品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

电路数量

内存大小

端口的数量

电源电流-最大值

访问时间

数据总线宽度

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71V3556SA133BGGI8
71V3556SA133BGGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

310mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2006

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

1

4.2 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

70V631S12BFGI8
70V631S12BFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

515mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.8mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V321L25TFG8
71V321L25TFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

LQFP

YES

64

RAM, SDR, SRAM

2006

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

0.1mA

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

2V

3.6V

3V

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7133LA25PFGI
7133LA25PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

300mA

SDR

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

5V

INDUSTRIAL

Parallel

4kB

2

25 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.004A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V424S12PHG8
71V424S12PHG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TSOP

44

170mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

12 ns

3-STATE

19b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

18.41mm

10.16mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

71V3556SA133BGG
71V3556SA133BGG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

300mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2006

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

4.2 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

71V546S133PFG
71V546S133PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

300mA

RAM, SDR, SRAM

133MHz

2007

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

4.2 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7009L20PFGI
7009L20PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

360mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

5V

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

2

20 ns

3-STATE

34b

1 Mb

0.006A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V3556SA100BQGI8
71V3556SA100BQGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

YES

165

RAM, SRAM

Tape & Reel

2015

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

100MHz

INDUSTRIAL

Parallel

1

17b

4.5 Mb

5 ns

3.465V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

70T3519S166BCI8
70T3519S166BCI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

510mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

活跃

85°C

-40°C

2.5V

166MHz

Parallel

2

12 ns

36b

9 Mb

Synchronous

36b

2.6V

2.4V

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71342LA25PFGI8
71342LA25PFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

YES

64

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

64

EAR99

85°C

-40°C

5V

QUAD

鸥翼

1

0.8mm

5V

INDUSTRIAL

Parallel

2

4kB

2

25 ns

8b

4KX8

3-STATE

8

24b

32 kb

0.0015A

COMMON

2V

5.5V

4.5V

符合RoHS标准

71256SA25YG
71256SA25YG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

28

145mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

1

25 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

3.556mm

17.9mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

71V416L12BE8
71V416L12BE8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TFBGA

48

170mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2014

e0

no

活跃

4 (72 Hours)

48

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

0.75mm

20

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

12 ns

3-STATE

18b

4 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

9mm

9mm

1.2mm

符合RoHS标准

含铅

70V06S35PF
70V06S35PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

180mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

3.3V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

35 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V65603S133PFG
71V65603S133PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TQFP

100

300mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2005

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

爆破计数器

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

1

7.5 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

7005L20PFGI
7005L20PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

320mA

SDR

2012

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.8mm

30

5V

INDUSTRIAL

Parallel

8kB

2

20 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

0.004A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V65603S133BG8
71V65603S133BG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

300mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2007

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

133MHz

20

COMMERCIAL

Parallel

1

4.2 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V416S12PH
IDT71V416S12PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TSOP

44

180mA

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e0

no

3 (168 Hours)

44

70°C

0°C

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

0.8mm

20

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

12 ns

3-STATE

16

18b

4 Mb

0.02A

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

YES

符合RoHS标准

6116LA20TPG
6116LA20TPG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

PDIP

24

95mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Bulk

2013

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

24

EAR99

哑光锡

70°C

0°C

5V

DUAL

260

1

2.54mm

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

1

20 ns

2KX8

3-STATE

11b

16 kb

0.00003A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

31.75mm

7.62mm

3.3mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V424S10Y
IDT71V424S10Y
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

36

RAM, SRAM - Asynchronous

2009

e0

no

3 (168 Hours)

36

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

30

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.18mA

512KX8

3-STATE

8

0.02A

4194304 bit

10 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

3.683mm

23.495mm

10.16mm

符合RoHS标准

IDT6116LA35TP
IDT6116LA35TP
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIP

NO

24

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

24

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

225

1

2.54mm

not_compliant

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.095mA

2KX8

3-STATE

8

0.00002A

16384 bit

35 ns

COMMON

2V

5.5V

4.5V

YES

4.191mm

31.75mm

7.62mm

Non-RoHS Compliant

71V3556SA100BQGI
71V3556SA100BQGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

表面贴装

165

255mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2006

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

100MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

15mm

13mm

1.2mm

符合RoHS标准

无铅

709279L12PFGI
709279L12PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

TQFP

100

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

活跃

85°C

-40°C

5V

Parallel

64kB

2

12 ns

30b

512 kb

5.5V

4.5V

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V67603S133BGGI8
71V67603S133BGGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

BGA

YES

119

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

30

280mA

INDUSTRIAL

Parallel

1.1MB

1

4.2 ns

256KX36

3-STATE

18b

9 Mb

0.07A

COMMON

3.465V

3.135V

2.15mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

71T75802S166BGG
71T75802S166BGG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

BGA

YES

119

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2012

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

流水线结构

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

166MHz

30

245mA

COMMERCIAL

Parallel

2.3MB

1

3.5 ns

3-STATE

20b

18 Mb

0.04A

COMMON

2.38V

2.625V

2.375V

2.15mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅