品牌是'IDT' (6623)

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

包装/外壳

表面安装

引脚数

Current - Supply (Nom)

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

最大电流源

资历状况

电源

温度等级

界面

内存大小

端口的数量

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

输出启用

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

71V416L10YG
71V416L10YG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

44

180mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

260

1

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

10 ns

3-STATE

18b

4 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

3.683mm

28.6mm

10.2mm

2.9mm

符合RoHS标准

无铅

7054S35PRF
7054S35PRF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

128

300mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

128

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

70°C

0°C

AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

5V

QUAD

FLAT

225

1

0.5mm

5V

COMMERCIAL

Parallel

4kB

4

35 ns

3-STATE

12b

32 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

1.6mm

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V3556SA100BGI8
71V3556SA100BGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

255mA

100MHz

RAM, SDR, SRAM

2015

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

100MHz

20

255mA

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.045A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.15mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

71V016SA12PHGI8
71V016SA12PHGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TSOP

44

160mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2011

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

44

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

3.3V

DUAL

鸥翼

260

1

0.8mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

12 ns

3-STATE

16b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

16b

3V

3.6V

3V

18.41mm

10.16mm

1mm

符合RoHS标准

无铅

70V3579S4BC8
70V3579S4BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

460mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

PIPELINED OUTPUT MODE, SELF-TIMED WRITE CYCLE

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

133MHz

COMMERCIAL

Parallel

2

4.2 ns

3-STATE

30b

1.1 Mb

COMMON

Synchronous

36b

3.45V

3.15V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71256SA20TPG
71256SA20TPG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

PDIP

28

145mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

2011

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

28

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

5V

DUAL

260

1

2.54mm

5V

COMMERCIAL

Parallel

32kB

1

20 ns

32KX8

3-STATE

15b

256 kb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

4.572mm

34.3mm

7.62mm

3.3mm

符合RoHS标准

无铅

71V2556SA100BGG
71V2556SA100BGG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

250mA

RAM, SRAM

2011

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

100MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1

5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.04A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

71V25761S183PFG8
71V25761S183PFG8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TQFP

100

340mA

183MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

100

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

-40°C

流水线结构

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.65mm

183MHz

COMMERCIAL

Parallel

512kB

1

3.3 ns

17b

4.5 Mb

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

20mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

IDT7164S20Y
IDT7164S20Y
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

135 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

28

100mA

RAM, SRAM - Asynchronous

2009

e0

3 (168 Hours)

28

EAR99

70°C

0°C

5V

DUAL

J BEND

225

1

not_compliant

20

不合格

5V

COMMERCIAL

Parallel

1

20 ns

8KX8

3-STATE

8

13b

64 kb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

YES

3.556mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V124SA10Y
IDT71V124SA10Y
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

32

145mA

RAM, SRAM - Asynchronous

Rail/Tube

2007

e0

3 (168 Hours)

32

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

30

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

10 ns

3-STATE

8

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3.6V

3.15V

3.683mm

20.955mm

符合RoHS标准

71V65803S100BGI8
71V65803S100BGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

270mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2005

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Lead (Sn63Pb37)

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

225

1

100MHz

20

INDUSTRIAL

Parallel

1

5 ns

3-STATE

19b

9 Mb

0.06A

COMMON

Synchronous

18b

3.465V

3.135V

2.36mm

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

含铅

IDT71V124SA12TY
IDT71V124SA12TY
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e0

no

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.13mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

12 ns

COMMON

3V

3.6V

3.15V

3.7592mm

20.955mm

7.62mm

Non-RoHS Compliant

IDT71V124SA12Y
IDT71V124SA12Y
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

32

130mA

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e0

3 (168 Hours)

32

70°C

0°C

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

30

不合格

COMMERCIAL

Parallel

1

12 ns

3-STATE

8

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

3V

3.6V

3V

3.683mm

20.955mm

符合RoHS标准

IDT71V124SA12PH
IDT71V124SA12PH
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOIC

YES

32

RAM, SRAM - Asynchronous

2007

e0

no

3 (168 Hours)

32

3A991.B.2.B

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

鸥翼

225

1

1.27mm

30

R-PDSO-G32

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.13mA

128KX8

3-STATE

8

0.01A

1048576 bit

12 ns

COMMON

3V

3.6V

3.15V

1.2mm

20.95mm

10.16mm

符合RoHS标准

71024S15TYGI8
71024S15TYGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

32

155mA

RAM, SDR, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel

2013

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

32

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

5V

DUAL

J BEND

260

1

5V

INDUSTRIAL

Parallel

128kB

1

15 ns

3-STATE

17b

1 Mb

COMMON

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

3.76mm

21.95mm

7.6mm

2.67mm

符合RoHS标准

无铅

IDT71V424S10Y8
IDT71V424S10Y8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

36

RAM, SRAM - Asynchronous

Tape & Reel (TR)

2009

e0

3 (168 Hours)

36

3A991.B.2.A

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

8542.32.00.41

3.3V

DUAL

J BEND

225

1

1.27mm

not_compliant

30

不合格

3.3V

COMMERCIAL

Parallel

0.18mA

512KX8

3-STATE

8

0.02A

4194304 bit

10 ns

COMMON

3V

3.6V

3V

3.683mm

23.495mm

10.16mm

Non-RoHS Compliant

71V3556SA150BGGI
71V3556SA150BGGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

BGA

119

RAM, SRAM

2015

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

锡银铜

85°C

-40°C

3.3V

260

150MHz

Parallel

1

17b

4 Mb

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

71V321L25PFG
71V321L25PFG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

64

100mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

3.3V

QUAD

鸥翼

260

1

0.8mm

30

INDUSTRIAL

Parallel

2kB

2

25 ns

3-STATE

22b

16 kb

0.0015A

COMMON

Asynchronous

8b

2V

3.6V

3V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

无铅

70T653MS12BC8
70T653MS12BC8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

256

710mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

256

Tin/Lead (Sn63Pb37)

70°C

0°C

2.5V

BOTTOM

BALL

225

1

1mm

20

COMMERCIAL

Parallel

2

12 ns

3-STATE

19b

18 Mb

COMMON

Asynchronous

36b

2.6V

2.4V

1.5mm

17mm

17mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

7027S20PF
7027S20PF
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

TQFP

100

325mA

RAM, SDR, SRAM

2009

e0

no

活跃

3 (168 Hours)

100

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70°C

0°C

5V

QUAD

鸥翼

240

1

0.5mm

20

5V

COMMERCIAL

Parallel

64kB

2

20 ns

3-STATE

30b

512 kb

0.005A

COMMON

Asynchronous

16b

5.5V

4.5V

1.6mm

14mm

14mm

1.4mm

符合RoHS标准

含铅

71V35761SA183BGGI8
71V35761SA183BGGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

350mA

RAM, SRAM

Tape & Reel

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

183MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

1

3.3 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.035A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

7132LA35PDG
7132LA35PDG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

PDIP

48

120mA

RAM, SDR, SRAM

Bulk

2010

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

48

EAR99

Matte Tin (Sn)

70°C

0°C

5V

DUAL

260

1

COMMERCIAL

Parallel

2kB

2

35 ns

22b

16 kb

Asynchronous

8b

5.5V

4.5V

61.7mm

15.24mm

3.8mm

符合RoHS标准

无铅

71V35761SA166BGGI
71V35761SA166BGGI
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

330mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

166MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.035A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

71V35761SA166BGGI8
71V35761SA166BGGI8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

BGA

119

330mA

166MHz

RAM, SDR, SRAM

2009

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

119

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

85°C

-40°C

流水线结构

3.3V

BOTTOM

BALL

260

1

166MHz

30

INDUSTRIAL

Parallel

512kB

1

3.5 ns

3-STATE

17b

4.5 Mb

0.035A

COMMON

Synchronous

36b

3.465V

3.135V

14mm

22mm

2.15mm

符合RoHS标准

无铅

70T3799MS133BBG
70T3799MS133BBG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

表面贴装

BGA

324

740mA

133MHz

RAM, SDR, SRAM

2010

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

324

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

70°C

0°C

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

2.5V

BOTTOM

BALL

260

1

1mm

133MHz

30

COMMERCIAL

Parallel

1.1MB

2

4.2 ns

3-STATE

34b

9 Mb

COMMON

Synchronous

72b

2.6V

2.4V

19mm

19mm

1.76mm

符合RoHS标准

无铅