IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
IDT71016S20Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	44		RAM, SRAM - Asynchronous			2006	e0	no		3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.B	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C		8542.32.00.41	5V	DUAL	J BEND	225	1	1.27mm	not_compliant		30	不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1	0.17mA		64KX16	3-STATE	16			0.01A	1048576 bit	20 ns	COMMON			4.5V	5.5V	4.5V	YES	3.683mm	28.575mm	10.16mm			Non-RoHS Compliant
70V639S10PRFG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	128	500mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	128		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm			30			COMMERCIAL	Parallel		2		10 ns		3-STATE		34b	2.3 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	18b		3.45V	3.15V		1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71256SA20Y	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SO		28	145mA	RAM, SRAM - Asynchronous			1997	e0	no		3 (168 Hours)	28	EAR99		70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	225	1				20	不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1		20 ns	32KX8	3-STATE	8	15b	256 kb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V	YES	3.556mm					符合RoHS标准
70V3319S133PRFI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP		128	480mA	133MHz	RAM, SDR, SRAM	Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	128		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	QUAD	鸥翼	225	1	0.5mm		133MHz				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	2		4.2 ns		3-STATE		36b	4.5 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	18b		3.45V	3.15V		1.6mm	20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V3578S150PFGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	LQFP	100	305mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2015	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	流水线结构		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		150MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel		1		3.8 ns		3-STATE		18b	4.5 Mb	0.035A			COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71T75602S166BGG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA		119	245mA	RAM, SDR, SRAM	166MHz		2012	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	流水线结构		2.5V	BOTTOM	BALL	260	1			166MHz	30			COMMERCIAL	Parallel	2.3MB	1		3.5 ns		3-STATE		19b	18 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b	2.38V	2.625V	2.375V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
71T75602S166BGG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	BGA		119	245mA	166MHz	RAM, SDR, SRAM		2012	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	流水线结构		2.5V	BOTTOM	BALL	260	1			166MHz	30			COMMERCIAL	Parallel	2.3MB	1		3.5 ns		3-STATE		19b	18 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b	2.38V	2.625V	2.375V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
7140SA25J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	220mA	RAM, SDR, SRAM			2013	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	J BEND	225	1						5V	COMMERCIAL	Parallel	1kB	2		25 ns	1KX8	3-STATE		20b	8 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V659S15BC8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	440mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C			3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm						COMMERCIAL	Parallel		2		15 ns		3-STATE		34b	4.5 Mb	0.015A			COMMON	Asynchronous	36b		3.45V	3.15V		1.5mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71256SA15TPG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔	PDIP	28	150mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL		260	1	2.54mm					5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	1		15 ns	32KX8	3-STATE		15b	256 kb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		4.572mm	34.3mm	7.62mm	3.3mm	无	符合RoHS标准	无铅
7007S55J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	68	270mA	RAM, SDR, SRAM			2010	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	68	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		5V	QUAD	J BEND	225	1						5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	2		55 ns		3-STATE		30b	256 kb	0.015A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V			24mm	24mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71421LA20JG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	200mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	52	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	自动断电		5V	QUAD	J BEND	260	1						5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	2		20 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V321L25TF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	100mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20			INDUSTRIAL	Parallel	2kB	2		25 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	3.6V	3V		1.6mm	10mm	10mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V016SA20PHGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TSOP	44	120mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	鸥翼	260	1	0.8mm			30			INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		20 ns		3-STATE		16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V			18.41mm	10.16mm	1mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V25761S183PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	350mA	183MHz	RAM, SDR, SRAM	Bulk	2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	流水线结构		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		183MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1		3.3 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.035A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V016SA20YGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		44	120mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1							INDUSTRIAL	Parallel	128kB	1		20 ns		3-STATE		16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3576S150PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	TQFP		100	305mA	150MHz	RAM, SDR, SRAM		2012	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	流水线结构		3.3V	QUAD	FLAT	260	1	0.65mm		150MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1		3.8 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.035A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V67703S80BQGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		165	230mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			100MHz	30			INDUSTRIAL	Parallel		1		8 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.07A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
71342LA25JGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	PLCC	YES	52		RAM, SDR, SRAM			2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Matte Tin (Sn)	85°C	-40°C			5V	QUAD		260	1						5V	INDUSTRIAL	Parallel	4kB	2		25 ns	4KX8	3-STATE		24b	32 kb	0.0015A			COMMON			2V	5.5V	4.5V			19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V321S35J	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	125mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	52	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			3.3V	QUAD	J BEND	225	1							COMMERCIAL	Parallel	2kB	2		35 ns		3-STATE		22b	16 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V67703S80BG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	210mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			100MHz	20			COMMERCIAL	Parallel	1.1MB	1		8 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.05A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V3589S166BF8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		208	500mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	208		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL		1	0.8mm		166MHz				COMMERCIAL	Parallel		2		12 ns	64KX36	3-STATE		16b	2.3 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V		1.7mm	15mm	15mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7164S20YG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		28	100mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	260	1						5V	COMMERCIAL	Parallel	8kB	1		20 ns	8KX8	3-STATE		13b	64 kb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V24L20PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	594 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	195mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm			30			INDUSTRIAL	Parallel	8kB	2		20 ns	4KX16	3-STATE		24b	64 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7134LA20PDG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	PDIP	NO	48		RAM, SDR, SRAM		Bulk	2013	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	48	EAR99	哑光锡	70°C	0°C			5V	DUAL	THROUGH-HOLE	260	1						5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2		20 ns	4KX8	3-STATE		24b	32 kb	0.0015A			COMMON			2V	5.5V	4.5V			61.7mm	15.24mm	3.8mm	无	符合RoHS标准	无铅