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

COMMON

5.5V

4.5V

3.556mm

17.9mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

71V016SA15YGI8
71V016SA15YGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

44

130mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

15 ns

3-STATE

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

3.683mm

28.6mm

10.2mm

2.9mm

符合RoHS标准

无铅

7130LA20TFG
7130LA20TFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

200mA

RAM, SDR, SRAM

2013

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

1kB

2

20 ns

20b

8 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7130LA25PFGI
7130LA25PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

220mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.8mm

30

5V

INDUSTRIAL

Parallel

1kB

2

25 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.004A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V07L35PFGI
70V07L35PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

80

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

80

EAR99

Matte Tin (Sn)

85°C

-40°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.635mm

INDUSTRIAL

Parallel

32kB

2

0.155mA

35 ns

3-STATE

15b

256 kb

0.003A

COMMON

3V

3.6V

3V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7014S12PFG
7014S12PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

64

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.8mm

30

5V

COMMERCIAL

Parallel

4.5kB

2

12 ns

4KX9

3-STATE

12b

36 kb

COMMON

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70T651S10BFI8
70T651S10BFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

445mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

INDUSTRIAL

Parallel

2

10 ns

3-STATE

18b

9 Mb

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71342SA55PF
71342SA55PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

240mA

SDR

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

2

55 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V25761YS200PFG
71V25761YS200PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

LQFP

YES

100

RAM, SRAM

2009

e3

3 (168 Hours)

100

3A991

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

8542.32.00.41

3.3V

QUAD

鸥翼

未说明

1

0.65mm

200MHz

未说明

R-PQFP-G100

不合格

2.53.3V

COMMERCIAL

Parallel

SYNCHRONOUS

0.36mA

128KX36

3-STATE

36

0.03A

4718592 bit

3.1 ns

COMMON

3.14V

3.465V

3.135V

1.6mm

20mm

14mm

符合RoHS标准

7164S25YGI
7164S25YGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

YES

28

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

8kB

1

25 ns

8KX8

3-STATE

13b

64 kb

COMMON

5.5V

4.5V

3.556mm

17.9mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅