品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

质量

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

筛选水平

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71V2556S133PFGI
71V2556S133PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

310mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

QUAD

FLAT

260

1

0.65mm

133MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

4.2 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71256SA15TP
IDT71256SA15TP
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIP

NO

28

RAM, SRAM - Asynchronous

2010

e0

28

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

225

1

2.54mm

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.15mA

32KX8

3-STATE

8

0.015A

262144 bit

15 ns

COMMON

4.5V

5.5V

4.5V

YES

4.572mm

34.671mm

7.62mm

符合RoHS标准

70V261L25PFG
70V261L25PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

657.000198mg

140mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

140mA

COMMERCIAL

Parallel

32kB

2

25 ns

16KX16

3-STATE

28b

256 kb

0.003A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.4mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V3559S85PFG
71V3559S85PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

225mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECHTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

91MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

8.5 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71016S12YG8
71016S12YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

44

210mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

切割胶带

2004

活跃

70°C

0°C

5V

Parallel

128kB

1

12 ns

16b

1 Mb

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

28.6mm

10.2mm

2.9mm

符合RoHS标准

无铅

71024S20TYGI
71024S20TYGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

140mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

20 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

3.759mm

21.95mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

70V639S10BF
70V639S10BF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

500mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

20

COMMERCIAL

Parallel

256kB

2

10 ns

3-STATE

34b

2.3 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71256L35Y
IDT71256L35Y
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

28

115mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2005

e0

no

3 (168 Hours)

28

EAR99

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

225

1

not_compliant

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

35 ns

32KX8

3-STATE

8

15b

256 kb

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

YES

3.556mm

Non-RoHS Compliant

71T75602S100BG
71T75602S100BG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

175mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

100MHz

COMMERCIAL

Parallel

2.3MB

1

5 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

7140LA55J
7140LA55J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

110mA

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

1kB

2

55 ns

1KX8

3-STATE

20b

8 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71V321L55J
71V321L55J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

85mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

QUAD

J BEND

225

1

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

55 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

3.6V

3V

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7024S35J
7024S35J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

84

250mA

RAM, SDR, SRAM

2000

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

84

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

35 ns

4KX16

3-STATE

24b

64 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

4.57mm

29.21mm

29.21mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

71V016SA20YG8
71V016SA20YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

44

120mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

128kB

1

20 ns

3-STATE

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

3.683mm

28.6mm

10.2mm

2.9mm

符合RoHS标准

无铅

70V3599S133BFI8
70V3599S133BFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

480mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

1

0.8mm

133MHz

INDUSTRIAL

Parallel

2

15 ns

3-STATE

34b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.7mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71T75602S100BGI
71T75602S100BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

BGA

119

195mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

100MHz

195mA

INDUSTRIAL

Parallel

2.3MB

1

5 ns

3-STATE

19b

18 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

36b

2.38V

2.625V

2.375V

2.15mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

6116LA70DB
6116LA70DB
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

CDIP

NO

24

RAM, SRAM - Asynchronous

Military grade

Bulk

2013

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

24

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-55°C

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

240

1

2.54mm

5V

MILITARY

Parallel

1

0.09mA

2KX8

3-STATE

11b

16 kb

0.0003A

MIL-STD-883 Class B

70 ns

COMMON

2V

4.826mm

32mm

15.24mm

2.9mm

符合RoHS标准

含铅

71V256SA12PZGI
71V256SA12PZGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TSOP

28

90mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2006

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

哑光锡

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.55mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

32kB

1

12 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

0.002A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

8mm

11.8mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

70V7319S133BF8
70V7319S133BF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

645mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

133MHz

645mA

COMMERCIAL

Parallel

512kB

2

25 ns

3-STATE

18b

4 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

18b

3.45V

3.15V

1.4mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V2556S166PFGI8
71V2556S166PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

360mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2011

活跃

85°C

-40°C

3.3V

166MHz

Parallel

1

3.5 ns

17b

4.5 Mb

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7130LA25TFGI
7130LA25TFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

LQFP

YES

64

RAM, SRAM

2013

e3

yes

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

8542.32.00.41

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

不合格

5V

INDUSTRIAL

Parallel

2

ASYNCHRONOUS

0.22mA

1KX8

3-STATE

0.004A

8192 bit

25 ns

COMMON

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V256SA15PZG
71V256SA15PZG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TSSOP

28

85mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2006

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

哑光锡

70°C

0°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.55mm

COMMERCIAL

Parallel

32kB

1

15 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

0.002A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

8mm

11.8mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

71V65703S80PFG8
71V65703S80PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

250mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

95MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

8 ns

256KX36

18b

9 Mb

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V639S10BF8
70V639S10BF8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

500mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

20

COMMERCIAL

Parallel

2

10 ns

3-STATE

17b

2.3 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V3556SA100BGI
71V3556SA100BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

255mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2013

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

100MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

71V2546S150BG8
71V2546S150BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

325mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

150MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

1

3.8 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅