IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	最大电流源	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	高度	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
70V09L20PFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	220mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20					INDUSTRIAL	Parallel	128kB	2			20 ns		3-STATE		34b	1 Mb	0.003A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	Non-RoHS Compliant	含铅
71V67903S85BQ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装			165	190mA	87MHz	RAM, SDR, SRAM		2004	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			87MHz	20					COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	1			8.5 ns		3-STATE		19b	9 Mb	0.05A			COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V3577S65PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	300mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn)	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	260	1			133MHz						COMMERCIAL	Parallel	512kB	1			6.5 ns				17b	4.5 Mb					Synchronous	36b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V2556S100PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	250mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	流水线结构		3.3V	QUAD	FLAT	260	1	0.65mm		100MHz	30					COMMERCIAL	Parallel	512kB	1			5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7006S20PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	290mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.8mm			20				5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2			20 ns	16KX8	3-STATE		28b	128 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T659S10BFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208	445mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C			2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm								INDUSTRIAL	Parallel		2			10 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb				COMMON	Asynchronous	36b		2.6V	2.4V		1.5mm	15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V35761S200BGGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			BGA		119		200MHz	RAM, SDR, SRAM		2009		yes	Discontinued					85°C	-40°C			3.3V							200MHz							Parallel	512kB	1			3.1 ns				17b	4.5 Mb								3.465V	3.135V			14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
7164L20YG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		28	90mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	260	1								5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	1			20 ns	8KX8	3-STATE		13b	64 kb	0.00006A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
7164L20YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		28	90mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	260	1								5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	1			20 ns	8KX8	3-STATE		13b	64 kb	0.00006A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V7319S133BFI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208	675mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm		133MHz						INDUSTRIAL	Parallel		2			15 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3599S133BCI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	480mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL		1	1mm		133MHz			480mA			INDUSTRIAL	Parallel	512kB	2			25 ns		3-STATE		34b	4.5 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V		1.7mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
IDT71V416S15PHI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TSOP		44	170mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2005	e0	no		3 (168 Hours)	44			85°C	-40°C			3.3V	DUAL	鸥翼	240	1	0.8mm	not_compliant		30			不合格		INDUSTRIAL	Parallel		1			15 ns		3-STATE	16	18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V							Non-RoHS Compliant
IDT71V424L12PHI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		TSOP	YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous			2009	e0	no		3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.A	Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C		8542.32.00.41	3.3V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm	not_compliant		20	R-PDSO-G44		不合格	3.3V	INDUSTRIAL	Parallel				0.155mA		512KX8	3-STATE	8			0.01A	4194304 bit	12 ns	COMMON			3V	3.6V	3V		1.2mm	18.41mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
70V3399S166BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	表面贴装		256	500mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		166MHz						COMMERCIAL	Parallel		2			12 ns		3-STATE		17b	2.3 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V		1.7mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3589S133BC	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装			256	400mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL		1	1mm		133MHz						COMMERCIAL	Parallel	256kB	2			25 ns	64KX36	3-STATE		32b	2.3 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V			17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3599S133BC	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	400mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL		1	1mm		133MHz						COMMERCIAL	Parallel	512kB	2			25 ns		3-STATE		34b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V			17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V659S12DRGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PQFP	208	515mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	208		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm			30					INDUSTRIAL	Parallel	512kB	2			12 ns		3-STATE		34b	4.5 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	36b	3.15V	3.45V	2.4V		4.1mm	28mm	28mm	3.5mm	无	符合RoHS标准	无铅
70T3339S133BF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装			208	370mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM		2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	0.8mm		133MHz						COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	2			4.2 ns		3-STATE		19b	9 Mb	0.015A			COMMON	Synchronous	18b		2.6V	2.4V			15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V657S12BC	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	465mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm								COMMERCIAL	Parallel	128kB	2			12 ns		3-STATE		30b	1.1 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70T3319S133BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	370mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		2.5V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		133MHz	20					COMMERCIAL	Parallel		2			15 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.015A			COMMON	Synchronous	18b		2.6V	2.4V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V016SA20BFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		48	120mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	48		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	260	1	0.75mm			30			不合格		COMMERCIAL	Parallel	128kB	1			20 ns		3-STATE		16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			7mm	7mm	1.4mm		符合RoHS标准	无铅
71V256SA15PZGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TSSOP	28	85mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2006	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	哑光锡	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.55mm			30		85mA			INDUSTRIAL	Parallel	32kB	1			15 ns	32KX8	3-STATE		15b	256 kb	0.002A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V	1mm		8mm	11.8mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V65703S80BQ8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks		YES	165		RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		锡铅	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225					20					COMMERCIAL	Parallel		1	95MHz	0.25mA		256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.04A		8 ns	COMMON								15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V67603S150BQ	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装			165	305mA	150MHz	RAM, SDR, SRAM		2007	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			150MHz	20			不合格		COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	1			3.8 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.05A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm		符合RoHS标准	含铅
71V416S15PHGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44	170mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm			30		170mA			INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1			15 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅