71V30L35TFGI
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Integrated Device Technology (IDT) 71V30L35TFGI

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型号

71V30L35TFGI

utmel 编号

1179-71V30L35TFGI

商品类别

存储器

封装

LQFP

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Async Dual 3.3V 8K-Bit 1K x 8 35ns 64-Pin STQFP

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71V30L35TFGI Integrated Device Technology (IDT) SRAM Chip Async Dual 3.3V 8K-Bit 1K x 8 35ns 64-Pin STQFP

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71V30L35TFGI详情

Integrated Device Technology (IDT) 71V30L35TFGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    7 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    LQFP

  • 引脚数

    64

  • Memory Types

    RAM, SDR, SRAM

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    64

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 最高工作温度

    85°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    0.5mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    64

  • 工作电源电压

    3.3V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 界面

    Parallel

  • 最大电源电压

    3.6V

  • 最小电源电压

    3V

  • 内存大小

    1kB

  • 端口的数量

    2

  • 电源电流

    145mA

  • 访问时间

    35 ns

  • 组织结构

    1KX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 地址总线宽度

    20b

  • 密度

    8 kb

  • I/O类型

    COMMON

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 字长

    8b

  • 待机电压-最小值

    3V

  • 长度

    10mm

  • 宽度

    10mm

  • 器件厚度

    1.4mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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71V30L35TFGI拓展信息

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