品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

70V3589S166BC
70V3589S166BC
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

500mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

3.3V

BOTTOM

BALL

1

1mm

166MHz

COMMERCIAL

Parallel

256kB

2

20 ns

64KX36

3-STATE

32b

2.3 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

IDT6116SA45SO
IDT6116SA45SO
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

24

100mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2008

e0

1 (Unlimited)

24

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

5V

DUAL

鸥翼

225

1

not_compliant

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

45 ns

2KX8

3-STATE

8

11b

16 kb

0.002A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

YES

2.65mm

Non-RoHS Compliant

71342LA25JGI
71342LA25JGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

260mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Matte Tin (Sn)

85°C

-40°C

5V

QUAD

260

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

4kB

2

25 ns

4KX8

3-STATE

24b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

无铅

71V3577S85BGI
71V3577S85BGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

190mA

87MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

87MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

8.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.035A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

71V3556SA150BGGI8
71V3556SA150BGGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

BGA

119

RAM, SRAM

Tape & Reel

2015

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

260

150MHz

Parallel

1

17b

4 Mb

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

7133LA25PFGI
7133LA25PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

300mA

SDR

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

5V

INDUSTRIAL

Parallel

4kB

2

25 ns

3-STATE

22b

32 kb

0.004A

COMMON

Asynchronous

16b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V3556SA150BGG8
71V3556SA150BGG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

BGA

119

RAM, SRAM

Tape & Reel

2015

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

3.3V

260

150MHz

Parallel

1

17b

4.5 Mb

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

IDT6116LA25TP
IDT6116LA25TP
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIP

NO

24

RAM, SRAM - Asynchronous

2008

e0

24

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

5V

DUAL

THROUGH-HOLE

225

1

2.54mm

not_compliant

30

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

0.11mA

2KX8

3-STATE

8

0.00002A

16384 bit

25 ns

COMMON

2V

5.5V

4.5V

YES

4.191mm

31.75mm

7.62mm

Non-RoHS Compliant

7006L20PFGI
7006L20PFGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

320mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

QUAD

鸥翼

260

1

0.8mm

30

5V

INDUSTRIAL

Parallel

16kB

2

20 ns

16KX8

3-STATE

28b

128 kb

0.004A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70121L25J
70121L25J
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

PLCC

52

220mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

52

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

J BEND

225

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

2.3kB

2

25 ns

3-STATE

22b

18 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

9b

2V

5.5V

4.5V

4.57mm

19mm

19mm

3.63mm

符合RoHS标准

含铅

7005L55PF
7005L55PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

210mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; BATTERY BACKUP

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.8mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

8kB

2

55 ns

8KX8

3-STATE

26b

64 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

70V25L15PFG8
70V25L15PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

185mA

RAM, SDR, SRAM

2008

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

COMMERCIAL

Parallel

16kB

2

15 ns

8KX16

3-STATE

26b

128 kb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70V631S12BFGI8
70V631S12BFGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

515mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

0.8mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

18b

4.5 Mb

0.015A

COMMON

Asynchronous

18b

3.45V

3.15V

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V321L25TFG8
71V321L25TFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

LQFP

YES

64

RAM, SDR, SRAM

2006

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.5mm

30

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

0.1mA

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

2V

3.6V

3V

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71V3577S75PFG8
71V3577S75PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

255mA

117MHz

RAM, SDR, SRAM

Tape & Reel

2005

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

117MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

7.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.03A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

71024S20TYGI8
71024S20TYGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

140mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

20 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

3.76mm

21.95mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

71256SA15TPGI
71256SA15TPGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

PDIP

28

150mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

260

1

2.54mm

5V

INDUSTRIAL

Parallel

32kB

1

15 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.572mm

34.3mm

7.62mm

3.3mm

符合RoHS标准

无铅

71V3556SA133BGGI8
71V3556SA133BGGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

310mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2006

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

133MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

1

4.2 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

71V35761S200BGGI
71V35761S200BGGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA

119

200MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

yes

Discontinued

85°C

-40°C

3.3V

200MHz

Parallel

512kB

1

3.1 ns

17b

4.5 Mb

3.465V

3.135V

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

70T659S10BFI8
70T659S10BFI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

208

445mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

208

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

0.8mm

INDUSTRIAL

Parallel

2

10 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

15mm

15mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71321SA35TF
71321SA35TF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

LQFP

64

165mA

RAM, SDR, SRAM

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

35 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

10mm

10mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V016SA20PHG
71V016SA20PHG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TSOP

44

120mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

30

120mA

COMMERCIAL

Parallel

128kB

1

20 ns

3-STATE

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

18.41mm

10.16mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

71V124SA15TYGI8
71V124SA15TYGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

120mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

15 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

3.7592mm

21.95mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

71V35761S166BGGI
71V35761S166BGGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

BGA

119

330mA

RAM, SDR, SRAM

166MHz

2009

e1

yes

Discontinued

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

166MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.035A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

71024S15YG8
71024S15YG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

155mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

COMMERCIAL

Parallel

128kB

1

15 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

3.683mm

20.9mm

10.2mm

2.2mm

符合RoHS标准

无铅