IDT的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'IDT' (6623)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	包装/外壳	表面安装	引脚数	Current - Supply (Nom)			包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	I/O类型	同步/异步	字长	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	输出启用	座位高度(最大)	长度	宽度	器件厚度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
70V7599S200BC	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		256	950mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	256		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1	1mm		200MHz					COMMERCIAL	Parallel	512kB	2				15 ns		3-STATE		34b	4.5 Mb	0.03A			COMMON	Synchronous	36b		3.45V	3.15V		1.7mm	17mm	17mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
70V06L15PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	64	185mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.8mm			30				COMMERCIAL	Parallel	16kB	2				15 ns	16KX8	3-STATE		28b	128 kb				COMMON	Asynchronous	8b	2V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V416S10YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		44	200mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2014	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		哑光锡	70°C	0°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1								COMMERCIAL	Parallel	512kB	1				10 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
7008L20JI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	84	335mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2010	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	84		Tin/Lead (Sn85Pb15)	85°C	-40°C			5V	QUAD	J BEND	225	1							5V	INDUSTRIAL	Parallel	64kB	2				20 ns	64KX8	3-STATE		32b	512 kb	0.01A			COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		4.57mm	29.21mm	29.21mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V3559S85BQG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	11 Weeks	表面贴装		165	225mA	RAM, SRAM			2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECHTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			91MHz	30				COMMERCIAL	Parallel		1				8.5 ns		3-STATE		18b	4.5 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	18b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	无铅
7025L35PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	37 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	210mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C			5V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20			5V	COMMERCIAL	Parallel	16kB	2				35 ns	8KX16	3-STATE		26b	128 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V2546S100BG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA		119	250mA	100MHz	RAM, SDR, SRAM		2011	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Lead (Sn63Pb37)	70°C	0°C	流水线结构		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			100MHz	20				COMMERCIAL	Parallel	512kB	1				5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.04A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	含铅
6116LA25SOG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	SOIC	24	95mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	24	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL	鸥翼	260	1				30			5V	COMMERCIAL	Parallel	2kB	1				25 ns	2KX8	3-STATE		11b	16 kb	0.00003A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			15.4mm	7.6mm	2.34mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V3577YS85PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		LQFP	YES	100		RAM, SRAM			2006	e3			3 (168 Hours)	100	3A991	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C	流线型结构	8542.32.00.41	3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm			未说明	R-PQFP-G100	不合格	3.3V	COMMERCIAL	Parallel			SYNCHRONOUS	87MHz	0.18mA		128KX36	3-STATE	36			0.03A	4718592 bit	8.5 ns	COMMON			3.14V	3.465V	3.135V		1.6mm	20mm	14mm			符合RoHS标准
71V65703S85BQI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		165	60mA	RAM, SDR, SRAM			2009	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	165		Tin/Lead (Sn63Pb37)	85°C	-40°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	225	1			91MHz	20				INDUSTRIAL	Parallel	1.1MB	1				8.5 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.06A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V			15mm	13mm	1.2mm	无	符合RoHS标准	含铅
71V67703S75BGG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	BGA	119	265mA	RAM, SRAM		Tape & Reel	2009	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	119		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	70°C	0°C	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE		3.3V	BOTTOM	BALL	260	1			117MHz	30				COMMERCIAL	Parallel		1				7.5 ns	256KX36	3-STATE		18b	9 Mb	0.05A			COMMON	Synchronous	36b		3.465V	3.135V		2.36mm	14mm	22mm	2.15mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V30L35TFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	LQFP	64	145mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2009	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	64	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	FLAT	260	1	0.5mm			30				INDUSTRIAL	Parallel	1kB	2				35 ns	1KX8	3-STATE		20b	8 kb				COMMON	Asynchronous	8b	3V	3.6V	3V			10mm	10mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V416S12YGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装		44	180mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44		哑光锡	85°C	-40°C			3.3V	DUAL	J BEND	260	1								INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1				12 ns		3-STATE		18b	4 Mb	0.02A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		3.683mm	28.6mm	10.2mm	2.9mm	无	符合RoHS标准	无铅
71V546S100PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks		TQFP	YES	100		100MHz	RAM, SDR, SRAM		2007	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C	流水线结构		3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.65mm		100MHz	30				INDUSTRIAL	Parallel	512kB	1			0.26mA	5 ns		3-STATE		17b	4.5 Mb	0.045A			COMMON				3.465V	3.135V			20mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V25L20PFGI	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	195mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm			30				INDUSTRIAL	Parallel	16kB	2				20 ns	8KX16	3-STATE		26b	128 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
7014S12JG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	PLCC	52	250mA	RAM, SDR, SRAM			2008	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	52	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	QUAD	J BEND	260	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	4.5kB	2				12 ns	4KX9	3-STATE		24b	36 kb				COMMON	Asynchronous	9b		5.5V	4.5V		4.57mm	19mm	19mm	3.63mm	无	符合RoHS标准	无铅
71256L20YG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		28	135mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	260	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	1				20 ns	32KX8	3-STATE		15b	256 kb				COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V24S15PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	215mA	RAM, SDR, SRAM			2004	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				COMMERCIAL	Parallel	8kB	2				15 ns	4KX16	3-STATE		24b	64 kb	0.005A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅
7133LA20PFG	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	280mA	RAM, SDR, SRAM		Bulk	2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Matte Tin (Sn)	70°C	-55°C			5V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm						5V	COMMERCIAL	Parallel	4kB	2				20 ns		3-STATE		22b	32 kb	0.0015A			COMMON	Asynchronous	16b	2V	5.5V	4.5V			14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
IDT71016S12PH	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TSOP		44	210mA	RAM, SRAM - Asynchronous		Rail/Tube	2010	e0	no		3 (168 Hours)	44			70°C	0°C			5V	DUAL	鸥翼	225	1	0.8mm	not_compliant		20		不合格	5V	COMMERCIAL	Parallel		1				12 ns		3-STATE	16	16b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	16b		5.5V	4.5V	YES						Non-RoHS Compliant
70V27L20PFGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	230mA	RAM, SDR, SRAM		Tape & Reel	2012	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	100		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			3.3V	QUAD	鸥翼	260	1	0.5mm			30				INDUSTRIAL	Parallel	64kB	2				20 ns		3-STATE		30b	512 kb	0.006A			COMMON	Asynchronous	16b	3V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	无铅
71256L35YG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		28	115mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous			2011	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	28	EAR99	Matte Tin (Sn)	70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	260	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	32kB	1				35 ns	32KX8	3-STATE		15b	256 kb				COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V		3.556mm	17.9mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
6116LA25SOGI8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	SOIC	24	95mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2013	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	24	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			5V	DUAL	鸥翼	260	1				30			5V	INDUSTRIAL	Parallel	2kB	1				25 ns	2KX8	3-STATE		11b	16 kb	0.00002A			COMMON	Asynchronous	8b	2V	5.5V	4.5V			15.4mm	7.6mm	2.34mm	无	符合RoHS标准	无铅
71024S15TYG8	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装		32	155mA	RAM, SDR, SRAM - Asynchronous		Tape & Reel	2013	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	32		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			5V	DUAL	J BEND	260	1							5V	COMMERCIAL	Parallel	128kB	1				15 ns		3-STATE		17b	1 Mb				COMMON	Asynchronous	8b		5.5V	4.5V		3.76mm	21.95mm	7.6mm	2.67mm	无	符合RoHS标准	无铅
70V24L35PF	Integrated Device Technology (IDT)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	TQFP	100	155mA	RAM, SDR, SRAM			2004	e0	no	活跃	3 (168 Hours)	100	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70°C	0°C	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN		3.3V	QUAD	鸥翼	240	1	0.5mm			20				COMMERCIAL	Parallel	8kB	2				35 ns	4KX16	3-STATE		24b	64 kb				COMMON	Asynchronous	16b	2V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm	1.4mm	无	符合RoHS标准	含铅